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矢野 裕司
Yano, Hiroshi
数理物質系 , 准教授 Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor
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- 61. SiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性の順方向動作依存性の解析 亀和田亮; 饗場 塁士; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和2年電気学会全国大会 予稿集 9 - 10 (2020)
- 62. 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析 松井 ケビン; 戸高 駿希; 饗場 塁士; 大川 雅貴 (+3 著者) 岩室, 憲幸 令和2年電気学会全国大会 予稿集 1 - 2 (2020)
- 63. 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析 戸高 駿希; 松井 ケビン; 饗場 塁士; 大川 雅貴 (+3 著者) 岩室, 憲幸 令和2年電気学会全国大会 予稿集 11 - 12 (2020)
- 64. Carbon dangling-bond center (carbon Pb center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface Umeda, T; Kobayashi, T; Sometani, M; Yano, Hiroshi (+1 著者) Harada, S Appl. Phys. Lett. 116: 071604-1 - 071604-5 (2020) Semantic Scholar
- 65. The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface 寺尾豊; 辻英徳; 細井卓治; 張旭芳 (+2 著者) 渡部平司 電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会 予稿集 137 - 139 (2020)
- 66. SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析 岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満 (+4 著者) 矢野, 裕司 電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会 予稿集 97 - 100 (2020)
- 67. pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析 根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満 (+4 著者) 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集 87 - 88 (2019)
- 68. 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価 比嘉栄斗; 染谷満; 原田信介; 梅田享英矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 67 - 68 (2019)
- 69. 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析 松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集 85 - 86 (2019)
- 70. ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明 周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満 (+4 著者) 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集 89 - 90 (2019)
- 71. 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価 坂田, 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央 (+5 著者) 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集 143 - 144 (2019)
- 72. The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface Terao, Y; Tsuji, H; Hosoi, T; Zhang, X (+2 著者) Watanabe, H Abstracts of 50th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2019) 6.18 (2019)
- 73. Influence of the Annealing Temperature on ALD-Al2O3/NAOS/Si MOS Interface Properties Fu, Wei; Zhang, Xufang; Umishio, Hiroshi; Traore, Aboulaye (+1 著者) Sakurai, Takeaki Technical Digest of The 29th International Confrence on Photovoltaic Sciene and Enginnering (PVSEC-29) 1708 - 1710 (2019)
- 74. SiC MOS Interface; What limits the channel mobility Yano, Hiroshi Extended Abstracts of 2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2019 IWDTF) 112 - 113 (2019)
- 75. SiO2/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性 辻英徳; 寺尾豊; 細井卓治; 張旭芳 (+2 著者) 渡部平司 第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 13-228 (2019)
- 76. Effect of annealing temperature on Al2O3/NAOS/Si MOS interface properties Wei, Fu; Xufang, Zhang; Hiroshi, Umishio; Aboulaye, Traore (+1 著者) Takeaki, Sakurai 第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 13-228 (2019)
- 77. 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析 松谷, 優汰; 張, 旭芳; 岡本, 大; 岩室, 憲幸矢野, 裕司 第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 13-248 (2019)
- 78. Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides Zhang, Xufang; Okamoto, Dai; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke (+1 著者) Yano, Hiroshi Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) Tu-3A-07LN (2019)
- 79. The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study Umeda, Takahide; Kobayashi, Takuma; Matsushita, Yu-ichro; Higa, Eito (+2 著者) Harada, Shinsuke Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) We-1A-02 (2019)
- 80. Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps Matsuya, Yuta; Zhang, Xufang; Okamoto, Dai; Iwamuro, NoriyukiYano, Hiroshi Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) We-P-30 (2019)
- 1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 矢野, 裕司 シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
- 2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET) Angel Business Communications publication 2017年6月
- 1. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
- 2. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
- 3. Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 4. Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis Kashiwa, Keisuke; Yao, Kailun; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸; Harada, Shinsuke The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 5. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad 凱倫, 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 6. 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析 森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日 応用物理学会
- 7. Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement Cui, Xiaoran; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
- 8. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
- 9. TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析 髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和4年電気学会全国大会 2022年3月21日 電気学会
- 10. 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析 森海斗; 亀和田亮; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
- 11. モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討 西城智哉; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
- 12. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価 坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田, 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会 招待有り
- 13. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
- 14. Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs 戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
- 15. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis 姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 IEEE, IEEJ
- 16. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 17. 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 18. 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析 松谷, 優汰; 矢野, 裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
- 19. 4H-SiC ショットキー PN ダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 20. 4H-SiC ショットキーpn ダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 1. 特願2015‐030433: •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
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