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矢野 裕司
Yano, Hiroshi
数理物質系 , 准教授 Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor
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- 3. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析 菊池真矢; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 32 - 33 (2024)
- 4. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 37 - 38 (2024)
- 5. 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 101 - 102 (2023)
- 6. SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果 松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 103 - 104 (2023)
- 7. ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 105 - 106 (2023)
- 8. Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique Akiba, Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) C.1 (2023)
- 9. Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress Enjoji, Yuya; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) Mo.C.11 (2023)
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- 11. Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs 250 - 253 (2023)
- 12. チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 第70回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 12-095 (2023)
- 13. Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs 柏佳介; 髙橋光希; 北村雄大; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC2073-1 - SC1073-10 (2023) Semantic Scholar
- 14. バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 75 - 75 (2022)
- 15. Study on enhancing of the surge current capabilities of embedded SBDs in SWITCH-MOSs and body-PiN-diodes in SiC trench MOSFETs 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志 (+3 著者) Iwamuro, Noriyuki JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC1007-1 - SC1007-9 (2022) Semantic Scholar
- 16. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価:酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 73 - 74 (2022)
- 17. モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 91 - 92 (2022)
- 18. Significant Improvement of Switching Characteristics in a 1.2-kV SiC SWITCH-MOS by the Application of Kelvin Source Connection 松井ケビン; 俵 武志; 原田, 信介; 田中聡 (+2 著者) Iwamuro, Noriyuki IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING 18: 278 - 285 (2022) Semantic Scholar
- 19. SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み 矢野, 裕司 結晶加工と評価技術 第145委員会 第176回研究会資料 22 - 28 (2022)
- 20. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 701 - 702 (2022)
- 1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 矢野, 裕司 シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
- 2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET) Angel Business Communications publication 2017年6月
- 41. 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価 坂田, 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 根本宏樹; 張旭芳; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 2019年12月3日
- 42. pチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明 周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 2019年12月3日
- 43. pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析 根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 2019年12月3日
- 44. 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析 松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 2019年12月3日
- 45. 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価 比嘉栄斗; 染谷満; 原田信介; 梅田享英; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 2019年12月3日
- 46. SiC MOS Interface; What limits the channel mobility Yano, Hiroshi 2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2019 IWDTF) 2019年11月18日 The Japan Society of Applied Physics 招待有り
- 47. Influence of the Annealing Temperature on ALD-Al2O3/NAOS/Si MOS Interface Properties Fu, Wei; Zhang, Xufang; Umishio, Hiroshi; Traore, Aboulaye; Yano, Hiroshi; Sakurai, Takeaki The 29th International Confrence on Photovoltaic Sciene and Enginnering (PVSEC-29) 2019年11月4日
- 48. Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length Kanamori, Taiga; Aiba, Ruito; Okawa, Masataka; Harada, Shinsuke; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) 2019年9月29日
- 49. Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method 岡本 大; 根本 宏樹; 張 旭芳; 周 星炎; 染谷 満; 岡本 光央; 原田 信介; 畠山 哲夫; Iwamuro, Noriyuki; 矢野 裕司 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) 2019年9月29日
- 50. Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias Nemoto, Hiroki; Okamoto, Dai; Zhang, Xufang; Sometani, Mitsuru; Okamoto, Mitsuo; Hatakeyama, Tetsuo; Harada, Shinsuke; Iwamuro, Noriyuki; Yano, Hiroshi International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
- 51. Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs Zhou, Xingyan; Okamoto, Dai; Zhang, Xufang; Sometani, Mitsuru; Okamoto, Mitsuo; Harada, Shinsuke; Iwamuro, Noriyuki; Yano, Hiroshi International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
- 52. Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps Matsuya, Yuta; Zhang, Xufang; Okamoto, Dai; Iwamuro, Noriyuki; Yano, Hiroshi International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
- 53. Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces Higa, Eito; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke; Yano, Hiroshi; Umeda, Takahide International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
- 54. The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study Umeda, Takahide; Kobayashi, Takuma; Matsushita, Yu-ichro; Higa, Eito; Yano, Hiroshi; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
- 55. Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides Zhang, Xufang; Okamoto, Dai; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke; Iwamuro, Noriyuki; Yano, Hiroshi International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
- 56. Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET based on Temperature-dependent Hall Effect Measurement Takeda, Hironori; Sometani, Mitsuru; Hosoi, Takuji; Shimura, Takayoshi; Yano, Hiroshi; Watanabe, Heiji International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019年9月29日
- 57. 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFET の3 レベルチャージポンピング特性の解析 松谷, 優汰; 張, 旭芳; 岡本, 大; 岩室, 憲幸; 矢野, 裕司 2019年応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日 応用物理学会
- 58. 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析 松谷, 優汰; 張, 旭芳; 岡本, 大; 岩室, 憲幸; 矢野, 裕司 第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日 応用物理学会
- 59. Effect of annealing temperature on Al2O3/NAOS/Si MOS interface properties Wei, Fu; Xufang, Zhang; Hiroshi, Umishio; Aboulaye, Traore; 矢野, 裕司; Takeaki, Sakurai 第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日
- 60. SiO2/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性 辻英徳; 寺尾豊; 細井卓治; 張旭芳; 矢野, 裕司; 志村考功; 渡部平司 第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日
- 1. 特願2015‐030433: •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
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