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矢野 裕司

Yano, Hiroshi

数理物質系 , 教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Professor

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  1. 1. SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性 子安, 葵; 新郷, 諒介; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 11-146 (2025)
  2. 2. 時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用 横山, 義希; 堀内, 颯介; 福永, 博生; 島袋, 聞多 (+4 著者) 梅田, 享英
      第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 11-154 (2025)
  3. 3. 低直流電圧印加 時 における SiC MOSFET 負荷短絡破壊メカニズムの解析 鹿志村快音; 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 11-147 (2025)
  4. 4. SiC SBD高温・高湿バイアス試験後の 周辺耐圧領域解析 阿部洸太; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      令和7年電気学会全国大会 講演論文集 4: 143 (2025)
  5. 5. A study on turn-off, and on-resistance and short-circuit capability trade-off characteristics in 1.2 kV SiC MOSFETs Suzuki, Kazuhiro; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki
      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63: (2024)
  6. 6. Unique short-circuit failure mechanisms in 1.2-kV SiC planar MOSFETs 鈴木一広; 鹿志村快音; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      Applied Physics Express 17: 124002-1 (2024)
  7. 7. 4H-SiC 横型 p-ch SJ-MOSFETの高温状態における性能改善 吉田, 開; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第11回講演会 予稿集 89 (2024)
  8. 8. SiC MOSFETへのゲートACストレス印加時の発光としきい値電圧変動の関係 新郷, 諒介; 円城寺, 佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第11回講演会 予稿集 81 (2024)
  9. 9. 電子線照射がSiCパワーMOSFETのチャネル特性に与える影響 松木, 康太郎; 市川, 義人; 小野澤, 勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第11回講演会 予稿集 93 (2024)
  10. 10. パワーデバイスと信頼性の基礎 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 2024年度チュートリアル 6: 57 (2024)
  11. 11. Relationship between luminescence and threshold voltage shift in SiC MOSFETs under gate AC stress Shingo, Ryosuke; Enjoji, Yuya; Iwamuro, Noriyuki; YANO, Hiroshi
      Proceedings of The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS 2024) MC2-3 (2024)
  12. 12. 電子線照射がSiCおよびSi MOSFETのチャネル特性に及ぼす影響 松木, 康太郎; 市川, 義人; 小野澤, 勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司
      第85回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集 12-256 (2024)
  13. 13. SiC MOSFETへのゲートACストレス印加による発光としきい値電圧変動 新郷, 諒介; 円城寺, 佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      第85回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集 12-266 (2024)
  14. 14. Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光 堀内, 颯介; 福永, 博生; 島袋, 聞多; 矢野, 裕司 (+3 著者) 梅田, 享英
      第85回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集 12-191 (2024)
  15. 15. Impact of electron irradiation on SiC power MOSFET performance Matsuki, Kotaro; Ichikawa, Yoshihito; Onozawa, Yuichi; Iwamuro, NoriyukiYANO, Hiroshi
      Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 563 (2024)
  16. 16. Spin-dependent-charge-pumping spectroscopy on p-channel 4H-SiC MOSFETs Horiuchi, Sosuke; Fukunaga, Hiroki; Shimabukuro, Bunta; YANO, Hiroshi (+3 著者) Umeda, Takahide
      Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 307 (2024)
  17. 17. Three-Level Charge Pumping Technique for SiC-MOS Interface Characterization YANO, Hiroshi
      Abstracts of 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 507 (2024)
  18. 18. A Study of Electrical Characteristics of State-of-the-Art 1.2-kV SiC Planar and Trench MOSFETs 鈴木一広; 矢野裕司; IWAMURO, Noriyuki
      Abstracts of 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials 221 (2024)
  19. 19. チャージポンピング法によるMOS界面欠陥評価のための＋αの研究技術 矢野, 裕司
      Oyo Buturi 93: 179 (2024)
  20. 20. 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 34 (2024)
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  1. 1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 矢野, 裕司
    シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
  2. 2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET)
    Angel Business Communications publication 2017年6月
  1. 1. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
  2. 2. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
  3. 3. Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
  4. 4. Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis Kashiwa, Keisuke; Yao, Kailun; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸; Harada, Shinsuke
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
  5. 5. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad 凱倫, 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
  6. 6. 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析 森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
    第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日 応用物理学会
  7. 7. Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement Cui, Xiaoran; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi
    第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
  8. 8. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討 秋葉淳宏; 矢野, 裕司
    第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
  9. 9. TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析 髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
    令和4年電気学会全国大会 2022年3月21日 電気学会
  10. 10. 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析 森海斗; 亀和田亮; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
  11. 11. モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討 西城智哉; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
  12. 12. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価 坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田, 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会 招待有り
  13. 13. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
  14. 14. Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs 戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
  15. 15. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis 姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 IEEE, IEEJ
  16. 16. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
  17. 17. 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
  18. 18. 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析 松谷, 優汰; 矢野, 裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
  19. 19. 4H-SiC ショットキー PN ダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
  20. 20. 4H-SiC ショットキーpn ダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
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