シリコンに注入した水素が自由電子を生成するメカニズムを世界で初めて解明　シリコンパワー半導体の電子濃度制御を高度化し、電力損失低減に貢献

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プレスリリース

掲載論文
【題名】 Advancing N-type doping in semiconductors through hydrogen-defect interactions 【掲載誌】 Communications Materials 【DOI】 10.1038/s43246-025-00955-4