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矢野裕司

Yano, Hiroshi

数理物質系 , 准教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor

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41. 高ショットキー障壁金属を適用した1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFETのスイッチング特性評価松井ケビン; 饗場塁士; 柏, 佳介; 馬場正和 (+2 著者) 岩室, 憲幸
令和3年電気学会全国大会予稿集 7 (2021)
42. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会予稿集 13-149 (2021)
43. 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析松谷, 優汰; 矢野, 裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会予稿集 13-182 (2021)
44. Simple method to estimate the shallow interface trap density near the conduction band edge of MOSFETs using Hall effect measurements Honda, Tatsuya; Yano, Hiroshi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60: 016505-1 (2021) Semantic Scholar
45. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価坂田, 大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久 (+4 著者) 岩室憲幸
先進パワー半導体分科会第7回講演会予稿集 69 (2020)
46. SiC-MOSFETのユニバーサル移動度の調査に基づく反転層電子の散乱機構の把握大橋輝之; 飯島良介; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第7回講演会予稿集 71 (2020)
47. 4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満 (+4 著者) 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第7回講演会予稿集 61 (2020)
48. Demonstration of Superior Electrical Characteristics for 1.2 kV SiC Schottky Barrier Diode-Wall Integrated Trench MOSFET with Higher Schottky Barrier Height Metal 饗場塁士; 松井ケビン; 馬場正和; 原田信介 (+1 著者) Iwamuro, Noriyuki
IEEE Electron Device Letters 41: 1810 (2020) Semantic Scholar
49. Experimental Demonstration of Superior Vf -Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length 金森大河; 饗場塁士; 原田信介; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki
Proceedings of PCIM Asia, 2020 25 (2020)
50. Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method Zhang, Xufang; Matsumoto, Tsubasa; Sakurai, Ukyo; Makino, Toshiharu (+7 著者) Tokuda, Norio
CARBON 168: 659 (2020) Semantic Scholar
51. Investigations of SiC MOSFET Short-Circuit Failure Mechanisms Using Electrical, Thermal, and Mechanical Stress Analyses Yao, Kailun; 矢野裕司; 只野博; Iwamuro, Noriyuki
IEEE Transactions on Electron Devices 67: 4328 (2020) Semantic Scholar
52. Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt 饗場塁士; 松井ケビン; 大川雅貴; 金森大河 (+2 著者) Iwamuro, Noriyuki
Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs,2020 174 (2020)
53. Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress 大川雅貴; 金森大河; 饗場塁士; 矢野裕司 (+1 著者) 原田信介
Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs, 2020 74 (2020)
54. Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET Based on Temperature-Dependent Hall Effect Measurement Takeda, H; Sometani, M; Hosoi, T; Shimura, T (+1 著者) Watanabe, H
Materials Science Forum 1004: 620 (2020) Semantic Scholar
55. Electrically detected magnetic resonance study on interface defects at nitrided Si-face, a-face, and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces Higa, Eito; Sometani, Mitsuru; Hirai, Hirohisa; Yano, Hiroshii (+1 著者) Umeda, Takahide
Applied Physics Letters 116: 171602-1 (2020) Semantic Scholar
56. Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs Nemoto, Hiroki; Okamoto, Dai; Zhang, Xufang; Sometani, Mitsuru (+4 著者) Yano, Hiroshi
Japanese Journal of Applied Physics 59: 044003-1 (2020) Semantic Scholar
57. 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析戸高駿希; 松井ケビン; 饗場塁士; 大川雅貴 (+3 著者) 岩室, 憲幸
令和2年電気学会全国大会予稿集 11 (2020)
58. Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs Gyozen, Sai; Dai, Okamoto; Noriyuki, Iwamuro; 矢野, 裕司
第67回応用物理学会春季学術講演会予稿集 12-098 (2020)
59. On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析岡本大; 染谷満; 坂田大輝; 張旭芳 (+5 著者) 岩室憲幸
第67回応用物理学会春季学術講演会予稿集 12-261 (2020)
60. SiCトレンチMOSFET内蔵pin ダイオードにおける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性金森大河; 饗場塁士; 大川雅貴; 原田信介 (+1 著者) 岩室, 憲幸
令和2年電気学会全国大会予稿集 7 (2020)

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1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開矢野, 裕司
シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET)
Angel Business Communications publication 2017年6月

1. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵武志; 原田, 信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日応用物理学会
2. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日応用物理学会
3. Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵武志; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
4. Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis Kashiwa, Keisuke; Yao, Kailun; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸; Harada, Shinsuke
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
5. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad 凱倫, 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
6. 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日応用物理学会
7. Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement Cui, Xiaoran; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
8. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討秋葉淳宏; 矢野, 裕司
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
9. TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
令和4年電気学会全国大会 2022年3月21日電気学会
10. 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析森海斗; 亀和田亮; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会第8回講演会 2021年12月9日応用物理学会
11. モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討西城智哉; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会第８回講演会 2021年12月9日応用物理学会
12. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田, 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
応用物理学会先進パワー半導体分科会第8回講演会 2021年12月9日応用物理学会招待有り
13. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs 松井ケビン; 饗場塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日電気学会
14. Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs 戸高駿希; 松井ケビン; 饗場塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日電気学会
15. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis 姚凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 IEEE, IEEJ
16. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
17. 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
18. 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析松谷, 優汰; 矢野, 裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
19. 4H-SiC ショットキー PN ダイオードのスイッチング特性解析亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
20. 4H-SiC ショットキーpn ダイオードの高耐圧化北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会