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矢野 裕司
Yano, Hiroshi
数理物質系 , 准教授 Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor
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- 1. チャージポンピング法によるMOS界面欠陥評価のための+αの研究技術 矢野, 裕司 Oyo Buturi 93: 179 - 183 (2024)
- 2. 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 34 - 35 (2024)
- 3. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析 菊池真矢; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 32 - 33 (2024)
- 4. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 37 - 38 (2024)
- 5. 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 101 - 102 (2023)
- 6. SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果 松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 103 - 104 (2023)
- 7. ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 105 - 106 (2023)
- 8. Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique Akiba, Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) C.1 (2023)
- 9. Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress Enjoji, Yuya; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) Mo.C.11 (2023)
- 10. The effect of biaxial strain on the phonon-limited mobility in 4H-SiC MOSFETs Fu, Wei; Yano, Hiroshi; Sakurai, Takeaki; Ueda, Akiko APPLIED PHYSICS EXPRESS 16: 081002-1 - 081002-6 (2023) Semantic Scholar
- 11. Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs 250 - 253 (2023)
- 12. チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 第70回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 12-095 (2023)
- 13. Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs 柏佳介; 髙橋光希; 北村雄大; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC2073-1 - SC1073-10 (2023) Semantic Scholar
- 14. バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 75 - 75 (2022)
- 15. Study on enhancing of the surge current capabilities of embedded SBDs in SWITCH-MOSs and body-PiN-diodes in SiC trench MOSFETs 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志 (+3 著者) Iwamuro, Noriyuki JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC1007-1 - SC1007-9 (2022) Semantic Scholar
- 16. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価:酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 73 - 74 (2022)
- 17. モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 91 - 92 (2022)
- 18. Significant Improvement of Switching Characteristics in a 1.2-kV SiC SWITCH-MOS by the Application of Kelvin Source Connection 松井ケビン; 俵 武志; 原田, 信介; 田中聡 (+2 著者) Iwamuro, Noriyuki IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING 18: 278 - 285 (2022) Semantic Scholar
- 19. SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み 矢野, 裕司 結晶加工と評価技術 第145委員会 第176回研究会資料 22 - 28 (2022)
- 20. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 701 - 702 (2022)
- 1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 矢野, 裕司 シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
- 2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET) Angel Business Communications publication 2017年6月
- 21. 高ショットキー障壁金属を適用した1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFETのスイッチング特性評価 松井ケビン; 饗場 塁士; 柏, 佳介; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和3年電気学会全国大会 2021年3月9日 電気学会
- 22. 熱応力シミュレーションを用いた1.2 kV SBD内蔵 SiC トレンチMOSFET(SWITCH-MOS)の負荷短絡耐量解析 柏, 佳介; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和3年電気学会全国大会 2021年3月9日 電気学会
- 23. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価 坂田, 大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 矢野, 裕司; 岩室憲幸 先進パワー半導体分科会 第7回講演会 2020年12月9日
- 24. SiC-MOSFETのユニバーサル移動度の調査に基づく反転層電子の散乱機構の把握 大橋 輝之; 飯島 良介; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第7回講演会 2020年12月9日
- 25. 4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析 根本 宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第7回講演会 2020年12月9日 招待有り
- 26. Experimental Demonstration of Superior Vf-Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length 金森大河; 饗場 塁士; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki PCIM asia 2020 2020年11月16日
- 27. Development of Analytical Channel Mobility Model Based on Study of Universal Mobility in SiC MOSFET Ohashi, Teruyuki; Iijima, Ryosuke; Yano, Hiroshi 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020) 2020年9月27日
- 28. Influence of Interface Traps on the Shape of Split C-V Curves of 4H-SiC MOSFETs at Inversion Cui, Xiaoran; Iwamuro, Noriyuki; 矢野裕司 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020) 2020年9月27日 応用物理学会
- 29. Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress 大川 雅貴; 金森大河; 饗場 塁士; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2020) 2020年9月13日 IEEE
- 30. Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt 饗場 塁士; 松井ケビン; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2020) 2020年9月13日 IEEE
- 31. On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析 岡本大; 染谷満; 坂田大輝; 張旭芳; 松谷優汰; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; 矢野, 裕司; 岩室憲幸 第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月12日
- 32. Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs Gyozen, Sai; Dai, Okamoto; Noriyuki, Iwamuro; 矢野, 裕司 第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月12日
- 33. SiCトレンチMOSFET内蔵pin ダイオードにおける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性 金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和2年電気学会全国大会 2020年3月11日 電気学会
- 34. SiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性の順方向動作依存性の解析 亀和田亮; 饗場 塁士; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和2年電気学会全国大会 2020年3月11日 電気学会
- 35. SiC トレンチ MOSFET 内蔵pin ダイオードに おける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性 金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和2年電気学会全国大会 2020年3月11日 電気学会
- 36. 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析 戸高 駿希; 松井 ケビン; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和2年電気学会全国大会 2020年3月11日 電気学会
- 37. 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析 松井 ケビン; 戸高 駿希; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和2年電気学会全国大会 2020年3月11日 電気学会
- 38. SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析 岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第25回研究会 2020年1月31日
- 39. The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface 寺尾豊; 辻英徳; 細井卓治; 張旭芳; 矢野, 裕司; 志村考功; 渡部平司 電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第25回研究会 2020年1月31日
- 40. The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface Terao, Y; Tsuji, H; Hosoi, T; Zhang, X; Yano, Hiroshi; Shimura, T; Watanabe, H 50th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2019) 2019年12月11日
- 1. 特願2015‐030433: •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
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