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矢野 裕司
Yano, Hiroshi
数理物質系 , 准教授 Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor
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- 101. Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model X., Zhang; D., Okamoto; T., Hatakeyama; M., Sometani (+2 著者) 矢野, 裕司 電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第24回研究会 予稿集 221 - 224 (2019)
- 102. SiC酸化膜界面への窒素、リン、ホウ素添加による界面特性改善効果 矢野, 裕司 工業材料 67: 63 - 68 (2019)
- 103. SiCパワーデバイス特有の信頼性課題 酸化膜および界面 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 2018年度チュートリアル 103 - 137 (2018)
- 104. 4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性を引き起こす酸化膜トラップの空間分布 岡本光央; 染谷満; 原田信介; 矢野, 裕司奥村元 先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集 281 - 282 (2018)
- 105. n型Si面4H-SiC MOSFETの閾値電圧とHall移動度の温度特性 本田達也; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集 229 - 230 (2018)
- 106. SiO2/SiC界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果 畠山哲夫; 増田健良; 染谷満; 岡本大 (+3 著者) 奥村元 先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集 227 - 228 (2018)
- 107. 超低実効pエピ濃度基板を用いて評価した4H-SiC(0001) MOSFETの反転チャネル電子の散乱要因 染谷満; 細井卓治; 平井悠久; 畠山哲夫 (+5 著者) 奥村元 先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集 225 - 226 (2018)
- 108. pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析 根本, 宏樹; 岡本, 大; 染谷, 満; 木内, 祐治 (+4 著者) 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集 105 - 106 (2018)
- 109. Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明 周, 星炎; 岡本, 大; 畠山, 哲夫; 染谷, 満 (+4 著者) 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集 101 - 102 (2018)
- 110. 4H-SiC(0001) MOSFETの可動電子密度の温度依存性に基づくチャネル内電子伝導機構の考察 武田紘典; 染谷満; 細井卓治; 志村考功 (+1 著者) 渡部平司 先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集 97 - 98 (2018)
- 111. Ba添加によるSiC MOSFET特性向上の起源の検討 藤田栄悟; 細井卓治; 染谷満; 畠山哲夫 (+3 著者) 渡部平司 第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 13-172 (2018)
- 112. 低不純物濃度4H-SiC(0001)基板上に作製したMOSFETのホール効果移動度に対するNO-POAの影響 染谷満; 細井卓治; 畠山哲夫; 原田信介 (+4 著者) 奥村元 第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 13-171 (2018)
- 113. Analysis of oxide traps causing threshold voltage instability in 4H-SiC MOSFETs via capture time map Okamoto, M; Sometani, M; Harada, S; Yano, HiroshiOkumura, H Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) MO.P.MI7 (2018)
- 114. Interface Trap Densities near the Band Edge of SiO2/4H-SiC (0＿338(＿)), (112(＿)0) and {0001} and their Impacts on Electron Transport Hatakeyama, T; Masuda, T; Sometani, M; Okamoto, D (+3 著者) Okumura, H Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) WE.02b.06 (2018)
- 115. Superiority of pure O2-based gate oxidation on Hall effect mobility of 4H-SiC (0001) MOSFET revealed by low-doped epitaxial wafers Sometani, M; Hosoi, T; Hatakeyama, T; Harada, S (+4 著者) Okumura, H Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) WE.02b.05 (2018)
- 116. Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements” Zhou, X; 岡本大; Hatakeyama, T; 染谷 満 (+3 著者) 矢野 裕司 Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) WE.02b.04 (2018)
- 117. Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs 宏樹, 根本; 岡本 大; 満, 染谷; Kiuchi, Y (+3 著者) 矢野 裕司 Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) We.P.MI6 (2018)
- 118. Demonstration of High Channel Mobility and Low Trapped Electron Density of SiO2/SiC (0-33-8) Interfaces Masuda, T; Hatakeyama, T; Harada, S; Yano, Hiroshi Ext. abstract of 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018) 249 - 250 (2018)
- 119. Stress at Interface of SiO2/4H-SiC Studied by Confocal Raman Microscopy Fu, W; Kobayashi, A; Yano, Hiroshi; Harada, SSakurai, T Ext. abstract of 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018) 313 - 314 (2018)
- 120. Insight into enhanced field-effect mobility of 4H-SiC MOSFET with Ba incorporation studied by Hall effect measurements Fujita, Eigo; Sometani, Mitsuru; Hatakeyama, Tetsuo; Harada, Shinsuke (+3 著者) Watanabe, Heiji AIP ADVANCES 8: 085305-1 - 085305-6 (2018) Semantic Scholar
- 1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 矢野, 裕司 シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
- 2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET) Angel Business Communications publication 2017年6月
- 1. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
- 2. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
- 3. Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 4. Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis Kashiwa, Keisuke; Yao, Kailun; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸; Harada, Shinsuke The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 5. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad 凱倫, 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 6. 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析 森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日 応用物理学会
- 7. Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement Cui, Xiaoran; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
- 8. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
- 9. TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析 髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和4年電気学会全国大会 2022年3月21日 電気学会
- 10. 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析 森海斗; 亀和田亮; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
- 11. モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討 西城智哉; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
- 12. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価 坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田, 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会 招待有り
- 13. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
- 14. Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs 戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
- 15. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis 姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 IEEE, IEEJ
- 16. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 17. 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 18. 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析 松谷, 優汰; 矢野, 裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
- 19. 4H-SiC ショットキー PN ダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 20. 4H-SiC ショットキーpn ダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 1. 特願2015‐030433: •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
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