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矢野 裕司
Yano, Hiroshi
数理物質系 , 准教授 Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor
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- 21. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 703 - 704 (2022)
- 22. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 701 - 702 (2022)
- 23. 3レベルチャージポンピング法を用いた4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップの酸化膜内密度分布の検討 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 第83回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集 12-121 (2022)
- 24. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad Yao, Kailun; Kato, Fumiki; Tanaka, So; Harada, Shinsuke (+1 著者) 岩室憲幸 Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 297 - 300 (2022)
- 25. Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block Kitamura, Yudai; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸; Kato, Fumiki (+3 著者) Sato, Hiroshi Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 109 - 112 (2022)
- 26. Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis Kashiwa, Keisuke; Yao, Kailun; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸Harada, Shinsuke Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 113 - 116 (2022)
- 27. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad 姚 凱倫; 加藤史樹; 田中聡; 原田信介 (+2 著者) Iwamuro, Noriyuki Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 297 - 300 (2022)
- 28. TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析 髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司岩室, 憲幸 令和4年電気学会全国大会 予稿集 4 - 5 (2022)
- 29. Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement Cui, Xiaoran; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi 第69回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 100000000-138 (2022)
- 30. 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析 森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 第69回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 100000000-015 (2022)
- 31. Impact of Negative Gate Bias and Inductive Load on the Single-Pulse Avalanche Capability of 1200-V SiC Trench MOSFETs 姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki IEEE Transactions on Electron Devices 69: 637 - 643 (2022) Semantic Scholar
- 32. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価 坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久 (+4 著者) 岩室, 憲幸 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会 予稿集 27 - 28 (2021)
- 33. モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討 西城智哉; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会 予稿集 95 - 96 (2021)
- 34. 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析 森海斗; 亀和田亮; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会 予稿集 61 - 62 (2021)
- 35. Investigations of short-circuit failure in double trench SiC MOSFETs through three-dimensional electro-thermal-mechanical stress analysis 姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki Microelectronics Reliability 122: 114163-1 - 114163-10 (2021) Semantic Scholar
- 36. Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method 坂田 大輝; 岡本 大; Sometani, M; Okamoto, M (+4 著者) Iwamuro, Noriyuki Japanese Journal of Applied Physics 60: 060901-1 - 060901-4 (2021) Semantic Scholar
- 37. Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs 戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和 (+2 著者) Iwamuro, Noriyuki Proceedings of the 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 219 - 222 (2021) Semantic Scholar
- 38. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis Yao, Kailun; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki Proceedings of The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 115 - 118 (2021) Semantic Scholar
- 39. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介 (+1 著者) Iwamuro, Noriyuki Proceedings of the 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 215 - 218 (2021)
- 40. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 13-149 (2021)
- 1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 矢野, 裕司 シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
- 2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET) Angel Business Communications publication 2017年6月
- 1. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
- 2. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
- 3. Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 4. Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis Kashiwa, Keisuke; Yao, Kailun; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸; Harada, Shinsuke The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 5. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad 凱倫, 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 6. 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析 森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日 応用物理学会
- 7. Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement Cui, Xiaoran; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
- 8. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
- 9. TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析 髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和4年電気学会全国大会 2022年3月21日 電気学会
- 10. 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析 森海斗; 亀和田亮; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
- 11. モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討 西城智哉; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
- 12. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価 坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田, 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会 招待有り
- 13. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
- 14. Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs 戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
- 15. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis 姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 IEEE, IEEJ
- 16. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 17. 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 18. 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析 松谷, 優汰; 矢野, 裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
- 19. 4H-SiC ショットキー PN ダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 20. 4H-SiC ショットキーpn ダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 1. 特願2015‐030433: •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
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