奥村 宏典
Hironori Okumura
筑波大学
数理物質系
助教
Assistant professor
Institute of Pure and Applied Sciences
University of Tsukuba
専門分野
Research fields
半導体
Semiconductor
研究テーマ
Research project
超ワイドギャップ半導体の結晶成長と電気・光素子作製
Crystal growth and device fabrication of ultra-wide bandgap semiconductors
キーワード
Keywords
AlN、サファイヤ、パワーデバイス、放射線検出器、光遺伝学
AlN, Sapphire, power device, radiation detector, optogenetics
経歴
Biography
2012年 3月 京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 博士後期課程 修了
2012年4月～2014年3月 日本学術振興会 海外特別研究員
（派遣先：米国カリフォルニア大学サンタバーバラ校）
2014年4月～2015年3月 日本電信電話株式会社 物性科学基礎研究所 リサーチアソシエイト
2015年4月～2018年3月 国立大学法人筑波大学 数理物質系 助教（国際テニュアトラック）
（2015年4月～2016年3月 スイス連邦工科大学ローザンヌ校 訪問研究員）
（2016年4月～2018年3月 米国マサチューセッツ工科大学 訪問研究員）
2018年4月～現在 国立大学法人筑波大学 数理物質系 助教（テニュア）
2012/ 3 Ph.D, Electronics Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan
2012/4～2014/3 JSPS Overseas Research Fellow, (UCSB, CA, US.)
2014/4～2015/3 Research associate, Basic Research Labolatory, NTT
2015/4～2018/3 Assistant Professor (International tenure track), the Univ. of Tsukuba
（2015/4～2016/3 Visiting researcher, EPFL, Switzerland）
（2016/4～2018/3 Visiting researcher, MIT, US）
2018/4～present Assistant Professor (tenure), the Univ. of Tsukuba
研究概要
Research Outline
半導体材料の中でも、絶縁体の特性に近い材料を扱っています。特長は、大きい電圧をかけても壊れにくく、高い温度でも動作でき、放射線に長時間曝露しても壊れにくい点です。本研究室では、最も絶縁体に近い半導体である窒化アルミニウムを用いて、トランジスタの世界初動作に成功しました。最近、一般的に絶縁体として知られているサファイヤ（酸化アルミニウム）に、室温で電気を流すことにも世界で初めて成功しています。サファイヤを主体とした素子が実現すれば、低価格で厳しい環境にも強い、究極的な半導体素子の実現が期待できます。今後は、放射線耐性に着目し、宇宙用部品や加速器の検出器応用を目指します。既にKEK・理研・AIST・NIMS と共同で開発を進めており、放射線医療への利用も模索段階です。また、これらの半導体材料は可視光域の光制御にも使えるため、オプトジェティクス用の光導波路にも使えます。本プログラムを通じて生命系の研究者と交流しつつ、企業と連携して開発を進めることを構想しています。
We have worked on the device fabrication and crystal growth for power devices and ultraviolet LED. Particularly, our group has focused on Gallium-oxide (β-Ga2O3) and Aluminum-nitride (AlN) devices. These materials would significantly contribute to the saving energy. In 2018, we achieved the first demonstration of AlN-channel transistors. Recently, we firstly reported the room-temperature electrically conductive sapphire (α-Al2O3). Sapphire-based materials would contribute to the high-power, high-temperature, and high-radiation-tolerance devices at low cost.
私が目指すトランスボーダー研究者とは
What is my goal as a transborder researcher?
固体材料の持つ物性を最大限駆使して、あらゆるもの（地中・宇宙・生命）がデバイスで繋がる世界を目指し、分野や業種の壁を越えた新展開を見出す研究者
Our research goal is to connect everything in the earth, in space, and in the biological body through semiconductor devices. By making the most of semiconductor properties, we would like to discover new possibilities over the wall of my research field.
ピックアップムービー
TRiSTARフェロー紹介 第1期フェロー 奥村 宏典 Hironori Okumura