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矢野裕司

Yano, Hiroshi

数理物質系 , 教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Professor

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101. Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length 金森大河; 饗場塁士; 大川雅貴; 原田信介 (+1 著者) Iwamuro, Noriyuki
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) Tu-2A-05 (2019)
102. Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method 岡本大; 根本宏樹; 張旭芳; 周星炎 (+5 著者) 矢野裕司
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) Fr-1A-02 (2019)
103. The effect of biaxial stress on the carrier-transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces Fu, W; Ueda, A; Yano, Hiroshi; Harada, SSakurai, T
Extended Abstracts of 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 735 (2019)
104. Ideal phonon-scattering-limited mobility in inversion channel of 4H-SiC(0001) MOSFETs with ultralow net doping concentrations 染谷満; 細井卓治; Hirai, H; Hatakeyama, T (+5 著者) Okumura, H
Appl. Phys. Lett. 115: 132102-1 (2019) Semantic Scholar
105. First Demonstration of Short-Circuit capability for a 1.2 kV SiC SWITCH-MOS 大川雅貴; 饗場塁士; 金森大河; 小林勇介 (+2 著者) 岩室憲幸
IEEE Journal of Electron Devices Society 7: 613 (2019) Semantic Scholar
106. Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs 大川雅貴; 饗場塁士; 金森大河; 原田信介 (+1 著者) Iwamuro, Noriyuki
Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019) 167 (2019)
107. Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET 凱倫, 姚; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019) 187 (2019)
108. Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS 饗場塁士; 大川雅貴; 金森大河; 小林勇介 (+2 著者) Iwamuro, Noriyuki
Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019) 23 (2019)
109. Demonstration and analysis of channel mobility, trapped electron density and Hall effect at SiO2/SiC (0(3)over-bar3(8)over-bar) interfaces Masuda, Takeyoshi; Hatakeyama, Tetsuo; Harada, Shinsuke; Yano, Hiroshi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58: SBBD04-1 (2019) Semantic Scholar
110. Investigation of stress at SiO2/4H-SiC interface induced by thermal oxidation by confocal Raman microscopy Wei Fu; Ai Kobayashi; Hiroshi Yano; Akiko Ueda (+1 著者) Takeaki Sakurai
Japanese Journal of Applied Physics 58: SBBD03 (2019) Semantic Scholar
111. Influence of biaxial stress on the electron transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces W., Fu; A., Ueda; 矢野, 裕司; S., HaradaT., Sakurai
第66回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 12-037 (2019)
112. Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs 姚, 凱倫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
平成31年電気学会全国大会講演論文集 10 (2019)
113. SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価饗場塁士; 大川雅貴; 金森大河; 小林勇介 (+2 著者) 岩室憲幸
平成31年電気学会全国大会講演論文集 18 (2019)
114. SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析大川雅貴; 飯嶋竜司; 岡本大; 矢野裕司岩室憲幸
平成31年電気学会全国大会講演論文集 22 (2019)
115. SiCトレンチMOSFETの内蔵ダイオードの特性解析金森大河; 饗場塁士; 大川雅貴; 原田信介 (+1 著者) 岩室, 憲幸
平成31年電気学会全国大会講演論文集 12 (2019)
116. Anomalous carbon clusters in 4H-SiC/SiO2 interfaces Kagoyama, Y; Okamoto, M; Yamasaki, T; Tajima, N (+4 著者) Umeda, T
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 125: 065302-1 (2019) Semantic Scholar
117. Impact of crystal faces of 4H-SiC in SiO2/4H-SiC structures on interface trap densities and mobilities Hatakeyama, Tetsuo; Masuda, Teruyoshi; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke (+3 著者) Okumura, Hajime
APPLIED PHYSICS EXPRESS 12: 201003-1 (2019) Semantic Scholar
118. 温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察武田紘典; 染谷満; 細井卓治; 志村考功 (+1 著者) 渡部平司
電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－第24回研究会予稿集 225 (2019)
119. Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model X., Zhang; D., Okamoto; T., Hatakeyama; M., Sometani (+2 著者) 矢野, 裕司
電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－第24回研究会予稿集 221 (2019)
120. SiC酸化膜界面への窒素、リン、ホウ素添加による界面特性改善効果矢野, 裕司
工業材料 67: 63 (2019)

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1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開矢野, 裕司
シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET)
Angel Business Communications publication 2017年6月

1. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵武志; 原田, 信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日応用物理学会
2. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日応用物理学会
3. Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵武志; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
4. Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis Kashiwa, Keisuke; Yao, Kailun; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸; Harada, Shinsuke
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
5. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad 凱倫, 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
6. 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日応用物理学会
7. Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement Cui, Xiaoran; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
8. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討秋葉淳宏; 矢野, 裕司
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
9. TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
令和4年電気学会全国大会 2022年3月21日電気学会
10. 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析森海斗; 亀和田亮; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会第8回講演会 2021年12月9日応用物理学会
11. モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討西城智哉; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会第８回講演会 2021年12月9日応用物理学会
12. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田, 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
応用物理学会先進パワー半導体分科会第8回講演会 2021年12月9日応用物理学会招待有り
13. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs 松井ケビン; 饗場塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日電気学会
14. Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs 戸高駿希; 松井ケビン; 饗場塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日電気学会
15. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis 姚凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 IEEE, IEEJ
16. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
17. 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
18. 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析松谷, 優汰; 矢野, 裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
19. 4H-SiC ショットキー PN ダイオードのスイッチング特性解析亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
20. 4H-SiC ショットキーpn ダイオードの高耐圧化北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会