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矢野裕司

Yano, Hiroshi

数理物質系 , 教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Professor

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161. Characterization of Traps at SiO2/SiC (000-1) near the Conduction Band Edge by Using Hall Effect Measurements Hatakeyama, T; Kiuchi, Y; Sometani, M; Okamoto, D (+3 著者) Okumura, H
Extended abstracts of the 2017 International Conference on Silicon Carbide and Related materials TU.B1.2 (2017)
162. Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions Sometani, Mitsuru; Okamoto, Mitsuo; Hatakeyama, Tetsuo; Iwahashi, Yohei (+5 著者) Okumura, Hajime
Extended abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials 687 (2017)
163. 三次元アトムプローブを用いたSiO2/SiC界面窒素の評価山田敬一; 藤掛伸二; 岩橋洋平; 原田信介 (+1 著者) 奥村元
第78回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 13-003 (2017)
164. コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析唐本, 祐樹; 張, 旭芳; 岡本, 大; 染谷, 満 (+3 著者) 矢野, 裕司
第78回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 13-009 (2017)
165. 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大 (+3 著者) 奥村元
第78回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 13-007 (2017)
166. Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses 張, 旭芳; 岡本, 大; 畠山, 哲夫; 染谷, 満 (+2 著者) 矢野, 裕司
第78回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 13-005 (2017)
167. 長時間ストレスによるしきい値電圧変動予測に対する測定法の影響木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫 (+4 著者) 奥村元
第78回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 13-011 (2017)
168. 異原子導入によるSiC MOSFETの特性改善岡本, 大; 矢野裕司
Oyo Buturi 86: 781 (2017)
169. Characterization of near-interface traps at 4H-SiC metal-oxide-semiconductor interfaces using modified distributed circuit model Xufang Zhang; Dai Okamoto; Tetsuo Hatakeyama; Mitsuru Sometani (+3 著者) Hiroshi Yano
APPLIED PHYSICS EXPRESS 10: 064101-1 (2017) Semantic Scholar
170. Dynamic characterization of the threshold voltage instability under the pulsed gate bias stress in 4H-SiC MOSFET Mitsuo Okamoto; Mitsuru Sometani; Shinsuke Harada; Hiroshi YanoHajime Okumura
Materials Science Forum 897: 549 (2017) Semantic Scholar
171. Evaluation of drain current decrease by AC gate bias stress in commercially available SiC MOSFETs Mitsuru Sometani; Yohei Iwahashi; Mitsuo Okamoto; Shinsuke Harada (+2 著者) Hiroshi Yano
Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 395 (2017) Semantic Scholar
172. Experimental and numerical demonstration and optimized methods for SiC trench MOSFET short-circuit capability Masaki Namai; Junjie An; Hiroshi Yano; Noriyuki Iwamuro
Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 363 (2017) Semantic Scholar
173. Unclamped Inductive Switching試験による4H-SiC MOSFETの最大接合温度の評価安, 俊傑; 生井, 正輝; 岡本, 大; 矢野, 裕司 (+1 著者) 岩室, 憲幸
IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 137: 216 (2017) Semantic Scholar
174. Experimental Demonstration of -730V Vertical SiC p-MOSFET with High Short Circuit Withstand Capability for Complementary Inverter Applications An, J; Namai, M; Tanabe, M; Okamoto, D (+1 著者) Iwamuro, N
Technical Digest of International Electron Device Meeting 2016 IEDM16-272 (2016) Semantic Scholar
175. Characterization of Traps at Nitrided SiO2/SiC Interfaces near the Conduction Band Edge by using Hall Effect Measurements Hatakeyama, T; Kiuchi, Y; Sometani, M; Okamoto, D (+3 著者) Okumura, H
Abstracts of 47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference 11.17 (2016)
176. A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors Zhang, X. F; Okamoto, D; Hatakeyama, T; M. Sometani (+3 著者) Yano, Hiroshi
Abstacts of 47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference 11.15 (2016)
177. SiC酸化膜への窒素、リン、ホウ素添加による界面特性改善効果 Yano,Hiroshi
応用物理学会先進パワー半導体分科会第2回個別討論会テキスト 2: 21 (2016)
178. SiC MOSFETとMOS界面の最近の進展矢野, 裕司
Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 35: 7 (2015)
179. Improved Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Boron Passivation Dai Okamoto; Mitsuru Sometani; Shinsuke Harada; Ryoji Kosugi (+1 著者) Hiroshi Yano
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 35: 1176 (2014) Semantic Scholar

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1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開矢野, 裕司
シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET)
Angel Business Communications publication 2017年6月

1. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵武志; 原田, 信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日応用物理学会
2. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日応用物理学会
3. Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵武志; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
4. Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis Kashiwa, Keisuke; Yao, Kailun; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸; Harada, Shinsuke
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
5. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad 凱倫, 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
6. 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日応用物理学会
7. Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement Cui, Xiaoran; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
8. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討秋葉淳宏; 矢野, 裕司
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
9. TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
令和4年電気学会全国大会 2022年3月21日電気学会
10. 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析森海斗; 亀和田亮; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会第8回講演会 2021年12月9日応用物理学会
11. モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討西城智哉; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会第８回講演会 2021年12月9日応用物理学会
12. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田, 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
応用物理学会先進パワー半導体分科会第8回講演会 2021年12月9日応用物理学会招待有り
13. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs 松井ケビン; 饗場塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日電気学会
14. Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs 戸高駿希; 松井ケビン; 饗場塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日電気学会
15. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis 姚凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 IEEE, IEEJ
16. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
17. 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
18. 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析松谷, 優汰; 矢野, 裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
19. 4H-SiC ショットキー PN ダイオードのスイッチング特性解析亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
20. 4H-SiC ショットキーpn ダイオードの高耐圧化北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会