ホーム > 梅田享英/ Umeda, Takahide

梅田享英

Umeda, Takahide

数理物質系 , 准教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor

http://esrlab.bk.tsukuba.ac.jp/

http://www.kc.tsukuba.ac.jp/div-media/

オープンアクセス版の論文は「つくばリポジトリ」で読むことができます。

21. Anomalous carbon clusters in 4H-SiC/SiO2 interfaces Kagoyama, Y; Okamoto, M; Yamasaki, T; Tajima, N (+4 著者) Umeda, T
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 125: 065302-1 (2019) Semantic Scholar
22. Interface carbon defects at 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces studied by electron-spin-resonance spectroscopy Umeda, T; Kim, G-W; Okuda, T; Sometani, M (+1 著者) Harada, S
APPLIED PHYSICS LETTERS 113: (2018) Semantic Scholar
23. Oxidation-Process Dependence of Single Photon Sources Embedded in 4H-SiC MOSFETs Abe, Yuta; Umeda, Takahide; Okamoto, Mitsuo; Onoda, Shinobu (+5 著者) Ohshima, Takeshi
Materials Science Forum 924: 281 (2018) Semantic Scholar
24. Interface Defects in C-face 4H-SiC MOSFETs: An Electrically-Detected-Magnetic-Resonance Study Umeda,Takahide
ECS Transactions 80: 147 (2017) Semantic Scholar
25. Electrically Detected Magnetic Resonance (EDMR) Studies of SiC-SiO2 Interfaces T., Umeda; R., Kosugi; K., Fukuda; N., Morishita (+2 著者) J., Isoya
Materials Science Forum 717-720: 427-432 (2012) Semantic Scholar
26. Hybrid Quantum Circuit with a Superconducting Qubit Coupled to a Spin Ensemble Y. Kubo; C. Grezes; A. Dewes; T. Umeda (+13 著者) P. Bertet
PHYSICAL REVIEW LETTERS 107: 220501 (2011) Semantic Scholar
27. Fixed nitrogen atoms in the SiO2/SiC interface region and their direct relationship to interface trap density R. Kosugi; T. Umeda; Y. Sakuma
APPLIED PHYSICS LETTERS 99: 182111 (2011) Semantic Scholar
28. Behavior of nitrogen atoms in SiC-SiO2 interfaces studied by electrically detected magnetic resonance T. Umeda; K. Esaki; R. Kosugi; K. Fukuda (+2 著者) J. Isoya
APPLIED PHYSICS LETTERS 99: (2011) Semantic Scholar
29. 22pGQ-12 イオン照射によるダイヤモンド結晶中の窒素空孔センターの生成(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)) 山本, 卓; 小野田, 忍; 大島, 武; Naydenov, Boris (+11 著者) 磯谷, 順一
Meeting abstracts of the Physical Society of Japan 66: 994 (2011)
30. Fluorine-vacancy defects in fluorine-implanted silicon studied by electron paramagnetic resonance T. Umeda; J. Isoya; T. Ohshima; S. Onoda (+2 著者) S. Shiratake
APPLIED PHYSICS LETTERS 97: (2010) Semantic Scholar
31. Dicarbon antisite defect in n-type 4H-SiC T. Umeda; J. Isoya; N. Morishita; T. Ohshima (+1 著者) A. Gali
PHYSICAL REVIEW B 79: 115211 (2009) Semantic Scholar
32. EPR identification of defects and impurities in SiC: To be decisive J.,Isoya; T.,Umeda; N.,Mizuochi; N.T.,Son (+1 著者) T.,Ohshima
Material Science Forum 600-603: 279 (2009)
33. Photo-EPR study of vacancy-type defects in irradiated n-type 4H-SiC T.,Umeda; N.,Morishita; T.,Ohshima; H.,ItohJ.,Isoya
Material Science Forum 600-603: 409 (2009)
34. EPR identification of intrinsic defects in SiC J. Isoya; T. Umeda; N. Mizuochi; N. T. Son (+1 著者) T. Ohshima
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 245: 1298 (2008) Semantic Scholar
35. 特定分野の学術論文をピンポイントで抽出し，いかに検索するか？ Defect dat@baseの実践例梅田, 享英; 萩原, 茂; 水落, 憲和; 磯谷, 順一
Journal of Information Processing and Management 51: 653 (2008) Semantic Scholar
36. 先端DRAMにおけるデータ保持時間の変動現象のメカニズム : 単一点欠陥が引き起こすデバイス劣化現象梅田, 享英
應用物理 76: 1037 (2007)
37. Identification of positively charged carbon antisite-vacancy pairs in 4H-SiC T. Umeda; J. Ishoya; T. Ohshima; N. Morishita (+1 著者) A. Gali
PHYSICAL REVIEW B 75: (2007) Semantic Scholar
38. Deep acceptor level of the carbon vacancy-carbon antisite pairs in 4H-SiC P., Carlsson; N.T., Son; T., Umeda; J., IsoyaE., Janzen
Material Science Forum 556-557: 449-452 (2007)
39. Quantitative identification for the physical origin of variable retention time: a vacancy-oxygen complex defect model K., Ohyu; T., Umeda; K., Okonogi; S., Tsukada (+3 著者) Mochizuki
Technical Digest International Electron Device Meeting (IEDM) 2006 2006: 389 (2006)
40. Single silicon vacancy-oxygen complex defect and variable retention time phenomenon in dynamic random access memories T. Umeda; K. Okonogi; K. Ohyu; S. Tsukada (+2 著者) Y. Mochizuki
APPLIED PHYSICS LETTERS 88: (2006) Semantic Scholar

« 1 2 3 4 »

1. SiC酸化膜界面のパッシベーション技術 Umeda,Takahide (担当:分担執筆, 範囲:電子スピン共鳴分光法から見たSiC-MOS界面欠陥と窒素・リンの関係)
応用物理学会先進パワー半導体分科会 2016年8月 (ISBN: 9784863485846)
2. 応用物理 Umeda, Takahide (担当:分担執筆, 範囲:ESR/EDMRによる窒化したSiC-MOS界面の構造評価)
応用物理学会 2016年7月
3. EDMR分光法によるシリコンMOSFET内部の結晶欠陥観察：トランジスタの中で欠陥は何をしているのか？（ISBN:978-4-86348-235-7）梅田享英
応用物理学会分科会シリコンテクノロジーNo.146 2012年3月
4. 第40回薄膜・表面物理基礎講座「ナノ材料研究者のための表面・界面の評価技術の基礎と動向」（ISBN:978-4-86348-207-4）梅田享英
応用物理学会薄膜・表面物理分科会 2011年11月
5. 半導体SiC技術と応用（第2版、松波弘之・大谷昇・木本恒暢・中村孝編著）梅田享英; 磯谷順一
日刊工業新聞社 2011年9月
6. 先端DRAMにおけるデータ保持時間の変動現象のメカニズム ―単一点欠陥が引き起こすデバイス劣化現象― 梅田享英
応用物理 Vol.76 2007年9月
7. Silicon Carbide and Related Materials 2006 Umeda, T; Morishita, N; Ohshima, T; Itoh, H; Isoya, J (担当:分担執筆, 範囲:Electron paramagnetic resonance study of carbon antisite-vacancy pair in p-type 4H-SiC)
TRANS TECH PUBLICATIONS LTD 2007年1月
8. アモルファスシリコン中の光励起下の局在電子梅田享英; 山崎聡; 磯谷順一; 田中一宜
固体物理 Vol.33 1998年1月

1. 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価比嘉栄斗; 染谷満; 原田信介; 梅田享英; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第6回講演会 2019年12月3日
2. Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces Higa, Eito; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke; Yano, Hiroshi; Umeda, Takahide
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
3. The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study Umeda, Takahide; Kobayashi, Takuma; Matsushita, Yu-ichro; Higa, Eito; Yano, Hiroshi; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
4. SiC酸化膜界面の基礎物性解明に向けて矢野, 裕司; 岡本大; 梅田享英; 櫻井岳暁; 蓮沼隆
SIP「次世代パワーエレクトロニクス」公開シンポジウム 2019年3月28日
5. 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御（II）阿部裕太; 梅田, 享英; 岡本光央; 原田信介; 佐藤真一郎; 山﨑雄一; 大島武
第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月9日応用物理学会
6. 電子スピン共鳴分光（ESR）と、電流検出ESR（EDMR）による半導体の微量欠陥・不純物分析梅田, 享英
日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会第162回研究会 2019年1月31日日本学術振興会第145委員会招待有り
7. SiC-MOS界面欠陥の起源：電子スピン共鳴分光の最新の結果より梅田, 享英
先進パワー半導体分科会第5回講演会 2018年11月4日応用物理学会先進パワー半導体分科会招待有り
8. a面およびm面4H-SiC MOSFETにおける単一光子源（SPS）の探索阿部裕太; 梅田, 享英; 岡本光央; 原田信介; 佐藤真一郎; 山﨑雄一; 大島武
先進パワー半導体分科会第5回講演会 2018年11月4日応用物理学会先進パワー半導体分科会
9. 4H-SiC(0001)/SiO2界面の炭素ダングリングボンド欠陥（PbCセンター）梅田, 享英; 神成田亘平; 奥田貴史; 木本暢恒; 染谷満; 原田信介
第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
10. 電流検出型電子スピン共鳴による(000-1)4H-SiC/SiO2界面炭素ダングリングボンドの検出鹿児山陽平; 梅田, 享英; 染谷満; 原田信介; 畠山哲夫
第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
11. 電子スピン共鳴による(111)面Diamond/Al2O3界面欠陥の検出真栄力; 加藤宙光; 牧野俊晴; 山崎聡; 梅田, 享英
第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
12. Electron-spin-resonance characterization on interface carbon defects at 4H-SiC/SiO2 interfaces formed by ultrahightemperature oxidation Umeda, Takahide; Hosoi, T; Okuda, T; Kimoto, T; Sometani, M; Harada, S; Watanabe, H
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018 2018年9月2日
13. Electron paramagnetic resonance study on a Si-28 single crystal for the future realization of the kilogram Mizushima, Shigeki; Fujii, Kenichi; Umeda, Takahide
Conference on Precision Electromagnetic Measurements (CPEM) 2018年7月8日
14. 15NOポストアニール後の4H-SiC MOS界面の窒素ドーピングの ESR定量梅田, 享英; 染谷, 満; 原田, 信介
第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月17日
15. Observation of interface defects in free-standing epitaxial diamond substrate with Al2O3 atomic-layer deposition studied by electron spin resonance Shinei, C; Kato, H; Makino, T; Yamasaki, S; Umeda, Takahide
International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES (IWDTF) 2017年11月20日
16. Interface Carbon Defect at Si-face 4H-SiC/SiO2 Interfaces Detected by Electron Spin Resonance Kim, G.-W; Okuda, T; Kimoto, T; Umeda, Takahide
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017年9月17日
17. Oxidation-process dependence of single photon sources embedded in 4H-SiC MOSFETs Abe, Y; Okamoto, M; Onoda, S; Ohshima, T; Haruyama, M; Kada, W; Hashizume, O; Kosugi, R; Harada, S; Kagoyama, Y; Umeda, Takahide
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017年9月17日
18. 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御梅田, 享英; 阿部, 裕太; 岡本, 光央; 原田, 信介; 春山, 盛善; 加田, 渉; 花泉, 修; 小野田, 忍; 大島, 武
第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日
19. 4H-SiC MOSFET チャネル中の単一光子源に対する水素の影響阿部, 裕太; 岡本, 光央; 小野田, 忍; 大島, 武; 春山, 盛善; 加田, 渉; 花泉, 修; 原田, 信介; 鹿児山, 陽平; 梅田, 享英
第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日応用物理学会
20. 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源の偏光角度依存性阿部, 裕太; 岡本, 光央; 小野田, 忍; 大島, 武; 春山, 盛善; 加田, 渉; 花泉, 修; 小杉, 亮治; 原田, 信介; Umeda, Takahide
第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月14日