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矢野裕司

Yano, Hiroshi

数理物質系 , 教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Professor

オープンアクセス版の論文は「つくばリポジトリ」で読むことができます。

1. SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性子安, 葵; 新郷, 諒介; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
第72回応用物理学会春季学術講演会予稿集 11-146 (2025)
2. 時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用横山, 義希; 堀内, 颯介; 福永, 博生; 島袋, 聞多 (+4 著者) 梅田, 享英
第72回応用物理学会春季学術講演会予稿集 11-154 (2025)
3. 低直流電圧印加時における SiC MOSFET 負荷短絡破壊メカニズムの解析鹿志村快音; 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会予稿集 11-147 (2025)
4. SiC SBD高温・高湿バイアス試験後の周辺耐圧領域解析阿部洸太; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
令和7年電気学会全国大会講演論文集 4: 143 (2025)
5. A study on turn-off, and on-resistance and short-circuit capability trade-off characteristics in 1.2 kV SiC MOSFETs Suzuki, Kazuhiro; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63: (2024)
6. Unique short-circuit failure mechanisms in 1.2-kV SiC planar MOSFETs 鈴木一広; 鹿志村快音; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
Applied Physics Express 17: 124002-1 (2024)
7. 4H-SiC 横型 p-ch SJ-MOSFETの高温状態における性能改善吉田, 開; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第11回講演会予稿集 89 (2024)
8. SiC MOSFETへのゲートACストレス印加時の発光としきい値電圧変動の関係新郷, 諒介; 円城寺, 佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第11回講演会予稿集 81 (2024)
9. 電子線照射がSiCパワーMOSFETのチャネル特性に与える影響松木, 康太郎; 市川, 義人; 小野澤, 勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第11回講演会予稿集 93 (2024)
10. パワーデバイスと信頼性の基礎矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会 2024年度チュートリアル 6: 57 (2024)
11. Relationship between luminescence and threshold voltage shift in SiC MOSFETs under gate AC stress Shingo, Ryosuke; Enjoji, Yuya; Iwamuro, Noriyuki; YANO, Hiroshi
Proceedings of The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS 2024) MC2-3 (2024)
12. 電子線照射がSiCおよびSi MOSFETのチャネル特性に及ぼす影響松木, 康太郎; 市川, 義人; 小野澤, 勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司
第85回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 12-256 (2024)
13. SiC MOSFETへのゲートACストレス印加による発光としきい値電圧変動新郷, 諒介; 円城寺, 佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
第85回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 12-266 (2024)
14. Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光堀内, 颯介; 福永, 博生; 島袋, 聞多; 矢野, 裕司 (+3 著者) 梅田, 享英
第85回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 12-191 (2024)
15. Impact of electron irradiation on SiC power MOSFET performance Matsuki, Kotaro; Ichikawa, Yoshihito; Onozawa, Yuichi; Iwamuro, NoriyukiYANO, Hiroshi
Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 563 (2024)
16. Spin-dependent-charge-pumping spectroscopy on p-channel 4H-SiC MOSFETs Horiuchi, Sosuke; Fukunaga, Hiroki; Shimabukuro, Bunta; YANO, Hiroshi (+3 著者) Umeda, Takahide
Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 307 (2024)
17. Three-Level Charge Pumping Technique for SiC-MOS Interface Characterization YANO, Hiroshi
Abstracts of 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 507 (2024)
18. A Study of Electrical Characteristics of State-of-the-Art 1.2-kV SiC Planar and Trench MOSFETs 鈴木一広; 矢野裕司; IWAMURO, Noriyuki
Abstracts of 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials 221 (2024)
19. Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress YANO, Hiroshi; Enjoji, Yuya; Shingo, Ryosuke; Iwamuro, Noriyuki
Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 367 (2024)
20. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析菊池真矢; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
令和6年電気学会全国大会講演論文集 4: 32 (2024)

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1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開矢野, 裕司
シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET)
Angel Business Communications publication 2017年6月

101. SiCパワーMOSFETの現状と信頼性技術矢野, 裕司
半導体信頼性技術ガイドラインセミナー 2017年11月22日招待有り
102. Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors Zhang, Xufang; Okamoto, Dai; Hatakeyama, Tetsuo; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke; Iwamuro, Noriyuki; Yano, Hiroshi
International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017) 2017年11月20日応用物理学会
103. Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method Karamoto, YUki; Zhang, Xufang; Okamoto, Dai; Sometani, Mitsuru; Hatakeyama, Tetsuo; Harada, Shinsuke; Iwamuro, Noriyuki; Yano, Hiroshi
International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017) 2017年11月20日応用物理学会
104. Comparison between Conduction Mechanisms of Leakage Current in Nitrided Thermal SiO2 Strates on 4H-SiC Si- and C-face Substrates Y. Kiuchi; Sometani, M; Okamoto, D; Hatakeyama, T; Harada, S; Yano, Hiroshi; Yonezawa, Y; Okumura, H
2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2017IWDTF) 2017年11月20日
105. SiC MOSデバイスにおける界面欠陥と信頼性矢野, 裕司
第37回ナノテスティングシンポジウム 2017年11月8日招待有り
106. Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses 張, 旭芳; 岡本, 大; 畠山, 哲夫; 染谷, 満; 原田, 信介; 岩室, 憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第4回講演会 2017年11月1日応用物理学会
107. コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析唐本, 祐樹; 張, 旭芳; 岡本, 大; 染谷, 満; 畠山, 哲夫; 原田, 信介; 岩室, 憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第4回講演会 2017年11月1日応用物理学会
108. 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野, 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
先進パワー半導体分科会第4回講演会 2017年11月1日
109. 長時間ストレス印加時のしきい値電圧変動に対する測定法の影響木内祐治; 染谷満; 岡本大; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野, 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
先進パワー半導体分科会第4回講演会 2017年11月1日
110. Hole trapping in SiC-MOS devices evaluated by fast-CV method Hayashi, Mariko; Sometani, Mitsuru; Hatakeyama, Tetsuo; Yano, Hiroshi; Harada, Shinsuke
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2017年9月19日
111. Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions Sometani, Mitsuru; Okamoto, Mitsuo; Hatakeyama, Tetsuo; Iwahashi, Yohei; Hayashi, Mariko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Harada, Shinsuke; Yonezawa, Yoshiyuki; Okumura, Hajime
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2017年9月19日招待有り
112. Characterization of Traps at SiO2/SiC (000-1) near the Conduction Band Edge by Using Hall Effect Measurements Hatakeyama, T; Kiuchi, Y; Sometani, M; Okamoto, D; Harada, S; Yano, Hiroshi; Yonezawa, Y; Okumura, H
The 2017 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 2017年9月17日
113. コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析唐本, 祐樹; 張, 旭芳; 岡本, 大; 染谷, 満; 畠山, 哲夫; 原田, 信介; 岩室, 憲幸; 矢野, 裕司
第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日応用物理学会
114. Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses 張, 旭芳; 岡本, 大; 畠山, 哲夫; 染谷, 満; 原田, 信介; 岩室, 憲幸; 矢野, 裕司
第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日応用物理学会
115. 三次元アトムプローブを用いたSiO2/SiC界面窒素の評価山田敬一; 藤掛伸二; 岩橋洋平; 原田信介; 矢野, 裕司; 奥村元
第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日
116. 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野, 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日
117. 長時間ストレスによるしきい値電圧変動予測に対する測定法の影響木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; 矢野, 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日
118. Experimental and Numerical Demonstration and Optimized Methods for SiC Trench MOSFET Short-Circuit Capability Namai, M; An, J; Yano, Hiroshi; Iwamuro, N
The 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2017) 2017年5月29日
119. Evaluation of Drain Current Decrease by AC Gate Bias Stress in Commercially Available SiC MOSFETs Sometani, M; Iwahashi, Y; Okamoto, M; Harada, S; Yonezawa, Y; Okumura, H; Yano, Hiroshi
The 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2017) 2017年5月29日
120. 4H-SiC C面熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野裕司; 米澤喜幸; 奥村元
第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月14日