抵抗変化メモリーの挙動を電流ノイズから解明 ～不揮発性メモリーの用途拡大へ向けて～

2017/01/13

産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門3D集積システム研究グループ　馮 ウェイ 研究員、エマージングデバイス研究グループ　島 久 主任研究員らは、筑波大学 数理物質系物理工学域　大毛利 健治 准教授と共同で、幅広い電流レンジでノイズを計測する手法を開発し、不揮発性メモリーとして研究開発が進められている抵抗変化メモリー（ReRAM）が100ナノアンペア（nA）という超低消費電力で動作する際の挙動について明らかにしました。

図　今回開発した抵抗変化メモリー

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