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矢野裕司

Yano, Hiroshi

数理物質系 , 教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Professor

1. Comparative Study of Avalanche and Short-Circuit Reliability in 1.2-kV SiC MOSFETs 鈴木一広; 矢野裕司; 憲幸, 岩室
IEEE Transaction on Electron Devices 73: 4074 (2026)
2. Reliability of SiC SBD Edge Terminations under HV-H3TRB and Thermal Cycling Tests 阿部洸太; 矢野裕司; 憲幸, 岩室
Pcoceedings of 2026 IEEE 38th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Las Vegas, NV, USA, 2026 409 (2026)
3. 量産プロセス適用可能なホットウォール酸化炉を用いたSiC-MOS界面へのCO2 POA効果の検証染谷, 満; 平井, 悠久; 熊谷, 直樹; 矢野, 裕司 (+2 著者) 渡部, 平司
第73回応用物理学会春季学術講演会予稿集 13-171 (2026)
4. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのスイッチング損失に及ぼすチャージインバランスの影響解析吉田, 開; 矢野, 裕司; 岩室憲幸
令和8年電気学会全国大会予稿集 50 (2026)
5. 1.2 kV SiC DioMOSチャネル移動度の温度特性解析内山, 颯; 鹿志村快音; 鈴木一広; 矢野, 裕司岩室憲幸
令和8年電気学会全国大会予稿集 54 (2026)
6. 1.2 kV SiC-DioMOSの高温条件下でのオン抵抗-負荷短絡耐量トレードオフ特性鹿志村快音; 矢野, 裕司; 岩室憲幸
令和8年電気学会全国大会予稿集 54 (2026)
7. SiC MOSFETにおけるゲートACストレス下の発光観測とAC BTIメカニズムの検討新郷, 諒介; 矢野, 裕司; 岩室, 憲幸
先進パワー半導体分科会第12回講演会予稿集 153 (2025)
8. オン抵抗、アバランシェ耐量、ならびに負荷短絡耐量を同時改善する1.2-kV SiC MOSFETの最適ゲート構造の検討鈴木, 一広; 矢野, 裕司; 岩室憲幸
先進パワー半導体分科会第12回講演会予稿集 111 (2025)
9. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの寄生容量とスイッチング損失の関係吉田, 開; 矢野, 裕司; 岩室, 憲幸
先進パワー半導体分科会第12回講演会予稿集 109 (2025)
10. Mechanism of Threshold Voltage Drift in SiC MOSFETs under Bipolar AC Gate Stress via Photon-Assisted Electron Injection Shingo, Ryosuke; Enjoji, Yuya; Iwamuro, Noriyuki; YANO, Hiroshi
Abstract of The 22nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025 (ICSCRM 2025) 1086 (2025)
11. ゲートAC印加時におけるSiC MOSFETの発光によるしきい値電圧変動新郷, 諒介; 矢野, 裕司; 岩室憲幸
第85回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 13-216 (2025)
12. SiC MOSFETの順方向サージ電流耐量向上に関する検討鈴木, 一広; 矢野, 裕司; 岩室憲幸
第85回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 13-217 (2025)
13. 半導体物理後編－pn接合からMOSFETまで－矢野, 裕司
応用物理 94: 326 (2025)
14. 半導体物理前編－結晶構造からキャリア伝導まで－矢野, 裕司
応用物理 94: 270 (2025)
15. Investigation of optimum Gate Structures for 1.2-kV SiC MOSFETYs by Analyzing Avalanche and Short-circuit Withstanding Capability 岩室, 憲幸; 矢野裕司; 鈴木一広
Proceedings of the 37th International Symposium on Power Semicondctor Devices and ICs 393 (2025)
16. SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性子安, 葵; 新郷, 諒介; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
第72回応用物理学会春季学術講演会予稿集 11-146 (2025)
17. 時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用横山, 義希; 堀内, 颯介; 福永, 博生; 島袋, 聞多 (+4 著者) 梅田, 享英
第72回応用物理学会春季学術講演会予稿集 11-154 (2025)
18. 低直流電圧印加時における SiC MOSFET 負荷短絡破壊メカニズムの解析鹿志村快音; 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会予稿集 11-147 (2025)
19. SiC SBD高温・高湿バイアス試験後の周辺耐圧領域解析阿部洸太; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
令和7年電気学会全国大会講演論文集 4: 143 (2025)
20. A study on turn-off, and on-resistance and short-circuit capability trade-off characteristics in 1.2 kV SiC MOSFETs Suzuki, Kazuhiro; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63: (2024) Semantic Scholar

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1. SiCの製造・加工技術～結晶成長・加工プロセス技術と各種課題への対応～矢野, 裕司
情報機構 2025年12月 (ISBN: 9784865022933)
2. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開矢野, 裕司
シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
3. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET)
Angel Business Communications publication 2017年6月

41. 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価坂田, 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 根本宏樹; 張旭芳; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第6回講演会 2019年12月3日
42. ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第6回講演会 2019年12月3日
43. pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第6回講演会 2019年12月3日
44. 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第6回講演会 2019年12月3日
45. 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価比嘉栄斗; 染谷満; 原田信介; 梅田享英; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第6回講演会 2019年12月3日
46. SiC MOS Interface; What limits the channel mobility Yano, Hiroshi
2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2019 IWDTF) 2019年11月18日 The Japan Society of Applied Physics 招待有り
47. Influence of the Annealing Temperature on ALD-Al2O3/NAOS/Si MOS Interface Properties Fu, Wei; Zhang, Xufang; Umishio, Hiroshi; Traore, Aboulaye; Yano, Hiroshi; Sakurai, Takeaki
The 29th International Confrence on Photovoltaic Sciene and Enginnering (PVSEC-29) 2019年11月4日
48. Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length Kanamori, Taiga; Aiba, Ruito; Okawa, Masataka; Harada, Shinsuke; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) 2019年9月29日
49. Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method 岡本大; 根本宏樹; 張旭芳; 周星炎; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; Iwamuro, Noriyuki; 矢野裕司
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) 2019年9月29日
50. Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias Nemoto, Hiroki; Okamoto, Dai; Zhang, Xufang; Sometani, Mitsuru; Okamoto, Mitsuo; Hatakeyama, Tetsuo; Harada, Shinsuke; Iwamuro, Noriyuki; Yano, Hiroshi
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
51. Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs Zhou, Xingyan; Okamoto, Dai; Zhang, Xufang; Sometani, Mitsuru; Okamoto, Mitsuo; Harada, Shinsuke; Iwamuro, Noriyuki; Yano, Hiroshi
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
52. Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps Matsuya, Yuta; Zhang, Xufang; Okamoto, Dai; Iwamuro, Noriyuki; Yano, Hiroshi
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
53. Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces Higa, Eito; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke; Yano, Hiroshi; Umeda, Takahide
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
54. The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study Umeda, Takahide; Kobayashi, Takuma; Matsushita, Yu-ichro; Higa, Eito; Yano, Hiroshi; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
55. Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides Zhang, Xufang; Okamoto, Dai; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke; Iwamuro, Noriyuki; Yano, Hiroshi
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
56. Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET based on Temperature-dependent Hall Effect Measurement Takeda, Hironori; Sometani, Mitsuru; Hosoi, Takuji; Shimura, Takayoshi; Yano, Hiroshi; Watanabe, Heiji
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
57. 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFET の3 レベルチャージポンピング特性の解析松谷, 優汰; 張, 旭芳; 岡本, 大; 岩室, 憲幸; 矢野, 裕司
2019年応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日応用物理学会
58. 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析松谷, 優汰; 張, 旭芳; 岡本, 大; 岩室, 憲幸; 矢野, 裕司
第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日応用物理学会
59. Effect of annealing temperature on Al2O3/NAOS/Si MOS interface properties Wei, Fu; Xufang, Zhang; Hiroshi, Umishio; Aboulaye, Traore; 矢野, 裕司; Takeaki, Sakurai
第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日
60. SiO2/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性辻英徳; 寺尾豊; 細井卓治; 張旭芳; 矢野, 裕司; 志村考功; 渡部平司
第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日