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矢野 裕司
Yano, Hiroshi
数理物質系 , 准教授 Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor
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- 1. チャージポンピング法によるMOS界面欠陥評価のための＋αの研究技術 矢野, 裕司 Oyo Buturi 93: 179 - 183 (2024)
- 2. 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 34 - 35 (2024)
- 3. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析 菊池真矢; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 32 - 33 (2024)
- 4. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート－ドレイン間寄生容量特性解析 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 37 - 38 (2024)
- 5. 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 101 - 102 (2023)
- 6. SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果 松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 103 - 104 (2023)
- 7. ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 105 - 106 (2023)
- 8. Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique Akiba, Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) C.1 (2023)
- 9. Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress Enjoji, Yuya; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) Mo.C.11 (2023)
- 10. The effect of biaxial strain on the phonon-limited mobility in 4H-SiC MOSFETs Fu, Wei; Yano, Hiroshi; Sakurai, Takeaki; Ueda, Akiko APPLIED PHYSICS EXPRESS 16: 081002-1 - 081002-6 (2023) Semantic Scholar
- 11. Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs 250 - 253 (2023)
- 12. チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 第70回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 12-095 (2023)
- 13. Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs 柏佳介; 髙橋光希; 北村雄大; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC2073-1 - SC1073-10 (2023) Semantic Scholar
- 14. バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 75 - 75 (2022)
- 15. Study on enhancing of the surge current capabilities of embedded SBDs in SWITCH-MOSs and body-PiN-diodes in SiC trench MOSFETs 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志 (+3 著者) Iwamuro, Noriyuki JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC1007-1 - SC1007-9 (2022) Semantic Scholar
- 16. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価：酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 73 - 74 (2022)
- 17. モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 91 - 92 (2022)
- 18. Significant Improvement of Switching Characteristics in a 1.2-kV SiC SWITCH-MOS by the Application of Kelvin Source Connection 松井ケビン; 俵 武志; 原田, 信介; 田中聡 (+2 著者) Iwamuro, Noriyuki IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING 18: 278 - 285 (2022) Semantic Scholar
- 19. SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み 矢野, 裕司 結晶加工と評価技術 第145委員会 第176回研究会資料 22 - 28 (2022)
- 20. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 701 - 702 (2022)
- 1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 矢野, 裕司 シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
- 2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET) Angel Business Communications publication 2017年6月
- 81. 4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性を引き起こす酸化膜トラップの空間分布 岡本光央; 染谷満; 原田信介; 矢野, 裕司; 奥村元 先進パワー半導体分科会 第5回講演会 2018年11月6日
- 82. SiCパワーデバイス特有の信頼性課題 酸化膜および界面 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 2018年度チュートリアル 2018年11月5日 招待有り
- 83. 低不純物濃度4H-SiC(0001)基板上に作製したMOSFETのホール効果移動度に対するNO-POAの影響 染谷満; 細井卓治; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野, 裕司; 志村考功; 渡部平司; 米澤喜幸; 奥村元 第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
- 84. Ba添加によるSiC MOSFET特性向上の起源の検討 藤田栄悟; 細井卓治; 染谷満; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野, 裕司; 志村考功; 渡部平司 第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
- 85. Stress at Interface of SiO2/4H-SiC Studied by Confocal Raman Microscopy Fu, W; Kobayashi, A; Yano, Hiroshi; Harada, S; Sakurai, T 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018) 2018年9月9日
- 86. Demonstration of High Channel Mobility and Low Trapped Electron Density of SiO2/SiC (0-33-8) Interfaces Masuda, T; Hatakeyama, T; Harada, S; Yano, Hiroshi 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018) 2018年9月9日
- 87. Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs 宏樹, 根本; 岡本 大; 満, 染谷; Kiuchi, Y; Hatakeyama, T; 原田 信介; Iwamuro, Noriyuki; 矢野 裕司 12th European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月2日
- 88. Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements” Zhou, X; 岡本大; Hatakeyama, T; 染谷 満; 原田 信介; 張旭芳; Iwamuro, Noriyuki; 矢野 裕司 European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月2日
- 89. Superiority of pure O2-based gate oxidation on Hall effect mobility of 4H-SiC (0001) MOSFET revealed by low-doped epitaxial wafers Sometani, M; Hosoi, T; Hatakeyama, T; Harada, S; Yano, Hiroshi; Shimura, T; Watanabe, H; Yonezawa, Y; Okumura, H 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月2日
- 90. Interface Trap Densities near the Band Edge of SiO2/4H-SiC (0＿338(＿)), (112(＿)0) and {0001} and their Impacts on Electron Transport Hatakeyama, T; Masuda, T; Sometani, M; Okamoto, D; Harada, S; Yano, Hiroshi; Yonezawa, Y; Okumura, H 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月2日
- 91. Analysis of oxide traps causing threshold voltage instability in 4H-SiC MOSFETs via capture time map Okamoto, M; Sometani, M; Harada, S; Yano, Hiroshi; Okumura, H 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月2日
- 92. Methodology for Enhanced Short-Circuit capability of SiC MOSFETs An, Junjie; Namai, Masaki; Yano, Hiroshi; Kobayashi, Yusuke; Harada, Shinsuke; Iwamuro, Noriyuki 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs 2018年5月13日 IEEE
- 93. pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析 根本, 宏樹; 岡本, 大; 染谷, 満; 木内, 祐治; 畠山, 哲夫; 原田, 信介; 岩室, 憲幸; 矢野, 裕司 第65回 応用物理学会 春季学術講演会 2018年3月17日 応用物理学会
- 94. Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs X, Zhou; D, Okamoto; T, Hatakeyama; M, Sometani; S, Harada; Y, Karamoto; X, Zhang; N, Iwamuro; H, Yano 第65回 応用物理学会 春季学術講演会 2018年3月17日 応用物理学会
- 95. Stress distribution at SiO2/4H-SiC interface studied by Confocal Raman Microscopy W., Fu; A., Kobayashi; 矢野, 裕司; S., Harada; T., Sakurai 第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月17日
- 96. メタルアニール工程を省いた4H-SiCイオン注入n+層オーミックコンタクト実現の検討 北島魁人; 岡本大; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 平成30年電気学会全国大会 2018年3月14日 電気学会
- 97. Residual strains at SiO2/4H-SiC interface measured by Confocal Raman Microscopy Fu, W; Kobayashi, Ai; 裕司, 矢野; Harada, S; SAKURAI, TAKEAKI 2018 Joint Symposium on Energy Materials Science and Technology 2018年3月8日
- 98. Characterization and Control of Interface Properties in SiC MOSFETs Yano, Hiroshi 2018 Joint Sympoium on Energy Materials Science and Technology 2018年3月8日 招待有り
- 99. SiCパワーMOSFETの現状と信頼性技術 矢野, 裕司 半導体信頼性技術ガイドラインセミナー 2018年2月9日 招待有り
- 100. Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces 張, 旭芳; 岡本, 大; 畠山, 哲夫; 染谷, 満; 原田, 信介; 岩室, 憲幸; 矢野, 裕司 第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2018年1月18日 応用物理学会
- 1. 特願2015‐030433: •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
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