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矢野 裕司
Yano, Hiroshi
数理物質系 , 教授 Institute of Pure and Applied Sciences , Professor
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Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress
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SiC トレンチ MOSFET 内蔵pin ダイオードに おける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性
金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
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戸高 駿希; 松井 ケビン; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
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電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第25回研究会 2020年1月31日
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The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface
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The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface
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1. 特願2015‐030433: •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
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