先進半導体リサーチユニットの構成者（上殿 明良 教授、重田 育照 教授、蓮沼 隆 准教授）による論文2篇がInternational Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM) 2022のBest Paperに採択されました。ISSMは半導体生産技術におけるメジャーな国際会議であり、この会議で、当該リサーチユニットの2件の研究がBest Paperに採択されたことにより、本学における半導体研究のポテンシャルを国内外に示すことができました。
採択された論文は以下のとおり
Uedono, N. Takahashi, R. Hasunuma, Y. Harashima, Y. Shigeta, Z. Ni, H. Matsui, A. Notake, A. Kubo, T. Moriya, K. Michishio, N. Oshima, and S. Ishibashi, “Impact of cation vacancies on leakage current on TiN/ZrO2/TiN capacitors studied by positron annihilation”
Y. Harashima, H. Koga, Z. Ni, T. Yonehara, M. Katouda, A. Notake, H. Matsui, T. Moriya, M. K. Si, R. Hasunuma, A. Uedono, Y. Shigeta, “Systematic search for stabilizing dopants in ZrO2 and HfO2 using first-principles calculations”