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矢野 裕司

Yano, Hiroshi

数理物質系 , 教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Professor

  1. 1. Comparative Study of Avalanche and Short-Circuit Reliability in 1.2-kV SiC MOSFETs 鈴木一広; 矢野裕司; 憲幸, 岩室
      IEEE Transaction on Electron Devices 73: 4074 (2026)
  2. 2. Reliability of SiC SBD Edge Terminations under HV-H3TRB and Thermal Cycling Tests 阿部洸太; 矢野裕司; 憲幸, 岩室
      Pcoceedings of 2026 IEEE 38th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Las Vegas, NV, USA, 2026 409 (2026)
  3. 3. 量産プロセス適用可能なホットウォール酸化炉を用いたSiC-MOS界面へのCO2 POA効果の検証 染谷, 満; 平井, 悠久; 熊谷, 直樹; 矢野, 裕司 (+2 著者) 渡部, 平司
      第73回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 13-171 (2026)
  4. 4. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのスイッチング損失に及ぼすチャージインバランスの影響解析 吉田, 開; 矢野, 裕司; 岩室憲幸
      令和8年電気学会全国大会 予稿集 50 (2026)
  5. 5. 1.2 kV SiC DioMOSチャネル移動度の温度特性解析 内山, 颯; 鹿志村快音; 鈴木一広; 矢野, 裕司岩室憲幸
      令和8年電気学会全国大会 予稿集 54 (2026)
  6. 6. 1.2 kV SiC-DioMOSの高温条件下でのオン抵抗-負荷短絡耐量トレードオフ特性 鹿志村快音; 矢野, 裕司; 岩室憲幸
      令和8年電気学会全国大会 予稿集 54 (2026)
  7. 7. SiC MOSFETにおけるゲートACストレス下の発光観測とAC BTIメカニズムの検討 新郷, 諒介; 矢野, 裕司; 岩室, 憲幸
      先進パワー半導体分科会 第12回講演会 予稿集 153 (2025)
  8. 8. オン抵抗、アバランシェ耐量、ならびに負荷短絡耐量を同時改善する1.2-kV SiC MOSFETの最適ゲート構造の検討 鈴木, 一広; 矢野, 裕司; 岩室憲幸
      先進パワー半導体分科会 第12回講演会 予稿集 111 (2025)
  9. 9. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの寄生容量とスイッチング損失の関係 吉田, 開; 矢野, 裕司; 岩室, 憲幸
      先進パワー半導体分科会 第12回講演会 予稿集 109 (2025)
  10. 10. Mechanism of Threshold Voltage Drift in SiC MOSFETs under Bipolar AC Gate Stress via Photon-Assisted Electron Injection Shingo, Ryosuke; Enjoji, Yuya; Iwamuro, Noriyuki; YANO, Hiroshi
      Abstract of The 22nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025 (ICSCRM 2025) 1086 (2025)
  11. 11. ゲートAC印加時におけるSiC MOSFETの発光によるしきい値電圧変動 新郷, 諒介; 矢野, 裕司; 岩室憲幸
      第85回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集 13-216 (2025)
  12. 12. SiC MOSFETの順方向サージ電流耐量向上に関する検討 鈴木, 一広; 矢野, 裕司; 岩室憲幸
      第85回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集 13-217 (2025)
  13. 13. 半導体物理 後編 －pn接合からMOSFETまで－ 矢野, 裕司
      応用物理 94: 326 (2025)
  14. 14. 半導体物理 前編 －結晶構造からキャリア伝導まで－ 矢野, 裕司
      応用物理 94: 270 (2025)
  15. 15. Investigation of optimum Gate Structures for 1.2-kV SiC MOSFETYs by Analyzing Avalanche and Short-circuit Withstanding Capability 岩室, 憲幸; 矢野裕司; 鈴木一広
      Proceedings of the 37th International Symposium on Power Semicondctor Devices and ICs 393 (2025)
  16. 16. SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性 子安, 葵; 新郷, 諒介; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 11-146 (2025)
  17. 17. 時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用 横山, 義希; 堀内, 颯介; 福永, 博生; 島袋, 聞多 (+4 著者) 梅田, 享英
      第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 11-154 (2025)
  18. 18. 低直流電圧印加 時 における SiC MOSFET 負荷短絡破壊メカニズムの解析 鹿志村快音; 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 11-147 (2025)
  19. 19. SiC SBD高温・高湿バイアス試験後の 周辺耐圧領域解析 阿部洸太; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      令和7年電気学会全国大会 講演論文集 4: 143 (2025)
  20. 20. A study on turn-off, and on-resistance and short-circuit capability trade-off characteristics in 1.2 kV SiC MOSFETs Suzuki, Kazuhiro; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki
      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63: (2024) Semantic Scholar
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  1. 1. SiCの製造・加工技術 ～結晶成長・加工プロセス技術と各種課題への対応～ 矢野, 裕司
    情報機構 2025年12月 (ISBN: 9784865022933)
  2. 2. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 矢野, 裕司
    シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
  3. 3. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET)
    Angel Business Communications publication 2017年6月
  1. 1. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
  2. 2. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
  3. 3. Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
  4. 4. Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis Kashiwa, Keisuke; Yao, Kailun; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸; Harada, Shinsuke
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
  5. 5. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad 凱倫, 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
  6. 6. 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析 森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
    第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日 応用物理学会
  7. 7. Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement Cui, Xiaoran; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi
    第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
  8. 8. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討 秋葉淳宏; 矢野, 裕司
    第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
  9. 9. TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析 髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
    令和4年電気学会全国大会 2022年3月21日 電気学会
  10. 10. 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析 森海斗; 亀和田亮; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
  11. 11. モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討 西城智哉; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
  12. 12. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価 坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田, 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会 招待有り
  13. 13. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
  14. 14. Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs 戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
  15. 15. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis 姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 IEEE, IEEJ
  16. 16. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
  17. 17. 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
  18. 18. 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析 松谷, 優汰; 矢野, 裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
  19. 19. 4H-SiC ショットキー PN ダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
  20. 20. 4H-SiC ショットキーpn ダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
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