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矢野 裕司

Yano, Hiroshi

数理物質系 , 教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Professor

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  1. 1. SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性 子安, 葵; 新郷, 諒介; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
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  2. 2. 時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用 横山, 義希; 堀内, 颯介; 福永, 博生; 島袋, 聞多 (+4 著者) 梅田, 享英
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  3. 3. 低直流電圧印加 時 における SiC MOSFET 負荷短絡破壊メカニズムの解析 鹿志村快音; 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 11-147 (2025)
  4. 4. SiC SBD高温・高湿バイアス試験後の 周辺耐圧領域解析 阿部洸太; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      令和7年電気学会全国大会 講演論文集 4: 143 (2025)
  5. 5. A study on turn-off, and on-resistance and short-circuit capability trade-off characteristics in 1.2 kV SiC MOSFETs Suzuki, Kazuhiro; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki
      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63: (2024)
  6. 6. Unique short-circuit failure mechanisms in 1.2-kV SiC planar MOSFETs 鈴木一広; 鹿志村快音; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
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  7. 7. 4H-SiC 横型 p-ch SJ-MOSFETの高温状態における性能改善 吉田, 開; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第11回講演会 予稿集 89 (2024)
  8. 8. SiC MOSFETへのゲートACストレス印加時の発光としきい値電圧変動の関係 新郷, 諒介; 円城寺, 佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第11回講演会 予稿集 81 (2024)
  9. 9. 電子線照射がSiCパワーMOSFETのチャネル特性に与える影響 松木, 康太郎; 市川, 義人; 小野澤, 勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第11回講演会 予稿集 93 (2024)
  10. 10. パワーデバイスと信頼性の基礎 矢野, 裕司
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  11. 11. Relationship between luminescence and threshold voltage shift in SiC MOSFETs under gate AC stress Shingo, Ryosuke; Enjoji, Yuya; Iwamuro, Noriyuki; YANO, Hiroshi
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  12. 12. 電子線照射がSiCおよびSi MOSFETのチャネル特性に及ぼす影響 松木, 康太郎; 市川, 義人; 小野澤, 勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司
      第85回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集 12-256 (2024)
  13. 13. SiC MOSFETへのゲートACストレス印加による発光としきい値電圧変動 新郷, 諒介; 円城寺, 佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      第85回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集 12-266 (2024)
  14. 14. Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光 堀内, 颯介; 福永, 博生; 島袋, 聞多; 矢野, 裕司 (+3 著者) 梅田, 享英
      第85回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集 12-191 (2024)
  15. 15. Impact of electron irradiation on SiC power MOSFET performance Matsuki, Kotaro; Ichikawa, Yoshihito; Onozawa, Yuichi; Iwamuro, NoriyukiYANO, Hiroshi
      Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 563 (2024)
  16. 16. Spin-dependent-charge-pumping spectroscopy on p-channel 4H-SiC MOSFETs Horiuchi, Sosuke; Fukunaga, Hiroki; Shimabukuro, Bunta; YANO, Hiroshi (+3 著者) Umeda, Takahide
      Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 307 (2024)
  17. 17. Three-Level Charge Pumping Technique for SiC-MOS Interface Characterization YANO, Hiroshi
      Abstracts of 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 507 (2024)
  18. 18. A Study of Electrical Characteristics of State-of-the-Art 1.2-kV SiC Planar and Trench MOSFETs 鈴木一広; 矢野裕司; IWAMURO, Noriyuki
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  19. 19. Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress YANO, Hiroshi; Enjoji, Yuya; Shingo, Ryosuke; Iwamuro, Noriyuki
      Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 367 (2024)
  20. 20. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析 菊池真矢; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 32 (2024)
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  1. 1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 矢野, 裕司
    シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
  2. 2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET)
    Angel Business Communications publication 2017年6月

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