ホーム > 矢野 裕司/ Yano, Hiroshi
矢野 裕司
Yano, Hiroshi
数理物質系 , 准教授 Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor
関連記事はまだありません。
オープンアクセス版の論文は「つくばリポジトリ」で読むことができます。
- 1. チャージポンピング法によるMOS界面欠陥評価のための+αの研究技術 矢野, 裕司 Oyo Buturi 93: 179 - 183 (2024)
- 2. 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 34 - 35 (2024)
- 3. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析 菊池真矢; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 32 - 33 (2024)
- 4. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 37 - 38 (2024)
- 5. 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 101 - 102 (2023)
- 6. SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果 松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 103 - 104 (2023)
- 7. ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 105 - 106 (2023)
- 8. Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique Akiba, Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) C.1 (2023)
- 9. Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress Enjoji, Yuya; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) Mo.C.11 (2023)
- 10. The effect of biaxial strain on the phonon-limited mobility in 4H-SiC MOSFETs Fu, Wei; Yano, Hiroshi; Sakurai, Takeaki; Ueda, Akiko APPLIED PHYSICS EXPRESS 16: 081002-1 - 081002-6 (2023) Semantic Scholar
- 11. Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs 250 - 253 (2023)
- 12. チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 第70回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 12-095 (2023)
- 13. Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs 柏佳介; 髙橋光希; 北村雄大; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC2073-1 - SC1073-10 (2023) Semantic Scholar
- 14. バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 75 - 75 (2022)
- 15. Study on enhancing of the surge current capabilities of embedded SBDs in SWITCH-MOSs and body-PiN-diodes in SiC trench MOSFETs 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志 (+3 著者) Iwamuro, Noriyuki JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC1007-1 - SC1007-9 (2022) Semantic Scholar
- 16. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価:酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 73 - 74 (2022)
- 17. モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 91 - 92 (2022)
- 18. Significant Improvement of Switching Characteristics in a 1.2-kV SiC SWITCH-MOS by the Application of Kelvin Source Connection 松井ケビン; 俵 武志; 原田, 信介; 田中聡 (+2 著者) Iwamuro, Noriyuki IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING 18: 278 - 285 (2022) Semantic Scholar
- 19. SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み 矢野, 裕司 結晶加工と評価技術 第145委員会 第176回研究会資料 22 - 28 (2022)
- 20. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 701 - 702 (2022)
- 1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 矢野, 裕司 シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
- 2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET) Angel Business Communications publication 2017年6月
- 101. SiCパワーMOSFETの現状と信頼性技術 矢野, 裕司 半導体信頼性技術ガイドラインセミナー 2017年11月22日 招待有り
- 102. Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors Zhang, Xufang; Okamoto, Dai; Hatakeyama, Tetsuo; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke; Iwamuro, Noriyuki; Yano, Hiroshi International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017) 2017年11月20日 応用物理学会
- 103. Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method Karamoto, YUki; Zhang, Xufang; Okamoto, Dai; Sometani, Mitsuru; Hatakeyama, Tetsuo; Harada, Shinsuke; Iwamuro, Noriyuki; Yano, Hiroshi International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017) 2017年11月20日 応用物理学会
- 104. Comparison between Conduction Mechanisms of Leakage Current in Nitrided Thermal SiO2 Strates on 4H-SiC Si- and C-face Substrates Y. Kiuchi; Sometani, M; Okamoto, D; Hatakeyama, T; Harada, S; Yano, Hiroshi; Yonezawa, Y; Okumura, H 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2017IWDTF) 2017年11月20日
- 105. SiC MOSデバイスにおける界面欠陥と信頼性 矢野, 裕司 第37回ナノテスティングシンポジウム 2017年11月8日 招待有り
- 106. Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses 張, 旭芳; 岡本, 大; 畠山, 哲夫; 染谷, 満; 原田, 信介; 岩室, 憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第4回講演会 2017年11月1日 応用物理学会
- 107. コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析 唐本, 祐樹; 張, 旭芳; 岡本, 大; 染谷, 満; 畠山, 哲夫; 原田, 信介; 岩室, 憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第4回講演会 2017年11月1日 応用物理学会
- 108. 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果 畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野, 裕司; 米澤喜幸; 奥村元 先進パワー半導体分科会 第4回講演会 2017年11月1日
- 109. 長時間ストレス印加時のしきい値電圧変動に対する測定法の影響 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野, 裕司; 米澤喜幸; 奥村元 先進パワー半導体分科会 第4回講演会 2017年11月1日
- 110. Hole trapping in SiC-MOS devices evaluated by fast-CV method Hayashi, Mariko; Sometani, Mitsuru; Hatakeyama, Tetsuo; Yano, Hiroshi; Harada, Shinsuke International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2017年9月19日
- 111. Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions Sometani, Mitsuru; Okamoto, Mitsuo; Hatakeyama, Tetsuo; Iwahashi, Yohei; Hayashi, Mariko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Harada, Shinsuke; Yonezawa, Yoshiyuki; Okumura, Hajime International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2017年9月19日 招待有り
- 112. Characterization of Traps at SiO2/SiC (000-1) near the Conduction Band Edge by Using Hall Effect Measurements Hatakeyama, T; Kiuchi, Y; Sometani, M; Okamoto, D; Harada, S; Yano, Hiroshi; Yonezawa, Y; Okumura, H The 2017 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 2017年9月17日
- 113. コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析 唐本, 祐樹; 張, 旭芳; 岡本, 大; 染谷, 満; 畠山, 哲夫; 原田, 信介; 岩室, 憲幸; 矢野, 裕司 第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日 応用物理学会
- 114. Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses 張, 旭芳; 岡本, 大; 畠山, 哲夫; 染谷, 満; 原田, 信介; 岩室, 憲幸; 矢野, 裕司 第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日 応用物理学会
- 115. 三次元アトムプローブを用いたSiO2/SiC界面窒素の評価 山田敬一; 藤掛伸二; 岩橋洋平; 原田信介; 矢野, 裕司; 奥村元 第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日
- 116. 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果 畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野, 裕司; 米澤喜幸; 奥村元 第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日
- 117. 長時間ストレスによるしきい値電圧変動予測に対する測定法の影響 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; 矢野, 裕司; 米澤喜幸; 奥村元 第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日
- 118. Experimental and Numerical Demonstration and Optimized Methods for SiC Trench MOSFET Short-Circuit Capability Namai, M; An, J; Yano, Hiroshi; Iwamuro, N The 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2017) 2017年5月29日
- 119. Evaluation of Drain Current Decrease by AC Gate Bias Stress in Commercially Available SiC MOSFETs Sometani, M; Iwahashi, Y; Okamoto, M; Harada, S; Yonezawa, Y; Okumura, H; Yano, Hiroshi The 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2017) 2017年5月29日
- 120. 4H-SiC C面熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野裕司; 米澤喜幸; 奥村元 第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月14日
- 1. 特願2015‐030433: •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
1,410 total views