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矢野裕司

Yano, Hiroshi

数理物質系 , 教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Professor

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141. Analysis of fast and slow responses in AC conductance curves for p-type SiC MOS capacitors Yuki Karamoto; Xufang Zhang; Dai Okamoto; Mitsuru Sometani (+3 著者) Hiroshi Yano
Japanese Journal of Applied Physics 57: 06KA06-1 (2018) Semantic Scholar
142. Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors Xufang Zhang; Dai Okamoto; Tetsuo Hatakeyama; Mitsuru Sometani (+2 著者) Hiroshi Yano
Japanese Journal of Applied Physics 57: 06KA04-1 (2018) Semantic Scholar
143. Methodology for Enhanced Short-Circuit Capability of SiC MOSFETs An, Junjie; Namai, Masaki; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (+1 著者) Harada, Shinsuke
Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (IEEE ISPSD) 391 (2018)
144. Hole trapping in SiC-MOS devices evaluated by fast-capacitance-voltage method Mariko Hayashi; Mitsuru Sometani; Tetsuo Hatakeyama; Hiroshi YanoShinsuke Harada
Japanese Journal of Applied Physics 57: 04FR15-1 (2018) Semantic Scholar
145. Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions Mitsuru Sometani; Mitsuo Okamoto; Tetsuo Hatakeyama; Yohei Iwahashi (+5 著者) Hajime Okumura
Japanese Journal of Applied Physics 57: 04FA07-1 (2018) Semantic Scholar
146. メタルアニール工程を省いた4H-SiCイオン注入n+層オーミックコンタクト実現の検討北島魁人; 岡本大; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
平成30年電気学会全国大会講演論文集 4-011 (2018)
147. Stress distribution at SiO2/4H-SiC interface studied by Confocal Raman Microscopy W., Fu; A., Kobayashi; 矢野, 裕司; S., HaradaT., Sakurai
第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 13-166 (2018)
148. Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs X, Zhou; D, Okamoto; T, Hatakeyama; M, Sometani (+4 著者) H, Yano
第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 13-172 (2018)
149. SiCパワーMOSFETの現状と信頼性技術矢野, 裕司
半導体信頼性技術ガイドラインセミナー (2018)
150. Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces 張, 旭芳; 岡本, 大; 畠山, 哲夫; 染谷, 満 (+2 著者) 矢野, 裕司
電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－第23回研究会講演予稿集 199 (2018)
151. Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method Karamoto, YUki; Zhang, Xufang; Okamoto, Dai; Sometani, Mitsuru (+3 著者) Yano, Hiroshi
Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices 145 (2017)
152. Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors Zhang, Xufang; Okamoto, Dai; Hatakeyama, Tetsuo; Sometani, Mitsuru (+2 著者) Yano, Hiroshi
Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices 149 (2017)
153. Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses 張, 旭芳; 岡本, 大; 畠山, 哲夫; 染谷, 満 (+2 著者) 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第4回講演会予稿集 57 (2017)
154. コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析唐本, 祐樹; 張, 旭芳; 岡本, 大; 染谷, 満 (+3 著者) 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第4回講演会予稿集 261 (2017)
155. 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大 (+3 著者) 奥村元
先進パワー半導体分科会第4回講演会予稿集 177 (2017)
156. 長時間ストレス印加時のしきい値電圧変動に対する測定法の影響木内祐治; 染谷満; 岡本大; 岡本光央 (+4 著者) 奥村元
先進パワー半導体分科会第4回講演会予稿集 253 (2017)
157. Comparison between Conduction Mechanisms of Leakage Current in Nitrided Thermal SiO2 Strates on 4H-SiC Si- and C-face Substrates Y. Kiuchi; Sometani, M; Okamoto, D; Hatakeyama, T (+3 著者) Okumura, H
Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices 151 (2017)
158. SiCパワーMOSFETの現状と信頼性技術矢野, 裕司
半導体信頼性技術ガイドラインセミナー (2017)
159. SiC MOSデバイスにおける界面欠陥と信頼性矢野, 裕司
第37回ナノテスティングシンポジウム (NANOTS2017) 会議録 189 (2017)
160. Hole Trapping in SiC-MOS Devices Evaluated by Fast-CV Method M., Hayashi; M., Sometani; T., Hatakeyama; 矢野, 裕司S., Harada
Extended abstract of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials 695 (2017)

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1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開矢野, 裕司
シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET)
Angel Business Communications publication 2017年6月

1. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵武志; 原田, 信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日応用物理学会
2. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日応用物理学会
3. Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵武志; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
4. Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis Kashiwa, Keisuke; Yao, Kailun; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸; Harada, Shinsuke
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
5. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad 凱倫, 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
6. 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日応用物理学会
7. Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement Cui, Xiaoran; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
8. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討秋葉淳宏; 矢野, 裕司
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
9. TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
令和4年電気学会全国大会 2022年3月21日電気学会
10. 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析森海斗; 亀和田亮; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会第8回講演会 2021年12月9日応用物理学会
11. モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討西城智哉; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会第８回講演会 2021年12月9日応用物理学会
12. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田, 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
応用物理学会先進パワー半導体分科会第8回講演会 2021年12月9日応用物理学会招待有り
13. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs 松井ケビン; 饗場塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日電気学会
14. Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs 戸高駿希; 松井ケビン; 饗場塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日電気学会
15. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis 姚凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 IEEE, IEEJ
16. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
17. 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
18. 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析松谷, 優汰; 矢野, 裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
19. 4H-SiC ショットキー PN ダイオードのスイッチング特性解析亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
20. 4H-SiC ショットキーpn ダイオードの高耐圧化北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会