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岩室 憲幸

Iwamuro, Noriyuki

数理物質系 , 教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Professor

http://power.bk.tsukuba.ac.jp/

日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞

2020-12-10

岩室 憲幸
オープンアクセス版の論文は「つくばリポジトリ」で読むことができます。
  1. 1. 電気ー熱ー応力連成シミュレーション技術を用いたSiC MOSFET負荷短絡破壊メカニズム解析法 Yao, Kairun; 岩室, 憲幸
      IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 144: 204 (2024) Semantic Scholar
  2. 2. 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 34 (2024)
  3. 3. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析 菊池真矢; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 32 (2024)
  4. 4. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート－ドレイン間寄生容量特性解析 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 37 (2024)
  5. 5. ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 105 (2023)
  6. 6. 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 101 (2023)
  7. 7. SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果 松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 103 (2023)
  8. 8. Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress Enjoji, Yuya; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi
      Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) Mo.C.11 (2023)
  9. 9. Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique Akiba, Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi
      Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) C.1 (2023)
  10. 10. Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
      Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs 250 (2023)
  11. 11. An investigation of avalanche ruggedness and failure mechanisms of 4H SiC trench MOSFETs in unclamped inductive switching by varying load inductances over a wide range Tsuji, Takashi; Iwamuro, Noriyuki
      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: (2023) Semantic Scholar
  12. 12. Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs 柏佳介; 髙橋光希; 北村雄大; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki
      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC2073-1 (2023) Semantic Scholar
  13. 13. モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 91 (2022)
  14. 14. Study on enhancing of the surge current capabilities of embedded SBDs in SWITCH-MOSs and body-PiN-diodes in SiC trench MOSFETs 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志 (+3 著者) Iwamuro, Noriyuki
      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC1007-1 (2022) Semantic Scholar
  15. 15. バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 75 (2022)
  16. 16. Significant Improvement of Switching Characteristics in a 1.2-kV SiC SWITCH-MOS by the Application of Kelvin Source Connection 松井ケビン; 俵 武志; 原田, 信介; 田中聡 (+2 著者) Iwamuro, Noriyuki
      IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING 18: 278 (2022) Semantic Scholar
  17. 17. AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      第83回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集 12-122 (2022)
  18. 18. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki
      Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 701 (2022)
  19. 19. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
      Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 703 (2022)
  20. 20. 電気熱連成解析によるモータ駆動時の SiC MOSFET の温度推定 松岡亨卓; 磯部, 高範; 加藤史樹; 先崎純寿 (+1 著者) 岩室憲幸
      2022年電気学会産業応用部門大会 (2022)
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  1. 1. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
  2. 2. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
  3. 3. Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
  4. 4. Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis Kashiwa, Keisuke; Yao, Kailun; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸; Harada, Shinsuke
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
  5. 5. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad 凱倫, 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
  6. 6. 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析 森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
    第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日 応用物理学会
  7. 7. Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement Cui, Xiaoran; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi
    第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
  8. 8. TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析 髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
    令和4年電気学会全国大会 2022年3月21日 電気学会
  9. 9. 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析 森海斗; 亀和田亮; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
  10. 10. モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討 西城智哉; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
  11. 11. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価 坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田, 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会 招待有り
  12. 12. パワーデバイスの最新動向 岩室, 憲幸
    Advanced Metallization Conference 2021, Asia Session (ADMETA plus 2021), 30回記念講演 2021年10月13日 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 招待有り
  13. 13. Siパワー半導体の最新技術ど技術課題 岩室, 憲幸
    公）精密工学会 プラナリゼーション CMP とその応用技術専門委員会,第193回研究会 2021年10月8日 公）精密工学会 招待有り
  14. 14. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis 姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 IEEE, IEEJ
  15. 15. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
  16. 16. Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs 戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
  17. 17. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
  18. 18. 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
  19. 19. 4H-SiC ショットキー PN ダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
  20. 20. 4H-SiC ショットキーpn ダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
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