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梅田 享英

Umeda, Takahide

数理物質系 , 准教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor

http://esrlab.bk.tsukuba.ac.jp/

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  1. 1. 時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用 横山, 義希; 堀内, 颯介; 福永, 博生; 島袋, 聞多 (+4 著者) 梅田, 享英
      第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 11-154 (2025)
  2. 2. Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光 堀内, 颯介; 福永, 博生; 島袋, 聞多; 矢野, 裕司 (+3 著者) 梅田, 享英
      第85回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集 12-191 (2024)
  3. 3. Spin-dependent-charge-pumping spectroscopy on p-channel 4H-SiC MOSFETs Horiuchi, Sosuke; Fukunaga, Hiroki; Shimabukuro, Bunta; YANO, Hiroshi (+3 著者) Umeda, Takahide
      Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 307 (2024)
  4. 4. Differences between Polar-Face and Non-Polar Face 4H-SiC /SiO2 Interfaces Revealed by Magnetic Resonance Spectroscopy Kondo, R.; Zeng, H.; Sometani, M.; Hirai, H. (+1 著者) UMEDA, Takahide
      Defect and Diffusion Forum 434: 99 (2024)
  5. 5. 電柱検出ESRによるSiC中の欠陥検出のための＋αの研究技術 梅田, 享英
      OYO BUTURI 93: 120 (2024)
  6. 6. How does hydrogen transform into shallow donors in silicon? Kiyoi, Akira; 梅田, 享英
      PHYSICAL REVIEW B 108: 235201 (2023) Semantic Scholar
  7. 7. Energy levels of carbon dangling-bond center (PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface Sometani, Mitsuru; Nishiya, Yusuke; Kondo, Ren; Inohana, Rei (+4 著者) Umeda, Takahide
      APL MATERIALS 11: (2023) Semantic Scholar
  8. 8. Negatively charged boron vacancy center in diamond Umeda, T; Watanabe, K; Hara, H; Sumiya, H (+6 著者) Isoya, J
      PHYSICAL REVIEW B 105: (2022) Semantic Scholar
  9. 9. Electron paramagnetic resonance study of silicon-28 single crystal for realization of the kilogram Mizushima, Shigeki; Umeda, Takahide
      METROLOGIA 59: (2022) Semantic Scholar
  10. 10. Electrical detection of T-V2a-type silicon vacancy spin defect in 4H-SiC MOSFETs Abe, Yuta; Chaen, Akihumi; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke (+2 著者) Umeda, Takahide
      APPLIED PHYSICS LETTERS 120: (2022) Semantic Scholar
  11. 11. Determination of Defect Concentrations in Si-28 Crystals Using EPR for the Realization of the Kilogram Mizushima, Shigeki; Kuramoto, Naoki; Umeda, Takahide
      IEEE TRANSACTIONS ON INSTRUMENTATION AND MEASUREMENT 70: 1005706 (2021) Semantic Scholar
  12. 12. Electron-spin-resonance and electrically detected-magnetic-resonance characterization on PbC center in various 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces T. Umeda; Y. Nakano; E. Higa; T. Okuda (+4 著者) S. Harada
      Journal of Applied Physics 127: 145301 (2020) Semantic Scholar
  13. 13. Electrically detected magnetic resonance study on interface defects at nitrided Si-face, a-face, and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces Higa, Eito; Sometani, Mitsuru; Hirai, Hirohisa; Yano, Hiroshii (+1 著者) Umeda, Takahide
      Applied Physics Letters 116: 171602-1 (2020) Semantic Scholar
  14. 14. Nearly degenerate ground state of phosphorus donor in diamond Umeda,Takahide
      PHYSICAL REVIEW MATERIALS 4: 024603 (2020) Semantic Scholar
  15. 15. Carbon dangling-bond center (carbon Pb center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface Umeda, T; Kobayashi, T; Sometani, M; Yano, Hiroshi (+1 著者) Harada, S
      Appl. Phys. Lett. 116: 071604-1 (2020) Semantic Scholar
  16. 16. 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価 比嘉栄斗; 染谷満; 原田信介; 梅田享英矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第6回講演会 67 (2019)
  17. 17. Electrically detected-magnetic-resonance identifications of defects at 4H-SiC(000-1)/ SiO2 interfaces with wet oxidation Umeda, Takahide; Kagoyama, Y; Tomita, K; Abe, Y (+3 著者) Hatakeyama, T
      Applied Physics Letters 115: 151602 (2019) Semantic Scholar
  18. 18. The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study Umeda, Takahide; Kobayashi, Takuma; Matsushita, Yu-ichro; Higa, Eito (+2 著者) Harada, Shinsuke
      Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) We-1A-02 (2019)
  19. 19. Formation of nitrogen-vacancy centers in 4H-SiC and their near infrared photoluminescence properties Shin Ichiro Sato; Takuma Narahara; Yuta Abe; Yasuto Hijikata (+1 著者) Takeshi Ohshima
      Journal of Applied Physics 126: (2019) Semantic Scholar
  20. 20. Electron Paramagnetic Resonance Study on 28Si Single Crystal for the Future Realization of the Kilogram Mizushima, Shigeki; Kuramoto, Naoki; Fujii, Kenichi; Umeda, Takahide
      IEEE TRANSACTIONS ON INSTRUMENTATION AND MEASUREMENT 68: 1879 (2019) Semantic Scholar
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  1. 1. SiC酸化膜界面のパッシベーション技術 Umeda,Takahide (担当:分担執筆, 範囲:電子スピン共鳴分光法から見たSiC-MOS界面欠陥と窒素・リンの関係)
    応用物理学会先進パワー半導体分科会 2016年8月 (ISBN: 9784863485846)
  2. 2. 応用物理 Umeda, Takahide (担当:分担執筆, 範囲:ESR/EDMRによる窒化したSiC-MOS界面の構造評価)
    応用物理学会 2016年7月
  3. 3. EDMR分光法によるシリコンMOSFET内部の結晶欠陥観察：トランジスタの中で欠陥は何をしているのか？（ISBN:978-4-86348-235-7） 梅田享英
    応用物理学会分科会 シリコンテクノロジーNo.146 2012年3月
  4. 4. 第40回 薄膜・表面物理基礎講座「ナノ材料研究者のための表面・界面の評価技術の基礎と動向」（ISBN:978-4-86348-207-4） 梅田享英
    応用物理学会薄膜・表面物理分科会 2011年11月
  5. 5. 半導体SiC技術と応用（第2版、松波弘之・大谷昇・木本恒暢・中村孝編著） 梅田享英; 磯谷順一
    日刊工業新聞社 2011年9月
  6. 6. 先端DRAMにおけるデータ保持時間の変動現象のメカニズム ―単一点欠陥が引き起こすデバイス劣化現象― 梅田享英
    応用物理 Vol.76 2007年9月
  7. 7. Silicon Carbide and Related Materials 2006 Umeda, T; Morishita, N; Ohshima, T; Itoh, H; Isoya, J (担当:分担執筆, 範囲:Electron paramagnetic resonance study of carbon antisite-vacancy pair in p-type 4H-SiC)
    TRANS TECH PUBLICATIONS LTD 2007年1月
  8. 8. アモルファスシリコン中の光励起下の局在電子 梅田享英; 山崎聡; 磯谷順一; 田中一宜
    固体物理 Vol.33 1998年1月
  1. 1. 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価 比嘉栄斗; 染谷満; 原田信介; 梅田享英; 矢野, 裕司
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会 2019年12月3日
  2. 2. Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces Higa, Eito; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke; Yano, Hiroshi; Umeda, Takahide
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
  3. 3. The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study Umeda, Takahide; Kobayashi, Takuma; Matsushita, Yu-ichro; Higa, Eito; Yano, Hiroshi; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
  4. 4. SiC酸化膜界面の基礎物性解明に向けて 矢野, 裕司; 岡本大; 梅田享英; 櫻井岳暁; 蓮沼隆
    SIP「次世代パワーエレクトロニクス」公開シンポジウム 2019年3月28日
  5. 5. 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御（II） 阿部裕太; 梅田, 享英; 岡本光央; 原田信介; 佐藤真一郎; 山﨑雄一; 大島武
    第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月9日 応用物理学会
  6. 6. 電子スピン共鳴分光（ESR）と、電流検出ESR（EDMR）による 半導体の微量欠陥・不純物分析 梅田, 享英
    日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会 第162回研究会 2019年1月31日 日本学術振興会第145委員会 招待有り
  7. 7. SiC-MOS界面欠陥の起源：電子スピン共鳴分光の最新の結果より 梅田, 享英
    先進パワー半導体分科会第5回講演会 2018年11月4日 応用物理学会先進パワー半導体分科会 招待有り
  8. 8. a面およびm面4H-SiC MOSFETにおける単一光子源（SPS）の探索 阿部裕太; 梅田, 享英; 岡本光央; 原田信介; 佐藤真一郎; 山﨑雄一; 大島武
    先進パワー半導体分科会第5回講演会 2018年11月4日 応用物理学会先進パワー半導体分科会
  9. 9. 4H-SiC(0001)/SiO2界面の炭素ダングリングボンド欠陥（PbCセンター） 梅田, 享英; 神成田亘平; 奥田貴史; 木本暢恒; 染谷満; 原田信介
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
  10. 10. 電流検出型電子スピン共鳴による(000-1)4H-SiC/SiO2界面炭素ダングリングボンドの検出 鹿児山陽平; 梅田, 享英; 染谷満; 原田信介; 畠山哲夫
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
  11. 11. 電子スピン共鳴による(111)面Diamond/Al2O3界面欠陥の検出 真栄力; 加藤宙光; 牧野俊晴; 山崎聡; 梅田, 享英
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
  12. 12. Electron-spin-resonance characterization on interface carbon defects at 4H-SiC/SiO2 interfaces formed by ultrahightemperature oxidation Umeda, Takahide; Hosoi, T; Okuda, T; Kimoto, T; Sometani, M; Harada, S; Watanabe, H
    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018 2018年9月2日
  13. 13. Electron paramagnetic resonance study on a Si-28 single crystal for the future realization of the kilogram Mizushima, Shigeki; Fujii, Kenichi; Umeda, Takahide
    Conference on Precision Electromagnetic Measurements (CPEM) 2018年7月8日
  14. 14. 15NOポストアニール後の4H-SiC MOS界面の窒素ドーピングの ESR定量 梅田, 享英; 染谷, 満; 原田, 信介
    第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月17日
  15. 15. Observation of interface defects in free-standing epitaxial diamond substrate with Al2O3 atomic-layer deposition studied by electron spin resonance Shinei, C; Kato, H; Makino, T; Yamasaki, S; Umeda, Takahide
    International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES (IWDTF) 2017年11月20日
  16. 16. Interface Carbon Defect at Si-face 4H-SiC/SiO2 Interfaces Detected by Electron Spin Resonance Kim, G.-W; Okuda, T; Kimoto, T; Umeda, Takahide
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017年9月17日
  17. 17. Oxidation-process dependence of single photon sources embedded in 4H-SiC MOSFETs Abe, Y; Okamoto, M; Onoda, S; Ohshima, T; Haruyama, M; Kada, W; Hashizume, O; Kosugi, R; Harada, S; Kagoyama, Y; Umeda, Takahide
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017年9月17日
  18. 18. 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御 梅田, 享英; 阿部, 裕太; 岡本, 光央; 原田, 信介; 春山, 盛善; 加田, 渉; 花泉, 修; 小野田, 忍; 大島, 武
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日
  19. 19. 4H-SiC MOSFET チャネル中の単一光子源に対する水素の影響 阿部, 裕太; 岡本, 光央; 小野田, 忍; 大島, 武; 春山, 盛善; 加田, 渉; 花泉, 修; 原田, 信介; 鹿児山, 陽平; 梅田, 享英
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日 応用物理学会
  20. 20. 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源の偏光角度依存性 阿部, 裕太; 岡本, 光央; 小野田, 忍; 大島, 武; 春山, 盛善; 加田, 渉; 花泉, 修; 小杉, 亮治; 原田, 信介; Umeda, Takahide
    第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月14日
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