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矢野裕司

Yano, Hiroshi

数理物質系 , 教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Professor

オープンアクセス版の論文は「つくばリポジトリ」で読むことができます。

1. SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性子安, 葵; 新郷, 諒介; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
第72回応用物理学会春季学術講演会予稿集 11-146 (2025)
2. 時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用横山, 義希; 堀内, 颯介; 福永, 博生; 島袋, 聞多 (+4 著者) 梅田, 享英
第72回応用物理学会春季学術講演会予稿集 11-154 (2025)
3. 低直流電圧印加時における SiC MOSFET 負荷短絡破壊メカニズムの解析鹿志村快音; 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会予稿集 11-147 (2025)
4. SiC SBD高温・高湿バイアス試験後の周辺耐圧領域解析阿部洸太; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
令和7年電気学会全国大会講演論文集 4: 143 (2025)
5. A study on turn-off, and on-resistance and short-circuit capability trade-off characteristics in 1.2 kV SiC MOSFETs Suzuki, Kazuhiro; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63: (2024)
6. Unique short-circuit failure mechanisms in 1.2-kV SiC planar MOSFETs 鈴木一広; 鹿志村快音; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
Applied Physics Express 17: 124002-1 (2024)
7. 4H-SiC 横型 p-ch SJ-MOSFETの高温状態における性能改善吉田, 開; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第11回講演会予稿集 89 (2024)
8. SiC MOSFETへのゲートACストレス印加時の発光としきい値電圧変動の関係新郷, 諒介; 円城寺, 佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第11回講演会予稿集 81 (2024)
9. 電子線照射がSiCパワーMOSFETのチャネル特性に与える影響松木, 康太郎; 市川, 義人; 小野澤, 勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第11回講演会予稿集 93 (2024)
10. パワーデバイスと信頼性の基礎矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会 2024年度チュートリアル 6: 57 (2024)
11. Relationship between luminescence and threshold voltage shift in SiC MOSFETs under gate AC stress Shingo, Ryosuke; Enjoji, Yuya; Iwamuro, Noriyuki; YANO, Hiroshi
Proceedings of The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS 2024) MC2-3 (2024)
12. 電子線照射がSiCおよびSi MOSFETのチャネル特性に及ぼす影響松木, 康太郎; 市川, 義人; 小野澤, 勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司
第85回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 12-256 (2024)
13. SiC MOSFETへのゲートACストレス印加による発光としきい値電圧変動新郷, 諒介; 円城寺, 佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
第85回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 12-266 (2024)
14. Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光堀内, 颯介; 福永, 博生; 島袋, 聞多; 矢野, 裕司 (+3 著者) 梅田, 享英
第85回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 12-191 (2024)
15. Impact of electron irradiation on SiC power MOSFET performance Matsuki, Kotaro; Ichikawa, Yoshihito; Onozawa, Yuichi; Iwamuro, NoriyukiYANO, Hiroshi
Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 563 (2024)
16. Spin-dependent-charge-pumping spectroscopy on p-channel 4H-SiC MOSFETs Horiuchi, Sosuke; Fukunaga, Hiroki; Shimabukuro, Bunta; YANO, Hiroshi (+3 著者) Umeda, Takahide
Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 307 (2024)
17. Three-Level Charge Pumping Technique for SiC-MOS Interface Characterization YANO, Hiroshi
Abstracts of 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 507 (2024)
18. A Study of Electrical Characteristics of State-of-the-Art 1.2-kV SiC Planar and Trench MOSFETs 鈴木一広; 矢野裕司; IWAMURO, Noriyuki
Abstracts of 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials 221 (2024)
19. Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress YANO, Hiroshi; Enjoji, Yuya; Shingo, Ryosuke; Iwamuro, Noriyuki
Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 367 (2024)
20. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析菊池真矢; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
令和6年電気学会全国大会講演論文集 4: 32 (2024)

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1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開矢野, 裕司
シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET)
Angel Business Communications publication 2017年6月

81. 4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性を引き起こす酸化膜トラップの空間分布岡本光央; 染谷満; 原田信介; 矢野, 裕司; 奥村元
先進パワー半導体分科会第5回講演会 2018年11月6日
82. SiCパワーデバイス特有の信頼性課題酸化膜および界面矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会 2018年度チュートリアル 2018年11月5日招待有り
83. 低不純物濃度4H-SiC(0001)基板上に作製したMOSFETのホール効果移動度に対するNO-POAの影響染谷満; 細井卓治; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野, 裕司; 志村考功; 渡部平司; 米澤喜幸; 奥村元
第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
84. Ba添加によるSiC MOSFET特性向上の起源の検討藤田栄悟; 細井卓治; 染谷満; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野, 裕司; 志村考功; 渡部平司
第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
85. Stress at Interface of SiO2/4H-SiC Studied by Confocal Raman Microscopy Fu, W; Kobayashi, A; Yano, Hiroshi; Harada, S; Sakurai, T
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018) 2018年9月9日
86. Demonstration of High Channel Mobility and Low Trapped Electron Density of SiO2/SiC (0-33-8) Interfaces Masuda, T; Hatakeyama, T; Harada, S; Yano, Hiroshi
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018) 2018年9月9日
87. Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs 宏樹, 根本; 岡本大; 満, 染谷; Kiuchi, Y; Hatakeyama, T; 原田信介; Iwamuro, Noriyuki; 矢野裕司
12th European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月2日
88. Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements” Zhou, X; 岡本大; Hatakeyama, T; 染谷満; 原田信介; 張旭芳; Iwamuro, Noriyuki; 矢野裕司
European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月2日
89. Superiority of pure O2-based gate oxidation on Hall effect mobility of 4H-SiC (0001) MOSFET revealed by low-doped epitaxial wafers Sometani, M; Hosoi, T; Hatakeyama, T; Harada, S; Yano, Hiroshi; Shimura, T; Watanabe, H; Yonezawa, Y; Okumura, H
12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月2日
90. Interface Trap Densities near the Band Edge of SiO2/4H-SiC (0＿338(＿)), (112(＿)0) and {0001} and their Impacts on Electron Transport Hatakeyama, T; Masuda, T; Sometani, M; Okamoto, D; Harada, S; Yano, Hiroshi; Yonezawa, Y; Okumura, H
12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月2日
91. Analysis of oxide traps causing threshold voltage instability in 4H-SiC MOSFETs via capture time map Okamoto, M; Sometani, M; Harada, S; Yano, Hiroshi; Okumura, H
12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月2日
92. Methodology for Enhanced Short-Circuit capability of SiC MOSFETs An, Junjie; Namai, Masaki; Yano, Hiroshi; Kobayashi, Yusuke; Harada, Shinsuke; Iwamuro, Noriyuki
30th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs 2018年5月13日 IEEE
93. pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析根本, 宏樹; 岡本, 大; 染谷, 満; 木内, 祐治; 畠山, 哲夫; 原田, 信介; 岩室, 憲幸; 矢野, 裕司
第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月17日応用物理学会
94. Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs X, Zhou; D, Okamoto; T, Hatakeyama; M, Sometani; S, Harada; Y, Karamoto; X, Zhang; N, Iwamuro; H, Yano
第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月17日応用物理学会
95. Stress distribution at SiO2/4H-SiC interface studied by Confocal Raman Microscopy W., Fu; A., Kobayashi; 矢野, 裕司; S., Harada; T., Sakurai
第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月17日
96. メタルアニール工程を省いた4H-SiCイオン注入n+層オーミックコンタクト実現の検討北島魁人; 岡本大; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
平成30年電気学会全国大会 2018年3月14日電気学会
97. Residual strains at SiO2/4H-SiC interface measured by Confocal Raman Microscopy Fu, W; Kobayashi, Ai; 裕司, 矢野; Harada, S; SAKURAI, TAKEAKI
2018 Joint Symposium on Energy Materials Science and Technology 2018年3月8日
98. Characterization and Control of Interface Properties in SiC MOSFETs Yano, Hiroshi
2018 Joint Sympoium on Energy Materials Science and Technology 2018年3月8日招待有り
99. SiCパワーMOSFETの現状と信頼性技術矢野, 裕司
半導体信頼性技術ガイドラインセミナー 2018年2月9日招待有り
100. Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces 張, 旭芳; 岡本, 大; 畠山, 哲夫; 染谷, 満; 原田, 信介; 岩室, 憲幸; 矢野, 裕司
第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2018年1月18日応用物理学会