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矢野 裕司
Yano, Hiroshi
数理物質系 , 准教授 Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor
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- 141. SiC MOSデバイスにおける界面欠陥と信頼性 矢野, 裕司 第37回ナノテスティングシンポジウム (NANOTS2017) 会議録 189 - 193 (2017)
- 142. Hole Trapping in SiC-MOS Devices Evaluated by Fast-CV Method M., Hayashi; M., Sometani; T., Hatakeyama; 矢野, 裕司S., Harada Extended abstract of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials 695 - 696 (2017)
- 143. Characterization of Traps at SiO2/SiC (000-1) near the Conduction Band Edge by Using Hall Effect Measurements Hatakeyama, T; Kiuchi, Y; Sometani, M; Okamoto, D (+3 著者) Okumura, H Extended abstracts of the 2017 International Conference on Silicon Carbide and Related materials TU.B1.2 (2017)
- 144. Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions Sometani, Mitsuru; Okamoto, Mitsuo; Hatakeyama, Tetsuo; Iwahashi, Yohei (+5 著者) Okumura, Hajime Extended abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials 687 - 688 (2017)
- 145. 三次元アトムプローブを用いたSiO2/SiC界面窒素の評価 山田敬一; 藤掛伸二; 岩橋洋平; 原田信介 (+1 著者) 奥村元 第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 13-003 (2017)
- 146. コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析 唐本, 祐樹; 張, 旭芳; 岡本, 大; 染谷, 満 (+3 著者) 矢野, 裕司 第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 13-009 (2017)
- 147. 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果 畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大 (+3 著者) 奥村元 第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 13-007 (2017)
- 148. Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses 張, 旭芳; 岡本, 大; 畠山, 哲夫; 染谷, 満 (+2 著者) 矢野, 裕司 第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 13-005 (2017)
- 149. 長時間ストレスによるしきい値電圧変動予測に対する測定法の影響 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫 (+4 著者) 奥村元 第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 13-011 (2017)
- 150. 異原子導入によるSiC MOSFETの特性改善 岡本, 大; 矢野裕司 Oyo Buturi 86: 781 - 785 (2017)
- 151. Characterization of near-interface traps at 4H-SiC metal-oxide-semiconductor interfaces using modified distributed circuit model Xufang Zhang; Dai Okamoto; Tetsuo Hatakeyama; Mitsuru Sometani (+3 著者) Hiroshi Yano APPLIED PHYSICS EXPRESS 10: 064101-1 - 064101-4 (2017) Semantic Scholar
- 152. Dynamic characterization of the threshold voltage instability under the pulsed gate bias stress in 4H-SiC MOSFET Mitsuo Okamoto; Mitsuru Sometani; Shinsuke Harada; Hiroshi YanoHajime Okumura Materials Science Forum 897: 549 - 552 (2017) Semantic Scholar
- 153. Evaluation of drain current decrease by AC gate bias stress in commercially available SiC MOSFETs Mitsuru Sometani; Yohei Iwahashi; Mitsuo Okamoto; Shinsuke Harada (+2 著者) Hiroshi Yano Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 395 - 398 (2017) Semantic Scholar
- 154. Experimental and numerical demonstration and optimized methods for SiC trench MOSFET short-circuit capability Masaki Namai; Junjie An; Hiroshi Yano; Noriyuki Iwamuro Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 363 - 366 (2017) Semantic Scholar
- 155. Unclamped Inductive Switching試験による4H-SiC MOSFETの最大接合温度の評価 安, 俊傑; 生井, 正輝; 岡本, 大; 矢野, 裕司 (+1 著者) 岩室, 憲幸 IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 137: 216 - 221 (2017) Semantic Scholar
- 156. Experimental Demonstration of -730V Vertical SiC p-MOSFET with High Short Circuit Withstand Capability for Complementary Inverter Applications An, J; Namai, M; Tanabe, M; Okamoto, D (+1 著者) Iwamuro, N Technical Digest of International Electron Device Meeting 2016 IEDM16-272 - IEDM16-275 (2016) Semantic Scholar
- 157. Characterization of Traps at Nitrided SiO2/SiC Interfaces near the Conduction Band Edge by using Hall Effect Measurements Hatakeyama, T; Kiuchi, Y; Sometani, M; Okamoto, D (+3 著者) Okumura, H Abstracts of 47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference 11.17 (2016)
- 158. A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors Zhang, X. F; Okamoto, D; Hatakeyama, T; M. Sometani (+3 著者) Yano, Hiroshi Abstacts of 47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference 11.15 (2016)
- 159. SiC酸化膜への窒素、リン、ホウ素添加による界面特性改善効果 Yano,Hiroshi 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第2回個別討論会テキスト 2: 21 - 34 (2016)
- 160. SiC MOSFETとMOS界面の最近の進展 矢野, 裕司 Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 35: 7 - 7 (2015)
- 1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 矢野, 裕司 シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
- 2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET) Angel Business Communications publication 2017年6月
- 1. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
- 2. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日 応用物理学会
- 3. Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 4. Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis Kashiwa, Keisuke; Yao, Kailun; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸; Harada, Shinsuke The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 5. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad 凱倫, 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
- 6. 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析 森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日 応用物理学会
- 7. Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement Cui, Xiaoran; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
- 8. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
- 9. TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析 髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和4年電気学会全国大会 2022年3月21日 電気学会
- 10. 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析 森海斗; 亀和田亮; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
- 11. モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討 西城智哉; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会 2021年12月9日 応用物理学会
- 12. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価 坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田, 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月9日 応用物理学会 招待有り
- 13. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
- 14. Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs 戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 電気学会
- 15. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis 姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 IEEE, IEEJ
- 16. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 17. 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 18. 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析 松谷, 優汰; 矢野, 裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
- 19. 4H-SiC ショットキー PN ダイオードのスイッチング特性解析 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 20. 4H-SiC ショットキーpn ダイオードの高耐圧化 北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 応用物理学会
- 1. 特願2015‐030433: •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
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