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矢野 裕司
Yano, Hiroshi
数理物質系 , 准教授 Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor
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- 41. 熱応力シミュレーションを用いた1.2 kV SBD内蔵 SiC トレンチMOSFET(SWITCH-MOS)の負荷短絡耐量解析 柏, 佳介; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和 (+2 著者) 岩室, 憲幸 令和3年電気学会全国大会 予稿集 5 - 6 (2021)
- 42. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 13-149 (2021)
- 43. 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析 松谷, 優汰; 矢野, 裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 13-182 (2021)
- 44. Simple method to estimate the shallow interface trap density near the conduction band edge of MOSFETs using Hall effect measurements Honda, Tatsuya; Yano, Hiroshi JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60: 016505-1 - 016505-6 (2021) Semantic Scholar
- 45. Demonstration of Superior Electrical Characteristics for 1.2 kV SiC Schottky Barrier Diode-Wall Integrated Trench MOSFET with Higher Schottky Barrier Height Metal 饗場 塁士; 松井ケビン; 馬場正和; 原田信介 (+1 著者) Iwamuro, Noriyuki IEEE Electron Device Letters 41: 1810 - 1813 (2020) Semantic Scholar
- 46. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価 坂田, 大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久 (+4 著者) 岩室憲幸 先進パワー半導体分科会 第7回講演会 予稿集 69 - 70 (2020)
- 47. SiC-MOSFETのユニバーサル移動度の調査に基づく反転層電子の散乱機構の把握 大橋 輝之; 飯島 良介; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第7回講演会 予稿集 71 - 72 (2020)
- 48. 4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析 根本 宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満 (+4 著者) 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第7回講演会 予稿集 61 - 62 (2020)
- 49. Experimental Demonstration of Superior Vf -Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length 金森 大河; 饗場 塁士; 原田信介; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki Proceedings of PCIM Asia, 2020 25 - 29 (2020)
- 50. Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method Zhang, Xufang; Matsumoto, Tsubasa; Sakurai, Ukyo; Makino, Toshiharu (+7 著者) Tokuda, Norio CARBON 168: 659 - 664 (2020) Semantic Scholar
- 51. Investigations of SiC MOSFET Short-Circuit Failure Mechanisms Using Electrical, Thermal, and Mechanical Stress Analyses Yao, Kailun; 矢野裕司; 只野博; Iwamuro, Noriyuki IEEE Transactions on Electron Devices 67: 4328 - 4334 (2020) Semantic Scholar
- 52. Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt 饗場 塁士; 松井ケビン; 大川 雅貴; 金森 大河 (+2 著者) Iwamuro, Noriyuki Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs,2020 174 - 177 (2020)
- 53. Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress 大川 雅貴; 金森 大河; 饗場 塁士; 矢野裕司 (+1 著者) 原田信介 Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs, 2020 74 - 77 (2020)
- 54. Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET Based on Temperature-Dependent Hall Effect Measurement Takeda, H; Sometani, M; Hosoi, T; Shimura, T (+1 著者) Watanabe, H Materials Science Forum 1004: 620 - 626 (2020) Semantic Scholar
- 55. Electrically detected magnetic resonance study on interface defects at nitrided Si-face, a-face, and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces Higa, Eito; Sometani, Mitsuru; Hirai, Hirohisa; Yano, Hiroshii (+1 著者) Umeda, Takahide Applied Physics Letters 116: 171602-1 - 171602-4 (2020) Semantic Scholar
- 56. Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs Nemoto, Hiroki; Okamoto, Dai; Zhang, Xufang; Sometani, Mitsuru (+4 著者) Yano, Hiroshi Japanese Journal of Applied Physics 59: 044003-1 - 044003-6 (2020) Semantic Scholar
- 57. SiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性の順方向動作依存性の解析 亀和田亮; 饗場 塁士; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和2年電気学会全国大会 予稿集 9 - 10 (2020)
- 58. Dominant scattering mechanism in SiC MOSFET: comparative study of the universal mobility and the theoretically calculated channel mobility Ohashi, Teruyuki; Iijima, Ryosuke; Yano, Hiroshi Jpn. J. Appl. Phys. 59: 034003-1 - 034003-10 (2020) Semantic Scholar
- 59. 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析 戸高 駿希; 松井 ケビン; 饗場 塁士; 大川 雅貴 (+3 著者) 岩室, 憲幸 令和2年電気学会全国大会 予稿集 11 - 12 (2020)
- 60. 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析 松井 ケビン; 戸高 駿希; 饗場 塁士; 大川 雅貴 (+3 著者) 岩室, 憲幸 令和2年電気学会全国大会 予稿集 1 - 2 (2020)
- 1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 矢野, 裕司 シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
- 2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET) Angel Business Communications publication 2017年6月
- 1. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
- 2. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
- 3. Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 4. Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis Kashiwa, Keisuke; Yao, Kailun; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸; Harada, Shinsuke The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 5. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad 凱倫, 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 6. 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析 森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日 応用物理学会
- 7. Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement Cui, Xiaoran; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
- 8. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
- 9. TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析 髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和4年電気学会全国大会 2022年3月21日 電気学会
- 10. 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析 森海斗; 亀和田亮; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
- 11. モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討 西城智哉; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
- 12. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価 坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田, 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会 招待有り
- 13. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
- 14. Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs 戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
- 15. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis 姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 IEEE, IEEJ
- 16. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 17. 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 18. 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析 松谷, 優汰; 矢野, 裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
- 19. 4H-SiC ショットキー PN ダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 20. 4H-SiC ショットキーpn ダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 1. 特願2015‐030433: •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
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