次世代半導体MoS₂の革新的ウエハースケール成膜技術を開発　―結晶成長の自己整合および自己停止メカニズムにより高移動度を達成―

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プレスリリース

掲載論文
【題名】 Self-aligned and self-limiting van der Waals epitaxy of monolayer MoS2 for scalable 2D electronics 【掲載誌】 Nature Communications 【DOI】 10.1038/s41467-026-68320-8