ホーム > 梅田 享英/ Umeda, Takahide

梅田 享英

Umeda, Takahide

数理物質系 , 准教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor

http://esrlab.bk.tsukuba.ac.jp/

http://www.kc.tsukuba.ac.jp/div-media/

関連記事はまだありません。

オープンアクセス版の論文は「つくばリポジトリ」で読むことができます。
  1. 1. 時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用 横山, 義希; 堀内, 颯介; 福永, 博生; 島袋, 聞多 (+4 著者) 梅田, 享英
      第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 11-154 (2025)
  2. 2. Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光 堀内, 颯介; 福永, 博生; 島袋, 聞多; 矢野, 裕司 (+3 著者) 梅田, 享英
      第85回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集 12-191 (2024)
  3. 3. Spin-dependent-charge-pumping spectroscopy on p-channel 4H-SiC MOSFETs Horiuchi, Sosuke; Fukunaga, Hiroki; Shimabukuro, Bunta; YANO, Hiroshi (+3 著者) Umeda, Takahide
      Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 307 (2024)
  4. 4. Differences between Polar-Face and Non-Polar Face 4H-SiC /SiO2 Interfaces Revealed by Magnetic Resonance Spectroscopy Kondo, R.; Zeng, H.; Sometani, M.; Hirai, H. (+1 著者) UMEDA, Takahide
      Defect and Diffusion Forum 434: 99 (2024)
  5. 5. 電柱検出ESRによるSiC中の欠陥検出のための＋αの研究技術 梅田, 享英
      OYO BUTURI 93: 120 (2024)
  6. 6. How does hydrogen transform into shallow donors in silicon? Kiyoi, Akira; 梅田, 享英
      PHYSICAL REVIEW B 108: 235201 (2023) Semantic Scholar
  7. 7. Energy levels of carbon dangling-bond center (PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface Sometani, Mitsuru; Nishiya, Yusuke; Kondo, Ren; Inohana, Rei (+4 著者) Umeda, Takahide
      APL MATERIALS 11: (2023) Semantic Scholar
  8. 8. Negatively charged boron vacancy center in diamond Umeda, T; Watanabe, K; Hara, H; Sumiya, H (+6 著者) Isoya, J
      PHYSICAL REVIEW B 105: (2022) Semantic Scholar
  9. 9. Electron paramagnetic resonance study of silicon-28 single crystal for realization of the kilogram Mizushima, Shigeki; Umeda, Takahide
      METROLOGIA 59: (2022) Semantic Scholar
  10. 10. Electrical detection of T-V2a-type silicon vacancy spin defect in 4H-SiC MOSFETs Abe, Yuta; Chaen, Akihumi; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke (+2 著者) Umeda, Takahide
      APPLIED PHYSICS LETTERS 120: (2022) Semantic Scholar
  11. 11. Determination of Defect Concentrations in Si-28 Crystals Using EPR for the Realization of the Kilogram Mizushima, Shigeki; Kuramoto, Naoki; Umeda, Takahide
      IEEE TRANSACTIONS ON INSTRUMENTATION AND MEASUREMENT 70: 1005706 (2021) Semantic Scholar
  12. 12. Electron-spin-resonance and electrically detected-magnetic-resonance characterization on PbC center in various 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces T. Umeda; Y. Nakano; E. Higa; T. Okuda (+4 著者) S. Harada
      Journal of Applied Physics 127: 145301 (2020) Semantic Scholar
  13. 13. Electrically detected magnetic resonance study on interface defects at nitrided Si-face, a-face, and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces Higa, Eito; Sometani, Mitsuru; Hirai, Hirohisa; Yano, Hiroshii (+1 著者) Umeda, Takahide
      Applied Physics Letters 116: 171602-1 (2020) Semantic Scholar
  14. 14. Nearly degenerate ground state of phosphorus donor in diamond Umeda,Takahide
      PHYSICAL REVIEW MATERIALS 4: 024603 (2020) Semantic Scholar
  15. 15. Carbon dangling-bond center (carbon Pb center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface Umeda, T; Kobayashi, T; Sometani, M; Yano, Hiroshi (+1 著者) Harada, S
      Appl. Phys. Lett. 116: 071604-1 (2020) Semantic Scholar
  16. 16. 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価 比嘉栄斗; 染谷満; 原田信介; 梅田享英矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第6回講演会 67 (2019)
  17. 17. Electrically detected-magnetic-resonance identifications of defects at 4H-SiC(000-1)/ SiO2 interfaces with wet oxidation Umeda, Takahide; Kagoyama, Y; Tomita, K; Abe, Y (+3 著者) Hatakeyama, T
      Applied Physics Letters 115: 151602 (2019) Semantic Scholar
  18. 18. The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study Umeda, Takahide; Kobayashi, Takuma; Matsushita, Yu-ichro; Higa, Eito (+2 著者) Harada, Shinsuke
      Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) We-1A-02 (2019)
  19. 19. Formation of nitrogen-vacancy centers in 4H-SiC and their near infrared photoluminescence properties Shin Ichiro Sato; Takuma Narahara; Yuta Abe; Yasuto Hijikata (+1 著者) Takeshi Ohshima
      Journal of Applied Physics 126: (2019) Semantic Scholar
  20. 20. Electron Paramagnetic Resonance Study on 28Si Single Crystal for the Future Realization of the Kilogram Mizushima, Shigeki; Kuramoto, Naoki; Fujii, Kenichi; Umeda, Takahide
      IEEE TRANSACTIONS ON INSTRUMENTATION AND MEASUREMENT 68: 1879 (2019) Semantic Scholar
1 2 3 4
  1. 1. SiC酸化膜界面のパッシベーション技術 Umeda,Takahide (担当:分担執筆, 範囲:電子スピン共鳴分光法から見たSiC-MOS界面欠陥と窒素・リンの関係)
    応用物理学会先進パワー半導体分科会 2016年8月 (ISBN: 9784863485846)
  2. 2. 応用物理 Umeda, Takahide (担当:分担執筆, 範囲:ESR/EDMRによる窒化したSiC-MOS界面の構造評価)
    応用物理学会 2016年7月
  3. 3. EDMR分光法によるシリコンMOSFET内部の結晶欠陥観察：トランジスタの中で欠陥は何をしているのか？（ISBN:978-4-86348-235-7） 梅田享英
    応用物理学会分科会 シリコンテクノロジーNo.146 2012年3月
  4. 4. 第40回 薄膜・表面物理基礎講座「ナノ材料研究者のための表面・界面の評価技術の基礎と動向」（ISBN:978-4-86348-207-4） 梅田享英
    応用物理学会薄膜・表面物理分科会 2011年11月
  5. 5. 半導体SiC技術と応用（第2版、松波弘之・大谷昇・木本恒暢・中村孝編著） 梅田享英; 磯谷順一
    日刊工業新聞社 2011年9月
  6. 6. 先端DRAMにおけるデータ保持時間の変動現象のメカニズム ―単一点欠陥が引き起こすデバイス劣化現象― 梅田享英
    応用物理 Vol.76 2007年9月
  7. 7. Silicon Carbide and Related Materials 2006 Umeda, T; Morishita, N; Ohshima, T; Itoh, H; Isoya, J (担当:分担執筆, 範囲:Electron paramagnetic resonance study of carbon antisite-vacancy pair in p-type 4H-SiC)
    TRANS TECH PUBLICATIONS LTD 2007年1月
  8. 8. アモルファスシリコン中の光励起下の局在電子 梅田享英; 山崎聡; 磯谷順一; 田中一宜
    固体物理 Vol.33 1998年1月

 1,015 total views