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梅田享英

Umeda, Takahide

数理物質系 , 准教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor

http://esrlab.bk.tsukuba.ac.jp/

http://www.kc.tsukuba.ac.jp/div-media/

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41. Quantitative identification for the physical origin of variable retention time: a vacancy-oxygen complex defect model K., Ohyu; T., Umeda; K., Okonogi; S., Tsukada (+3 著者) Mochizuki
Technical Digest International Electron Device Meeting (IEDM) 2006 2006: 389 (2006)
42. Single silicon vacancy-oxygen complex defect and variable retention time phenomenon in dynamic random access memories T. Umeda; K. Okonogi; K. Ohyu; S. Tsukada (+2 著者) Y. Mochizuki
APPLIED PHYSICS LETTERS 88: (2006) Semantic Scholar
43. Identification of the carbon antisite-vacancy pair in 4H-SiC T Umeda; NT Son; J Isoya; E Janzen (+4 著者) M Bockstedte
PHYSICAL REVIEW LETTERS 96: (2006) Semantic Scholar
44. Pulsed EPR studies of phosphorus shallow donors in diamond and SiC J Isoya; M Katagiri; T Umeda; S Koizumi (+4 著者) E Janzen
PHYSICA B-CONDENSED MATTER 376: 358 (2006) Semantic Scholar
45. Electron paramagnetic resonance and theoretical studies of shallow phosphorous centers in 3C-, 4H-, and 6H-SiC NT Son; A Henry; J Isoya; M Katagiri (+2 著者) E Janzen
PHYSICAL REVIEW B 73: (2006) Semantic Scholar
46. Divacancy in 4H-SiC NT Son; P Carlsson; J ul Hassan; E Janzen (+6 著者) H Itoh
PHYSICAL REVIEW LETTERS 96: (2006) Semantic Scholar
47. A web-based database system for EPR centers in semiconductors T.,Umeda; S.,Hagiwara; M.,Katagiri; N.,MizuochiJ.,Isoya
Physica B 376-377: 249-252 (2006)
48. Shallow phosphorous donors in 3C-, 4H-, and 6H-SiC , Proceedings of ICSCRM2005 (Sep. 17-23, 2005, Pittsburgh, USA) J.,Isoya; M.,Katagiri; T.,Umeda; N.T.,Son (+4 著者) H.,Itoh
Materials Science Forum 527-529: 593-596 (2006)
49. Spin multiplicity and charge state of a silicon vacancy (T-V2a) in 4H-SiC determined by pulsed ENDOR N Mizuochi; S Yamasaki; H Takizawa; N Morishita (+3 著者) J Isoya
PHYSICAL REVIEW B 72: (2005)
50. EPR and theoretical studies of negatively charged carbon vacancy in 4H-SiC T Umeda; Y Ishitsuka; J Isoya; NT Son (+4 著者) A Gali
PHYSICAL REVIEW B 71: (2005) Semantic Scholar
51. Improvement of Data Retention Time Property by Reducing Vacancy-Type Point Defect in DRAM Cell Transistor K., Okonogi; K., Ohyu; T., Umeda; H., MiyakeS., Fujieda
Proceedings International Reliability Physics Symposium 2006 2005: 695 (2005)
52. EPR and theoretical studies of positively charged carbon vacancy in 4H-SiC T Umeda; J Isoya; N Morishita; T Ohshima (+4 著者) E Janzen
PHYSICAL REVIEW B 70: (2004) Semantic Scholar
53. EPR identification of two types of carbon vacancies in 4H-SiC Umeda, T; Isoya, J; Morishita, N; Ohshima, TKamiya, T
PHYSICAL REVIEW B 69: (2004) Semantic Scholar
54. 28aXT-10 SiC中のドナー・アクセプターの位相緩和(格子欠陥・ナノ構造)(領域10) 磯谷, 順一; 野澤, 秀彰; 梅田, 享英; 大島, 武 (+1 著者) 神谷, 富裕
Meeting abstracts of the Physical Society of Japan 59: 962 (2004)
55. EPR and pulsed ENDOR study of EI6 and related defects in 4H-SiC T.,Umeda; Y.,Ishitsuka; J.,Isoya; N.,Morishita (+1 著者) T.,Kamiya
Materials Science Forum 457-460: 465 (2004)
56. Ellectrically detected magnetic resonance of ion-implantation damage centers in silicon large-scale integrated circuits T., Umeda; Y., Mochizuki; K., Okonogi; K., Hamada
Journal of Applied Physics 94: 7105-7111 (2003) Semantic Scholar
57. In situ ESR observation of interface dangling bond formation processes during amorphous SiO_2_ growth on Si W., Futako; T., Umeda; M; Nishizawa (+2 著者) S., Yamasaki
Journal of Non-crystalline Solids 299-302: 575 (2002) Semantic Scholar
58. Electron spin resonance observation of the Si(111)-(7×7) surface and its oxidation process T., Umeda; M; Nishizawa; T., Yasuda (+2 著者) K., Tanaka
Physical Review Letters 86: 1054-1057 (2001)
59. Charge-trapping defects cat-CVD silicon nitride films T., Umeda; Y., Mochizuki; Y., Miyoshi; Y., Nashimoto
Thin Solid Films 395: 266-269 (2001)
60. Defects related to DRAM leakage current studied by electrically detected magnetic resonance T., Umeda; Y., Mochizuki; K., Okonogi; K., Hamada
Physica B 308-310: 1169-1172 (2001)

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1. 半導体の酸化機構と酸化膜梅田, 享英
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2. SiC酸化膜界面のパッシベーション技術 Umeda,Takahide (担当:分担執筆, 範囲:電子スピン共鳴分光法から見たSiC-MOS界面欠陥と窒素・リンの関係)
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3. 応用物理 Umeda, Takahide (担当:分担執筆, 範囲:ESR/EDMRによる窒化したSiC-MOS界面の構造評価)
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4. EDMR分光法によるシリコンMOSFET内部の結晶欠陥観察：トランジスタの中で欠陥は何をしているのか？（ISBN:978-4-86348-235-7）梅田享英
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5. 第40回薄膜・表面物理基礎講座「ナノ材料研究者のための表面・界面の評価技術の基礎と動向」（ISBN:978-4-86348-207-4）梅田享英
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6. 半導体SiC技術と応用（第2版、松波弘之・大谷昇・木本恒暢・中村孝編著）梅田享英; 磯谷順一
日刊工業新聞社 2011年9月
7. 先端DRAMにおけるデータ保持時間の変動現象のメカニズム ―単一点欠陥が引き起こすデバイス劣化現象― 梅田享英
応用物理 Vol.76 2007年9月
8. Silicon Carbide and Related Materials 2006 Umeda, T; Morishita, N; Ohshima, T; Itoh, H; Isoya, J (担当:分担執筆, 範囲:Electron paramagnetic resonance study of carbon antisite-vacancy pair in p-type 4H-SiC)
TRANS TECH PUBLICATIONS LTD 2007年1月
9. アモルファスシリコン中の光励起下の局在電子梅田享英; 山崎聡; 磯谷順一; 田中一宜
固体物理 Vol.33 1998年1月

1. 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価比嘉栄斗; 染谷満; 原田信介; 梅田享英; 矢野, 裕司
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2. Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces Higa, Eito; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke; Yano, Hiroshi; Umeda, Takahide
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3. The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study Umeda, Takahide; Kobayashi, Takuma; Matsushita, Yu-ichro; Higa, Eito; Yano, Hiroshi; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke
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4. SiC酸化膜界面の基礎物性解明に向けて矢野, 裕司; 岡本大; 梅田享英; 櫻井岳暁; 蓮沼隆
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6. 電子スピン共鳴分光（ESR）と、電流検出ESR（EDMR）による半導体の微量欠陥・不純物分析梅田, 享英
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7. SiC-MOS界面欠陥の起源：電子スピン共鳴分光の最新の結果より梅田, 享英
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10. 電流検出型電子スピン共鳴による(000-1)4H-SiC/SiO2界面炭素ダングリングボンドの検出鹿児山陽平; 梅田, 享英; 染谷満; 原田信介; 畠山哲夫
第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
11. 電子スピン共鳴による(111)面Diamond/Al2O3界面欠陥の検出真栄力; 加藤宙光; 牧野俊晴; 山崎聡; 梅田, 享英
第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
12. Electron-spin-resonance characterization on interface carbon defects at 4H-SiC/SiO2 interfaces formed by ultrahightemperature oxidation Umeda, Takahide; Hosoi, T; Okuda, T; Kimoto, T; Sometani, M; Harada, S; Watanabe, H
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018 2018年9月2日
13. Electron paramagnetic resonance study on a Si-28 single crystal for the future realization of the kilogram Mizushima, Shigeki; Fujii, Kenichi; Umeda, Takahide
Conference on Precision Electromagnetic Measurements (CPEM) 2018年7月8日
14. 15NOポストアニール後の4H-SiC MOS界面の窒素ドーピングの ESR定量梅田, 享英; 染谷, 満; 原田, 信介
第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月17日
15. Observation of interface defects in free-standing epitaxial diamond substrate with Al2O3 atomic-layer deposition studied by electron spin resonance Shinei, C; Kato, H; Makino, T; Yamasaki, S; Umeda, Takahide
International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES (IWDTF) 2017年11月20日
16. Interface Carbon Defect at Si-face 4H-SiC/SiO2 Interfaces Detected by Electron Spin Resonance Kim, G.-W; Okuda, T; Kimoto, T; Umeda, Takahide
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17. Oxidation-process dependence of single photon sources embedded in 4H-SiC MOSFETs Abe, Y; Okamoto, M; Onoda, S; Ohshima, T; Haruyama, M; Kada, W; Hashizume, O; Kosugi, R; Harada, S; Kagoyama, Y; Umeda, Takahide
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18. 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御梅田, 享英; 阿部, 裕太; 岡本, 光央; 原田, 信介; 春山, 盛善; 加田, 渉; 花泉, 修; 小野田, 忍; 大島, 武
第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日
19. 4H-SiC MOSFET チャネル中の単一光子源に対する水素の影響阿部, 裕太; 岡本, 光央; 小野田, 忍; 大島, 武; 春山, 盛善; 加田, 渉; 花泉, 修; 原田, 信介; 鹿児山, 陽平; 梅田, 享英
第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日応用物理学会
20. 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源の偏光角度依存性阿部, 裕太; 岡本, 光央; 小野田, 忍; 大島, 武; 春山, 盛善; 加田, 渉; 花泉, 修; 小杉, 亮治; 原田, 信介; Umeda, Takahide
第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月14日