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梅田 享英
Umeda, Takahide
数理物質系 , 准教授 Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor
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61.
Electron spin resonance center of Dangling bonds in undoped a-Si:H
T., Umeda; S., Yamasaki; J., Isoya; K., Tanaka
Physical Review B 59: 4849-4857 (1999)
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62.
Existence of surface region with high dangling bond density during a-Si:H film growth
S., Yamasaki; T., Umeda; J., Isoya; K., Tanaka
Journal of Non-crystalline Solids 227-230: 83-87 (1998) Semantic Scholar
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63.
Microscopic nature of localized states in a-Si:H and their role in metastability
S., Yamasaki; T., Umeda; J., Isoya; J.H., ZhouK., Tanaka
Journal of Non-crystalline Solids 227-230: 332-337 (1998) Semantic Scholar
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64.
Energy location of light-induced ESR centers in undoped a-Si:H
T., Umeda; S., Yamasaki; A., Matsuda; J., IsoyaK., Tanaka
Journal of Non-crystalline Solids 227-230: 353-357 (1998) Semantic Scholar
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65.
Control of crystallinity of microcrystalline silicon film grown on insulating glass substrates
J.-H., Zhou; K., Ikuda; T., Yasuda; T., Umeda (+1 著者) K., Tanaka
Journal of Non-crystalline Solids 227-230: 857-860 (1998)
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66.
Insitu electron-spin- resonance measurements of film growth of hydrogenated amorphous silicon
S., Yamasaki; T., Umeda; J., Isoya; K., Tanaka
Applied Physics Letters 70: 1137-1139 (1997)
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67.
Electronic structure of band-tail electrons in a-Si:H
T., Umeda; S., Yamasaki; A., Matsuda; J., IsoyaK., Tanaka
Physical Review Letters 77: 4600-4603 (1996)
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68.
Spatial distribution of phosphorus atoms surrounding spin centers of P-doped hydrogenated amorphous silicon elucidated by pulsed ESR
S., Yamasaki; J.-K., Lee; T., Umeda; J., IsoyaK., Tanaka
Journal of Non-crystalline Solids 198-200: 330-333 (1996)
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69.
Polymorphism of carbon forms: Polyhedral morphology and electronic structures
M., Fujita; T., Umeda; M., Yoshida
Physical Review B 51: 13778-13780 (1995)
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1.
SiC酸化膜界面のパッシベーション技術
Umeda,Takahide
(担当:分担執筆, 範囲:電子スピン共鳴分光法から見たSiC-MOS界面欠陥と窒素・リンの関係)
応用物理学会先進パワー半導体分科会 2016年8月 (ISBN: 9784863485846)
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2.
応用物理
Umeda, Takahide
(担当:分担執筆, 範囲:ESR/EDMRによる窒化したSiC-MOS界面の構造評価)
応用物理学会 2016年7月
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3.
EDMR分光法によるシリコンMOSFET内部の結晶欠陥観察:トランジスタの中で欠陥は何をしているのか?(ISBN:978-4-86348-235-7)
梅田享英
応用物理学会分科会 シリコンテクノロジーNo.146 2012年3月
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4.
第40回 薄膜・表面物理基礎講座「ナノ材料研究者のための表面・界面の評価技術の基礎と動向」(ISBN:978-4-86348-207-4)
梅田享英
応用物理学会薄膜・表面物理分科会 2011年11月
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5.
半導体SiC技術と応用(第2版、松波弘之・大谷昇・木本恒暢・中村孝編著)
梅田享英; 磯谷順一
日刊工業新聞社 2011年9月
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6.
先端DRAMにおけるデータ保持時間の変動現象のメカニズム ―単一点欠陥が引き起こすデバイス劣化現象―
梅田享英
応用物理 Vol.76 2007年9月
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7.
Silicon Carbide and Related Materials 2006
Umeda, T; Morishita, N; Ohshima, T; Itoh, H; Isoya, J
(担当:分担執筆, 範囲:Electron paramagnetic resonance study of carbon antisite-vacancy pair in p-type 4H-SiC)
TRANS TECH PUBLICATIONS LTD 2007年1月
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8.
アモルファスシリコン中の光励起下の局在電子
梅田享英; 山崎聡; 磯谷順一; 田中一宜
固体物理 Vol.33 1998年1月
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1.
4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価
比嘉栄斗; 染谷満; 原田信介; 梅田享英; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会 2019年12月3日
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2.
Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces
Higa, Eito; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke; Yano, Hiroshi; Umeda, Takahide
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
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3.
The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study
Umeda, Takahide; Kobayashi, Takuma; Matsushita, Yu-ichro; Higa, Eito; Yano, Hiroshi; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
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4.
SiC酸化膜界面の基礎物性解明に向けて
矢野, 裕司; 岡本大; 梅田享英; 櫻井岳暁; 蓮沼隆
SIP「次世代パワーエレクトロニクス」公開シンポジウム 2019年3月28日
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5.
4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御(II)
阿部裕太; 梅田, 享英; 岡本光央; 原田信介; 佐藤真一郎; 山﨑雄一; 大島武
第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月9日 応用物理学会
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6.
電子スピン共鳴分光(ESR)と、電流検出ESR(EDMR)による 半導体の微量欠陥・不純物分析
梅田, 享英
日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会 第162回研究会 2019年1月31日 日本学術振興会第145委員会 招待有り
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7.
SiC-MOS界面欠陥の起源:電子スピン共鳴分光の最新の結果より
梅田, 享英
先進パワー半導体分科会第5回講演会 2018年11月4日 応用物理学会先進パワー半導体分科会 招待有り
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8.
a面およびm面4H-SiC MOSFETにおける単一光子源(SPS)の探索
阿部裕太; 梅田, 享英; 岡本光央; 原田信介; 佐藤真一郎; 山﨑雄一; 大島武
先進パワー半導体分科会第5回講演会 2018年11月4日 応用物理学会先進パワー半導体分科会
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9.
4H-SiC(0001)/SiO2界面の炭素ダングリングボンド欠陥(PbCセンター)
梅田, 享英; 神成田亘平; 奥田貴史; 木本暢恒; 染谷満; 原田信介
第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
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10.
電流検出型電子スピン共鳴による(000-1)4H-SiC/SiO2界面炭素ダングリングボンドの検出
鹿児山陽平; 梅田, 享英; 染谷満; 原田信介; 畠山哲夫
第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
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11.
電子スピン共鳴による(111)面Diamond/Al2O3界面欠陥の検出
真栄力; 加藤宙光; 牧野俊晴; 山崎聡; 梅田, 享英
第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
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12.
Electron-spin-resonance characterization on interface carbon defects at 4H-SiC/SiO2 interfaces formed by ultrahightemperature oxidation
Umeda, Takahide; Hosoi, T; Okuda, T; Kimoto, T; Sometani, M; Harada, S; Watanabe, H
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018 2018年9月2日
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13.
Electron paramagnetic resonance study on a Si-28 single crystal for the future realization of the kilogram
Mizushima, Shigeki; Fujii, Kenichi; Umeda, Takahide
Conference on Precision Electromagnetic Measurements (CPEM) 2018年7月8日
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14.
15NOポストアニール後の4H-SiC MOS界面の窒素ドーピングの ESR定量
梅田, 享英; 染谷, 満; 原田, 信介
第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月17日
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15.
Observation of interface defects in free-standing epitaxial diamond substrate with Al2O3 atomic-layer deposition studied by electron spin resonance
Shinei, C; Kato, H; Makino, T; Yamasaki, S; Umeda, Takahide
International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES (IWDTF) 2017年11月20日
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16.
Interface Carbon Defect at Si-face 4H-SiC/SiO2 Interfaces Detected by Electron Spin Resonance
Kim, G.-W; Okuda, T; Kimoto, T; Umeda, Takahide
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017年9月17日
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17.
Oxidation-process dependence of single photon sources embedded in 4H-SiC MOSFETs
Abe, Y; Okamoto, M; Onoda, S; Ohshima, T; Haruyama, M; Kada, W; Hashizume, O; Kosugi, R; Harada, S; Kagoyama, Y; Umeda, Takahide
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017年9月17日
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18.
4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御
梅田, 享英; 阿部, 裕太; 岡本, 光央; 原田, 信介; 春山, 盛善; 加田, 渉; 花泉, 修; 小野田, 忍; 大島, 武
第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日
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19.
4H-SiC MOSFET チャネル中の単一光子源に対する水素の影響
阿部, 裕太; 岡本, 光央; 小野田, 忍; 大島, 武; 春山, 盛善; 加田, 渉; 花泉, 修; 原田, 信介; 鹿児山, 陽平; 梅田, 享英
第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日 応用物理学会
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20.
4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源の偏光角度依存性
阿部, 裕太; 岡本, 光央; 小野田, 忍; 大島, 武; 春山, 盛善; 加田, 渉; 花泉, 修; 小杉, 亮治; 原田, 信介; Umeda, Takahide
第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月14日
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