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都甲薫

Toko, Kaoru

数理物質系 , 教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Professor

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161. In-situ heavily p-type doping of over 10(20) cm(-3) in semiconducting BaSi2 thin films for solar cells applications M.A.Khan; K.O.Hara; W.Du; M.Baba (+4 著者) T.Suemasu
APPLIED PHYSICS LETTERS 102: 112107 (2013) Semantic Scholar
162. Effect of Ge/Al thickness on Al-induced crystallization of amorphous Ge layers on glass substrates K. Nakazawa; K. Toko; N. Saitoh; N. Yoshizawa (+1 著者) T. Suemasu
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 12 10: 1781 (2013) Semantic Scholar
163. Large-grained polycrystalline (111) Ge films on insulators by thickness-controlled al-induced crystallization K. Nakazawa; K. Toko; N. Saitoh; N. Yoshizawa (+1 著者) T. Suemasua
ECS Journal of Solid State Science and Technology 2: Q195 (2013) Semantic Scholar
164. Enhanced p-type conductivity and band gap narrowing in heavily B-doped p-BaSi2 films grown by molecular beam epitaxy Khan M.A; Hara K.O; Du W; Baba M (+4 著者) Suemasu T
Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference 1357 (2013) Semantic Scholar
165. Low-temperature crystallization of amorphous silicon and amorphous germanium by soft X-ray irradiation Heya Akira; Kanda Kazuhiro; Toko Kaoru; Sadoh Taizoh (+4 著者) Mochizuki Takayasu
Thin Solid Films 534: 334 (2013) Semantic Scholar
166. Improvement of Excess-Carrier Lifetime in BaSi2 Epitaxial Films by Post-Growth Annealing Kosuke O. Hara; Noritaka Usami; Kotaro Nakamura; Ryouta Takabe (+2 著者) Takashi Suemasu
2013 IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC) 550 (2013)
167. Atomically-coherent-coalescence of two growth-fronts in Ge stripes on insulator by rapid-melting lateral-crystallization M. Kurosawa; K. Toko; T. Sadoh; I. MizushimaM. Miyao
ECS Journal of Solid State Science and Technology Vol. 2, Issue 3, pp. (2012) Semantic Scholar
168. Dependence of crystal orientation in Al-induced crystallized poly-Si layers on SiO2 insertion layer thickness Atsushi Okada; Kaoru Toko; Kosuke O. Hara; Noritaka UsamiTakashi Suemasu
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 356: 65 (2012) Semantic Scholar
169. Realization of Large-Domain Barium Disilicide Epitaxial Thin Film by Introduction of Miscut to Si(111) Substrate K. O. Hara; N. Usami; K. Toh; K. TokoT. Suemasu
Japanese Journal of Applied Physics 51: (2012) Semantic Scholar
170. Electrical characterization and conduction mechanism of impurity-doped BaSi2 films grown on Si(111) by molecular beam epitaxy M; Ajmal Khan; T., Saito; K., Nakamura (+6 著者) 末益, 崇
Thin Solid Films 522: 95 (2012)
171. (Invited) Hybrid-Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si Platform by SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting Growth --- A Road to Artificial Crystal --- M. Miyao; M. Kurosawa; K. Toko; Y. TojoT. Sadoh
ECS Transactions Vol. 50, Issue 5, pp (2012) Semantic Scholar
172. Molecular beam epitaxy of CoxFe4−xN (0.4 Sanai Tatsunori; Ito Keita; Toko Kaoru; Suemasu Takashi
Journal of crystal growth 357: 53 (2012) Semantic Scholar
173. Epitaxy of Orthorhombic BaSi2 with Preferential In-Plane Crystal Orientation on Si(001): Effects of Vicinal Substrate and Annealing Temperature K. Toh; K. O. Hara; N. Usami; N. Saito (+2 著者) T. Suemasu
Japanese Journal of Applied Physics 51: (2012) Semantic Scholar
174. Molecular Beam Epitaxy of BaSi2 Films with Grain Size over 4 mu m on Si(111) M. Baba; K. Nakamura; W. J. Du; M. A. Khan (+5 著者) T. Suemasu
Japanese Journal of Applied Physics 51: (2012) Semantic Scholar
175. Highly (111)-oriented Ge thin films on insulators formed by Al-induced crystallization K. Toko; M. Kurosawa; N. Saitoh; N. Yoshizawa (+2 著者) T. Suemasu
APPLIED PHYSICS LETTERS 101: (2012) Semantic Scholar
176. Investigation of grain boundaries in BaSi2 epitaxial films on Si(111) substrates using transmission electron microscopy and electron-beam-induced current technique M. Baba; K. Toh; K. Toko; N. Saito (+5 著者) T. Suemasu
Journal of Crystal Growth 348: 75-79 (2012) Semantic Scholar
177. Negative Anisotropic Magnetoresistance in gamma '-Fe4N Epitaxial Films on SrTiO3(001) Grown by Molecular Beam Epitaxy Ito,Keita; Kabara,Kazuki; Takahashi,Hirokazu; Sanai,Tatsunori (+2 著者) Tsunoda,Masakiyo
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51: (2012) Semantic Scholar
178. Molecular beam epitaxy of BaSi2 thin films on Si(001) substrates K. Toh; K. O. Hara; N. Usami; N. Saito (+2 著者) T. Suemasu
Journal of Crystal Growth 345: 16-21 (2012) Semantic Scholar
179. Effect of Solid-Phase-Epitaxy Si Layers on Suppression of Sb Diffusion from Sb-Doped n(+)-BaSi2/p(+)-Si Tunnel Junction to Undoped BaSi2 Overlayers W. J. Du; T. Saito; M. A. Khan; K. Toko (+1 著者) T. Suemasu
Japanese Journal of Applied Physics 51: (2012) Semantic Scholar
180. Control of crystal orientation in Al-induced crystallized poly Si layers by SiO2 intermedite layer A., Okada; K., Toko; K.O., Hara; N., Usami (+2 著者) 末益, 崇
Journal of Crystal Growth 356: 65 (2012)

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1. ベイズ最適化の活用事例―材料探索／物性予測／配合・プロセス条件の最適化― 都甲, 薫; 石山隆光
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2. 車載テクノロジー 2023年2月号都甲, 薫
技術情報協会 2023年2月
3. 次世代自動車の熱マネジメント―車室内の温熱快適性・廃熱利用技術― 都甲, 薫 (担当:分担執筆, 範囲:第9章第4節劣化しない安心・安全なフレキシブル熱電変換薄膜)
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4. リチウムイオン二次電池用炭素系負極材の開発動向都甲, 薫 (担当:分担執筆, 範囲:第12章全固体二次電池負極に向けた多層グラフェンの新規合成技術)
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5. 次世代の太陽電池・太陽光発電ーその発電効率向上、用途と市場の可能性ー都甲, 薫 (担当:分担執筆, 範囲:第3章第5節 Geの太陽電池応用と薄膜化への期待)
技術情報協会 2018年4月 (ISBN: 9784861047077)
6. 化学工業日報都甲,薫
2015年3月
7. セラミックス都甲,薫 (担当:分担執筆, 範囲:金属触媒でゲルマニウム薄膜を結晶化)
2014年9月
8. 日刊工業新聞都甲,薫
2014年7月
9. 化学工業日報都甲,薫
2013年6月

1. Layer-exchange synthesis of multilayer graphene for flexible battery anodes 都甲, 薫
The Fullerenes, Nanotubes and Graphene Conference (FNTG 61th) 2021年9月招待有り
2. 層交換現象を利用した多層グラフェンの低温合成都甲, 薫
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3. IV族材料薄膜の金属誘起固相成長都甲, 薫
応用物理学会 2021年9月招待有り
4. 半導体薄膜の低温合成とエネルギーデバイス応用都甲, 薫
JACIエネルギー分科会研究会 2021年9月招待有り
5. IV族半導体を用いたフレキシブル熱電素子都甲, 薫
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6. Low-temperature solid-phase crystallization of group IV material thin films 都甲, 薫
AM-FPD21 2021年7月招待有り
7. プラスチック上多層グラフェンの創製と革新二次電池への応用都甲, 薫
ATI研究会 2021年5月招待有り
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電子情報通信学会，シリコン材料・デバイス研究会 2021年4月招待有り
9. Group IV semiconductor thin films on insulators: polycrystallization and device applications 都甲, 薫
The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology 2021年3月招待有り
10. Polycrystalline Ge-based thin films with high carrier mobility 都甲, 薫
The Electrochemical Society Meeting PRiME 2020 2020年10月招待有り
11. 多結晶Ge系薄膜のトランジスタ応用都甲, 薫
電子情報通信学会，シリコン材料・デバイス研究会 2020年4月招待有り
12. Potential of group IV semiconductors for flexible thermoelectric devices 都甲, 薫
Material Research Meeting 2019年12月招待有り
13. Low-temperature synthesis of GaAs films on insulators for wearable solar cells 都甲, 薫
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14. Multilayer graphene: Layer-exchange synthesis of multilayer graphene for flexible carbon electronics 都甲, 薫
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15. Low-temperature synthesis of group IV semiconductors on insulators 都甲, 薫
MRS Spring Meeting 2019年4月25日招待有り
16. IV族半導体薄膜の固相成長：多結晶でも高移動度都甲, 薫
第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月10日招待有り
17. Guidelines for metal selection to induce layer exchange growth of multilayer graphene 都甲, 薫
2018 European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting 2018年9月18日招待有り
18. 無機材料の低温合成技術をベースとしたフレキシブル熱電変換薄膜都甲, 薫
第二回フォノンエンジニアリング研究会 2018年7月13日招待有り
19. 層交換によるIV族材料の薄膜合成都甲, 薫
Photon Factory研究会 2018年7月3日招待有り
20. 絶縁体上における高機能IV族材料の薄膜合成技術都甲, 薫
山梨大学サイエンスカフェ講演会 2018年2月招待有り