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矢野 裕司
Yano, Hiroshi
数理物質系 , 准教授 Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor
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- 121. Investigation of short-circuit failure mechanisms of SiC MOSFETs by varying DC bus voltage Namai, M; An, J; Yano, Hiroshi; Iwamuro, N Jpn. J. Appl. Phys. 57: 074102-1 - 074102-10 (2018) Semantic Scholar
- 122. Investigation of short-circuit failure mechanisms of SiC MOSFETs by varying DC bus voltage Namai, M; An, J; Yano, Hiroshi; Iwamuro, N Jpn. J. Appl. Phys. 57: 074102-1 - 074102-10 (2018) Semantic Scholar
- 123. Analysis of fast and slow responses in AC conductance curves for p-type SiC MOS capacitors Yuki Karamoto; Xufang Zhang; Dai Okamoto; Mitsuru Sometani (+3 著者) Hiroshi Yano Japanese Journal of Applied Physics 57: 06KA06-1 - 06KA06-6 (2018) Semantic Scholar
- 124. Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors Xufang Zhang; Dai Okamoto; Tetsuo Hatakeyama; Mitsuru Sometani (+2 著者) Hiroshi Yano Japanese Journal of Applied Physics 57: 06KA04-1 - 06KA04-5 (2018) Semantic Scholar
- 125. Methodology for Enhanced Short-Circuit Capability of SiC MOSFETs An, Junjie; Namai, Masaki; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (+1 著者) Harada, Shinsuke Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (IEEE ISPSD) 391 - 394 (2018)
- 126. Hole trapping in SiC-MOS devices evaluated by fast-capacitance-voltage method Mariko Hayashi; Mitsuru Sometani; Tetsuo Hatakeyama; Hiroshi YanoShinsuke Harada Japanese Journal of Applied Physics 57: 04FR15-1 - 04FR15-4 (2018) Semantic Scholar
- 127. Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions Mitsuru Sometani; Mitsuo Okamoto; Tetsuo Hatakeyama; Yohei Iwahashi (+5 著者) Hajime Okumura Japanese Journal of Applied Physics 57: 04FA07-1 - 04FA07-7 (2018) Semantic Scholar
- 128. メタルアニール工程を省いた4H-SiCイオン注入n+層オーミックコンタクト実現の検討 北島魁人; 岡本大; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 平成30年電気学会全国大会講演論文集 4-011 (2018)
- 129. Stress distribution at SiO2/4H-SiC interface studied by Confocal Raman Microscopy W., Fu; A., Kobayashi; 矢野, 裕司; S., HaradaT., Sakurai 第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 13-166 (2018)
- 130. Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs X, Zhou; D, Okamoto; T, Hatakeyama; M, Sometani (+4 著者) H, Yano 第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 13-172 (2018)
- 131. SiCパワーMOSFETの現状と信頼性技術 矢野, 裕司 半導体信頼性技術ガイドラインセミナー (2018)
- 132. Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces 張, 旭芳; 岡本, 大; 畠山, 哲夫; 染谷, 満 (+2 著者) 矢野, 裕司 電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第23回研究会 講演予稿集 199 - 202 (2018)
- 133. Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method Karamoto, YUki; Zhang, Xufang; Okamoto, Dai; Sometani, Mitsuru (+3 著者) Yano, Hiroshi Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices 145 - 146 (2017)
- 134. Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors Zhang, Xufang; Okamoto, Dai; Hatakeyama, Tetsuo; Sometani, Mitsuru (+2 著者) Yano, Hiroshi Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices 149 - 150 (2017)
- 135. Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses 張, 旭芳; 岡本, 大; 畠山, 哲夫; 染谷, 満 (+2 著者) 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集 57 - 58 (2017)
- 136. コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析 唐本, 祐樹; 張, 旭芳; 岡本, 大; 染谷, 満 (+3 著者) 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集 261 - 262 (2017)
- 137. 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果 畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大 (+3 著者) 奥村元 先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集 177 - 178 (2017)
- 138. 長時間ストレス印加時のしきい値電圧変動に対する測定法の影響 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 岡本光央 (+4 著者) 奥村元 先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集 253 - 254 (2017)
- 139. Comparison between Conduction Mechanisms of Leakage Current in Nitrided Thermal SiO2 Strates on 4H-SiC Si- and C-face Substrates Y. Kiuchi; Sometani, M; Okamoto, D; Hatakeyama, T (+3 著者) Okumura, H Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices 151 - 152 (2017)
- 140. SiCパワーMOSFETの現状と信頼性技術 矢野, 裕司 半導体信頼性技術ガイドラインセミナー (2017)
- 1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 矢野, 裕司 シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
- 2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET) Angel Business Communications publication 2017年6月
- 1. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
- 2. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
- 3. Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 4. Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis Kashiwa, Keisuke; Yao, Kailun; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸; Harada, Shinsuke The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 5. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad 凱倫, 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 6. 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析 森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日 応用物理学会
- 7. Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement Cui, Xiaoran; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
- 8. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
- 9. TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析 髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和4年電気学会全国大会 2022年3月21日 電気学会
- 10. 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析 森海斗; 亀和田亮; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
- 11. モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討 西城智哉; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
- 12. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価 坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田, 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会 招待有り
- 13. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
- 14. Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs 戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
- 15. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis 姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 IEEE, IEEJ
- 16. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 17. 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 18. 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析 松谷, 優汰; 矢野, 裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
- 19. 4H-SiC ショットキー PN ダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 20. 4H-SiC ショットキーpn ダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 1. 特願2015‐030433: •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
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