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矢野 裕司
Yano, Hiroshi
数理物質系 , 准教授 Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor
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- 1. チャージポンピング法によるMOS界面欠陥評価のための+αの研究技術 矢野, 裕司 Oyo Buturi 93: 179 - 183 (2024)
- 2. 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 34 - 35 (2024)
- 3. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析 菊池真矢; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 32 - 33 (2024)
- 4. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 37 - 38 (2024)
- 5. 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 101 - 102 (2023)
- 6. SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果 松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 103 - 104 (2023)
- 7. ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 105 - 106 (2023)
- 8. Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique Akiba, Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) C.1 (2023)
- 9. Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress Enjoji, Yuya; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) Mo.C.11 (2023)
- 10. The effect of biaxial strain on the phonon-limited mobility in 4H-SiC MOSFETs Fu, Wei; Yano, Hiroshi; Sakurai, Takeaki; Ueda, Akiko APPLIED PHYSICS EXPRESS 16: 081002-1 - 081002-6 (2023) Semantic Scholar
- 11. Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs 250 - 253 (2023)
- 12. チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 第70回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 12-095 (2023)
- 13. Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs 柏佳介; 髙橋光希; 北村雄大; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC2073-1 - SC1073-10 (2023) Semantic Scholar
- 14. バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 75 - 75 (2022)
- 15. Study on enhancing of the surge current capabilities of embedded SBDs in SWITCH-MOSs and body-PiN-diodes in SiC trench MOSFETs 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志 (+3 著者) Iwamuro, Noriyuki JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC1007-1 - SC1007-9 (2022) Semantic Scholar
- 16. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価:酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 73 - 74 (2022)
- 17. モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 91 - 92 (2022)
- 18. Significant Improvement of Switching Characteristics in a 1.2-kV SiC SWITCH-MOS by the Application of Kelvin Source Connection 松井ケビン; 俵 武志; 原田, 信介; 田中聡 (+2 著者) Iwamuro, Noriyuki IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING 18: 278 - 285 (2022) Semantic Scholar
- 19. SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み 矢野, 裕司 結晶加工と評価技術 第145委員会 第176回研究会資料 22 - 28 (2022)
- 20. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 701 - 702 (2022)
- 1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 矢野, 裕司 シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
- 2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET) Angel Business Communications publication 2017年6月
- 61. pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析 根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日
- 62. The effect of biaxial stress on the carrier-transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces Fu, W; Ueda, A; Yano, Hiroshi; Harada, S; Sakurai, T 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 2019年9月2日
- 63. Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET 凱倫, 姚; 矢野 裕司; Iwamuro, Noriyuki The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019) 2019年5月19日
- 64. Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信介; 矢野 裕司; Iwamuro, Noriyuki The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019) 2019年5月19日
- 65. Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs 大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 原田 信介; 矢野 裕司; Iwamuro, Noriyuki The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019) 2019年5月19日
- 66. SiC酸化膜界面の基礎物性解明に向けて 矢野, 裕司; 岡本大; 梅田享英; 櫻井岳暁; 蓮沼隆 SIP「次世代パワーエレクトロニクス」公開シンポジウム 2019年3月28日
- 67. SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析 大川 雅貴; 飯嶋竜司; 岡本大; 矢野 裕司; 岩室 憲幸 平成31年電気学会全国大会 2019年3月12日 電気学会
- 68. SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信介; 矢野 裕司; 岩室 憲幸 平成31年電気学会全国大会 2019年3月12日 電気学会
- 69. SiCトレンチMOSFETの内蔵ダイオードの特性解析 金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕司; 岩室, 憲幸 平成31年電気学会全国大会 2019年3月12日 電気学会
- 70. Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs 姚, 凱倫; 矢野 裕司; 岩室, 憲幸 平成31年電気学会全国大会 2019年3月12日 電気学会
- 71. Influence of biaxial stress on the electron transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces W., Fu; A., Ueda; 矢野, 裕司; S., Harada; T., Sakurai 第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月9日
- 72. Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model X., Zhang; D., Okamoto; T., Hatakeyama; M., Sometani; S., Harada; N., Iwamuro; 矢野, 裕司 電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第24回研究会 2019年1月25日
- 73. 温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察 武田紘典; 染谷満; 細井卓治; 志村考功; 矢野, 裕司; 渡部平司 電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第24回研究会 2019年1月25日
- 74. 電力用半導体SiCのゲート酸化膜漏れ電流機構の解析 矢野, 裕司 第16回環境研究シンポジウム「スマート社会と環境 豊かな暮らしと環境への配慮の両立を目指して」 2018年11月13日
- 75. Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明 周, 星炎; 岡本, 大; 畠山, 哲夫; 染谷, 満; 原田, 信介; 岡本, 光央; 張, 旭芳; 岩室, 憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会第5回講演会 2018年11月6日
- 76. pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析 根本, 宏樹; 岡本, 大; 染谷, 満; 木内, 祐治; 岡本, 光央; 畠山, 哲夫; 原田, 信介; 岩室, 憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会第5回講演会 2018年11月6日
- 77. 4H-SiC(0001) MOSFETの可動電子密度の温度依存性に基づくチャネル内電子伝導機構の考察 武田紘典; 染谷満; 細井卓治; 志村考功; 矢野, 裕司; 渡部平司 先進パワー半導体分科会 第5回講演会 2018年11月6日
- 78. 超低実効pエピ濃度基板を用いて評価した4H-SiC(0001) MOSFETの反転チャネル電子の散乱要因 染谷満; 細井卓治; 平井悠久; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野, 裕司; 志村考功; 渡部平司; 米澤喜幸; 奥村元 先進パワー半導体分科会 第5回講演会 2018年11月6日
- 79. SiO2/SiC界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果 畠山哲夫; 増田健良; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野, 裕司; 米澤喜幸; 奥村元 先進パワー半導体分科会 第5回講演会 2018年11月6日
- 80. n型Si面4H-SiC MOSFETの閾値電圧とHall移動度の温度特性 本田達也; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第5回講演会 2018年11月6日
- 1. 特願2015‐030433: •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
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