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矢野 裕司
Yano, Hiroshi
数理物質系 , 准教授 Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor
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- 1. チャージポンピング法によるMOS界面欠陥評価のための+αの研究技術 矢野, 裕司 Oyo Buturi 93: 179 - 183 (2024)
- 2. 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 34 - 35 (2024)
- 3. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析 菊池真矢; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 32 - 33 (2024)
- 4. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 37 - 38 (2024)
- 5. 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 101 - 102 (2023)
- 6. SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果 松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 103 - 104 (2023)
- 7. ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 105 - 106 (2023)
- 8. Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique Akiba, Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) C.1 (2023)
- 9. Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress Enjoji, Yuya; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) Mo.C.11 (2023)
- 10. The effect of biaxial strain on the phonon-limited mobility in 4H-SiC MOSFETs Fu, Wei; Yano, Hiroshi; Sakurai, Takeaki; Ueda, Akiko APPLIED PHYSICS EXPRESS 16: 081002-1 - 081002-6 (2023) Semantic Scholar
- 11. Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs 250 - 253 (2023)
- 12. チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 第70回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 12-095 (2023)
- 13. Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs 柏佳介; 髙橋光希; 北村雄大; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC2073-1 - SC1073-10 (2023) Semantic Scholar
- 14. バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 75 - 75 (2022)
- 15. Study on enhancing of the surge current capabilities of embedded SBDs in SWITCH-MOSs and body-PiN-diodes in SiC trench MOSFETs 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志 (+3 著者) Iwamuro, Noriyuki JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC1007-1 - SC1007-9 (2022) Semantic Scholar
- 16. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価:酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 73 - 74 (2022)
- 17. モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 91 - 92 (2022)
- 18. Significant Improvement of Switching Characteristics in a 1.2-kV SiC SWITCH-MOS by the Application of Kelvin Source Connection 松井ケビン; 俵 武志; 原田, 信介; 田中聡 (+2 著者) Iwamuro, Noriyuki IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING 18: 278 - 285 (2022) Semantic Scholar
- 19. SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み 矢野, 裕司 結晶加工と評価技術 第145委員会 第176回研究会資料 22 - 28 (2022)
- 20. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 701 - 702 (2022)
- 1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 矢野, 裕司 シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
- 2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET) Angel Business Communications publication 2017年6月
- 121. SiC MOSFETのホール移動度の温度依存性 天野貴章; 岡本大; 原田信介; 畠山哲夫; 岩室憲幸; 矢野裕司 第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月14日
- 122. 窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性のデューティ比依存性 王緒昆; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野裕司 第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月14日
- 123. Verification of Modified Distributed Circuit Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Interface Zhang, Xufang; 岡本大; Hatakeyama, Tetsuo; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke; Kosugi, Ryoji; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi 電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第22回研究会 2017年1月20日
- 124. ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位評価 畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野裕司; 米澤喜幸; 奥村元 電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第22回研究会 2017年1月20日
- 125. A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors Zhang, X. F; Okamoto, D; Hatakeyama, T; Sometani, M; Harada, S; Kosugi, R; Iwamuro, N; Yano, Hiroshi 47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2016) 2016年12月7日
- 126. Characterization of Traps at Nitrided SiO2/SiC Interfaces near the Conduction Band Edge by using Hall Effect Measurements Hatakeyama, T; Kiuchi, Y; Sometani, M; Okamoto, D; Harada, S; Yano, Hiroshi; Yonezawa, Y; Okumura, H 47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2016) 2016年12月7日
- 127. Experimental Demonstration of -730V Vertical SiC p-MOSFET with High Short Circuit Withstand Capability for Complementary Inverter Applications An, J; Namai, M; Tanabe, M; Okamoto, D; Yano, Hiroshi; Iwamuro, N International Electron Device Meeting 2016 (IEDM2016) 2016年12月3日
- 128. チャージポンピング法による4H-SiC MOSFET の界面近傍酸化膜欠陥の解析 王緒昆; 岡本大; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野裕司 先進パワー半導体分科会 第3回講演会 2016年11月8日
- 129. ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍における界面準位の評価 畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野裕司; 米澤喜幸; 奥村元 先進パワー半導体分科会 第3回講演会 2016年11月8日
- 130. Quantitative estimation of near-interface traps with distributed circuit model for 4H-SiC MOS capacitors Zhang, Xufang; 岡本大; Hatakeyama, Tetsuo; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke; Kosugi, Ryoji; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi 先進パワー半導体分科会 第3回講演会 2016年11月8日
- 131. 窒化したp 型SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成 唐本祐樹; 岡本大; 原田信介; 染谷満; 畠山哲夫; 小杉亮治; 岩室憲幸; 矢野裕司 先進パワー半導体分科会 第3回講演会 2016年11月8日
- 132. 4H-SiC 熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の効果 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野裕司; 米澤喜幸; 奥村元 先進パワー半導体分科会 第3回講演会 2016年11月8日
- 133. 高速CV 法により検証したNBTI へのSiC-MOS 界面窒化効果 林真理子; 染谷満; 畠山哲夫; 山本敏雅; 矢野裕司; 原田信介 先進パワー半導体分科会 第3回講演会 2016年11月8日
- 134. Threshold Voltage Instability in 4H-SiC MOSFETs with Phosphorus-doped and Nitrided Gate Oxides Yano,Hiroshi 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2016) 2016年9月25日 招待有り
- 135. Dynamic Characterization of the Vth Instability under the Pulsed AC Gate Bias Stress in 4H-SiC MOSFET Okamoto, M; Sometani, M; Harada, S; Yano, Hiroshi; Okumura, H 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2016) 2016年9月25日
- 136. 直列抵抗を考慮したインピーダンス測定によるSiC MOS界面解析 岡本大; 張旭芳; 畠山哲夫; 染谷満; 原田信介; 小杉亮治; 岩室憲幸; 矢野裕司 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月13日
- 137. A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors Zhang, X. F; Okamoto, D; Hatakeyama, T; Sometani, M; Harada, S; Kosugi, R; Iwamuro, N; Yano, Hiroshi 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月13日
- 138. 窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性の周波数依存性 王緒昆; 岡本大; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野裕司 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月13日
- 139. 窒化したp 型SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成 唐本祐樹; 岡本大; 原田信介; 染谷満; 畠山哲夫; 小杉亮治; 岩室憲幸; 矢野裕司 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月13日
- 140. ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍における界面準位の評価 畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野裕司; 米澤喜幸; 奥村元 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月13日
- 1. 特願2015‐030433: •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
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