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矢野 裕司
Yano, Hiroshi
数理物質系 , 准教授 Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor
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- 81. Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs Zhou, Xingyan; Okamoto, Dai; Zhang, Xufang; Sometani, Mitsuru (+3 著者) Yano, Hiroshi Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) Th-P-52LN (2019)
- 82. Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias Nemoto, Hiroki; Okamoto, Dai; Zhang, Xufang; Sometani, Mitsuru (+4 著者) Yano, Hiroshi Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) Fr-1A-04 (2019)
- 83. Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length 金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介 (+1 著者) Iwamuro, Noriyuki Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) Tu-2A-05 (2019)
- 84. Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method 岡本 大; 根本 宏樹; 張 旭芳; 周 星炎 (+5 著者) 矢野 裕司 Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) Fr-1A-02 (2019)
- 85. The effect of biaxial stress on the carrier-transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces Fu, W; Ueda, A; Yano, Hiroshi; Harada, SSakurai, T Extended Abstracts of 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 735 - 736 (2019)
- 86. Ideal phonon-scattering-limited mobility in inversion channel of 4H-SiC(0001) MOSFETs with ultralow net doping concentrations 染谷満; 細井卓治; Hirai, H; Hatakeyama, T (+5 著者) Okumura, H Appl. Phys. Lett. 115: 132102-1 - 132102-5 (2019) Semantic Scholar
- 87. First Demonstration of Short-Circuit capability for a 1.2 kV SiC SWITCH-MOS 大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 小林 勇介 (+2 著者) 岩室 憲幸 IEEE Journal of Electron Devices Society 7: 613 - 620 (2019) Semantic Scholar
- 88. Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs 大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 原田 信介 (+1 著者) Iwamuro, Noriyuki Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019) 167 - 170 (2019)
- 89. Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET 凱倫, 姚; 矢野 裕司; Iwamuro, Noriyuki Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019) 187 - 190 (2019)
- 90. Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介 (+2 著者) Iwamuro, Noriyuki Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019) 23 - 26 (2019)
- 91. Demonstration and analysis of channel mobility, trapped electron density and Hall effect at SiO2/SiC (0(3)over-bar3(8)over-bar) interfaces Masuda, Takeyoshi; Hatakeyama, Tetsuo; Harada, Shinsuke; Yano, Hiroshi JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58: SBBD04-1 - SBBD04-5 (2019) Semantic Scholar
- 92. Investigation of stress at SiO2/4H-SiC interface induced by thermal oxidation by confocal Raman microscopy Wei Fu; Ai Kobayashi; Hiroshi Yano; Akiko Ueda (+1 著者) Takeaki Sakurai Japanese Journal of Applied Physics 58: SBBD03 - SBBD03 (2019) Semantic Scholar
- 93. Influence of biaxial stress on the electron transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces W., Fu; A., Ueda; 矢野, 裕司; S., HaradaT., Sakurai 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 12-037 (2019)
- 94. Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs 姚, 凱倫; 矢野 裕司; 岩室, 憲幸 平成31年電気学会全国大会 講演論文集 10 - 11 (2019)
- 95. SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介 (+2 著者) 岩室 憲幸 平成31年電気学会全国大会 講演論文集 18 - 19 (2019)
- 96. SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析 大川 雅貴; 飯嶋竜司; 岡本大; 矢野 裕司岩室 憲幸 平成31年電気学会全国大会 講演論文集 22 - 23 (2019)
- 97. SiCトレンチMOSFETの内蔵ダイオードの特性解析 金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介 (+1 著者) 岩室, 憲幸 平成31年電気学会全国大会 講演論文集 12 - 13 (2019)
- 98. Anomalous carbon clusters in 4H-SiC/SiO2 interfaces Kagoyama, Y; Okamoto, M; Yamasaki, T; Tajima, N (+4 著者) Umeda, T JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 125: 065302-1 - 065302-8 (2019) Semantic Scholar
- 99. Impact of crystal faces of 4H-SiC in SiO2/4H-SiC structures on interface trap densities and mobilities Hatakeyama, Tetsuo; Masuda, Teruyoshi; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke (+3 著者) Okumura, Hajime APPLIED PHYSICS EXPRESS 12: 201003-1 - 201003-5 (2019) Semantic Scholar
- 100. 温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察 武田紘典; 染谷満; 細井卓治; 志村考功 (+1 著者) 渡部平司 電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第24回研究会 予稿集 225 - 228 (2019)
- 1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 矢野, 裕司 シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
- 2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET) Angel Business Communications publication 2017年6月
- 1. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
- 2. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
- 3. Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 4. Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis Kashiwa, Keisuke; Yao, Kailun; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸; Harada, Shinsuke The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 5. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad 凱倫, 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 6. 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析 森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日 応用物理学会
- 7. Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement Cui, Xiaoran; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
- 8. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
- 9. TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析 髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和4年電気学会全国大会 2022年3月21日 電気学会
- 10. 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析 森海斗; 亀和田亮; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
- 11. モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討 西城智哉; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
- 12. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価 坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田, 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会 招待有り
- 13. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
- 14. Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs 戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
- 15. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis 姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 IEEE, IEEJ
- 16. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 17. 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 18. 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析 松谷, 優汰; 矢野, 裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
- 19. 4H-SiC ショットキー PN ダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 20. 4H-SiC ショットキーpn ダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 1. 特願2015‐030433: •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
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