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矢野裕司

Yano, Hiroshi

数理物質系 , 教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Professor

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81. 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析戸高駿希; 松井ケビン; 饗場塁士; 大川雅貴 (+3 著者) 岩室, 憲幸
令和2年電気学会全国大会予稿集 11 (2020)
82. Carbon dangling-bond center (carbon Pb center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface Umeda, T; Kobayashi, T; Sometani, M; Yano, Hiroshi (+1 著者) Harada, S
Appl. Phys. Lett. 116: 071604-1 (2020) Semantic Scholar
83. The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface 寺尾豊; 辻英徳; 細井卓治; 張旭芳 (+2 著者) 渡部平司
電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－第25回研究会予稿集 137 (2020)
84. SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満 (+4 著者) 矢野, 裕司
電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－第25回研究会予稿集 97 (2020)
85. pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満 (+4 著者) 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第6回講演会予稿集 87 (2019)
86. 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価比嘉栄斗; 染谷満; 原田信介; 梅田享英矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第6回講演会 67 (2019)
87. 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第6回講演会予稿集 85 (2019)
88. ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満 (+4 著者) 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第6回講演会予稿集 89 (2019)
89. 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価坂田, 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央 (+5 著者) 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第6回講演会予稿集 143 (2019)
90. The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface Terao, Y; Tsuji, H; Hosoi, T; Zhang, X (+2 著者) Watanabe, H
Abstracts of 50th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2019) 6.18 (2019)
91. Influence of the Annealing Temperature on ALD-Al2O3/NAOS/Si MOS Interface Properties Fu, Wei; Zhang, Xufang; Umishio, Hiroshi; Traore, Aboulaye (+1 著者) Sakurai, Takeaki
Technical Digest of The 29th International Confrence on Photovoltaic Sciene and Enginnering (PVSEC-29) 1708 (2019)
92. SiC MOS Interface; What limits the channel mobility Yano, Hiroshi
Extended Abstracts of 2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2019 IWDTF) 112 (2019)
93. SiO2/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性辻英徳; 寺尾豊; 細井卓治; 張旭芳 (+2 著者) 渡部平司
第80回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 13-228 (2019)
94. Effect of annealing temperature on Al2O3/NAOS/Si MOS interface properties Wei, Fu; Xufang, Zhang; Hiroshi, Umishio; Aboulaye, Traore (+1 著者) Takeaki, Sakurai
第80回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 13-228 (2019)
95. 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析松谷, 優汰; 張, 旭芳; 岡本, 大; 岩室, 憲幸矢野, 裕司
第80回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 13-248 (2019)
96. Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides Zhang, Xufang; Okamoto, Dai; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke (+1 著者) Yano, Hiroshi
Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) Tu-3A-07LN (2019)
97. The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study Umeda, Takahide; Kobayashi, Takuma; Matsushita, Yu-ichro; Higa, Eito (+2 著者) Harada, Shinsuke
Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) We-1A-02 (2019)
98. Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps Matsuya, Yuta; Zhang, Xufang; Okamoto, Dai; Iwamuro, NoriyukiYano, Hiroshi
Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) We-P-30 (2019)
99. Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs Zhou, Xingyan; Okamoto, Dai; Zhang, Xufang; Sometani, Mitsuru (+3 著者) Yano, Hiroshi
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) Th-P-52LN (2019)
100. Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias Nemoto, Hiroki; Okamoto, Dai; Zhang, Xufang; Sometani, Mitsuru (+4 著者) Yano, Hiroshi
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) Fr-1A-04 (2019)

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1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開矢野, 裕司
シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET)
Angel Business Communications publication 2017年6月

1. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵武志; 原田, 信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日応用物理学会
2. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日応用物理学会
3. Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵武志; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
4. Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis Kashiwa, Keisuke; Yao, Kailun; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸; Harada, Shinsuke
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
5. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad 凱倫, 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
6. 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日応用物理学会
7. Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement Cui, Xiaoran; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
8. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討秋葉淳宏; 矢野, 裕司
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
9. TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
令和4年電気学会全国大会 2022年3月21日電気学会
10. 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析森海斗; 亀和田亮; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会第8回講演会 2021年12月9日応用物理学会
11. モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討西城智哉; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会第８回講演会 2021年12月9日応用物理学会
12. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田, 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
応用物理学会先進パワー半導体分科会第8回講演会 2021年12月9日応用物理学会招待有り
13. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs 松井ケビン; 饗場塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日電気学会
14. Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs 戸高駿希; 松井ケビン; 饗場塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日電気学会
15. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis 姚凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 IEEE, IEEJ
16. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
17. 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
18. 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析松谷, 優汰; 矢野, 裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
19. 4H-SiC ショットキー PN ダイオードのスイッチング特性解析亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
20. 4H-SiC ショットキーpn ダイオードの高耐圧化北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会