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矢野 裕司

Yano, Hiroshi

数理物質系 , 准教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor

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  1. 1. チャージポンピング法によるMOS界面欠陥評価のための＋αの研究技術 矢野, 裕司
      Oyo Buturi 93: 179 - 183 (2024)
  2. 2. 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 34 - 35 (2024)
  3. 3. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析 菊池真矢; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 32 - 33 (2024)
  4. 4. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート－ドレイン間寄生容量特性解析 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 37 - 38 (2024)
  5. 5. 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 101 - 102 (2023)
  6. 6. SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果 松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 103 - 104 (2023)
  7. 7. ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 105 - 106 (2023)
  8. 8. Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique Akiba, Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi
      Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) C.1 (2023)
  9. 9. Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress Enjoji, Yuya; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi
      Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) Mo.C.11 (2023)
  10. 10. The effect of biaxial strain on the phonon-limited mobility in 4H-SiC MOSFETs Fu, Wei; Yano, Hiroshi; Sakurai, Takeaki; Ueda, Akiko
      APPLIED PHYSICS EXPRESS 16: 081002-1 - 081002-6 (2023) Semantic Scholar
  11. 11. Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
      Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs 250 - 253 (2023)
  12. 12. チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価 秋葉淳宏; 矢野, 裕司
      第70回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 12-095 (2023)
  13. 13. Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs 柏佳介; 髙橋光希; 北村雄大; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki
      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC2073-1 - SC1073-10 (2023) Semantic Scholar
  14. 14. バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 75 - 75 (2022)
  15. 15. Study on enhancing of the surge current capabilities of embedded SBDs in SWITCH-MOSs and body-PiN-diodes in SiC trench MOSFETs 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志 (+3 著者) Iwamuro, Noriyuki
      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC1007-1 - SC1007-9 (2022) Semantic Scholar
  16. 16. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価：酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係 秋葉淳宏; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 73 - 74 (2022)
  17. 17. モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 91 - 92 (2022)
  18. 18. Significant Improvement of Switching Characteristics in a 1.2-kV SiC SWITCH-MOS by the Application of Kelvin Source Connection 松井ケビン; 俵 武志; 原田, 信介; 田中聡 (+2 著者) Iwamuro, Noriyuki
      IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING 18: 278 - 285 (2022) Semantic Scholar
  19. 19. SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み 矢野, 裕司
      結晶加工と評価技術 第145委員会 第176回研究会資料 22 - 28 (2022)
  20. 20. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki
      Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 701 - 702 (2022)
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  1. 1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 矢野, 裕司
    シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
  2. 2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET)
    Angel Business Communications publication 2017年6月
  1. 1. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
  2. 2. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
  3. 3. Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
  4. 4. Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis Kashiwa, Keisuke; Yao, Kailun; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸; Harada, Shinsuke
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
  5. 5. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad 凱倫, 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
  6. 6. 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析 森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
    第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日 応用物理学会
  7. 7. Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement Cui, Xiaoran; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi
    第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
  8. 8. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討 秋葉淳宏; 矢野, 裕司
    第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
  9. 9. TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析 髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
    令和4年電気学会全国大会 2022年3月21日 電気学会
  10. 10. 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析 森海斗; 亀和田亮; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
  11. 11. モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討 西城智哉; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
  12. 12. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価 坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田, 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会 招待有り
  13. 13. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
  14. 14. Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs 戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
  15. 15. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis 姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 IEEE, IEEJ
  16. 16. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
  17. 17. 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
  18. 18. 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析 松谷, 優汰; 矢野, 裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
  19. 19. 4H-SiC ショットキー PN ダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
  20. 20. 4H-SiC ショットキーpn ダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
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