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矢野 裕司
Yano, Hiroshi
数理物質系 , 准教授 Institute of Pure and Applied Sciences , Associate Professor
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- 1. チャージポンピング法によるMOS界面欠陥評価のための+αの研究技術 矢野, 裕司 Oyo Buturi 93: 179 - 183 (2024)
- 2. 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 34 - 35 (2024)
- 3. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析 菊池真矢; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 32 - 33 (2024)
- 4. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 37 - 38 (2024)
- 5. 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 101 - 102 (2023)
- 6. SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果 松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 103 - 104 (2023)
- 7. ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 105 - 106 (2023)
- 8. Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique Akiba, Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) C.1 (2023)
- 9. Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress Enjoji, Yuya; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) Mo.C.11 (2023)
- 10. The effect of biaxial strain on the phonon-limited mobility in 4H-SiC MOSFETs Fu, Wei; Yano, Hiroshi; Sakurai, Takeaki; Ueda, Akiko APPLIED PHYSICS EXPRESS 16: 081002-1 - 081002-6 (2023) Semantic Scholar
- 11. Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs 250 - 253 (2023)
- 12. チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 第70回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 12-095 (2023)
- 13. Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs 柏佳介; 髙橋光希; 北村雄大; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC2073-1 - SC1073-10 (2023) Semantic Scholar
- 14. バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 75 - 75 (2022)
- 15. Study on enhancing of the surge current capabilities of embedded SBDs in SWITCH-MOSs and body-PiN-diodes in SiC trench MOSFETs 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志 (+3 著者) Iwamuro, Noriyuki JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC1007-1 - SC1007-9 (2022) Semantic Scholar
- 16. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価:酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 73 - 74 (2022)
- 17. モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 91 - 92 (2022)
- 18. Significant Improvement of Switching Characteristics in a 1.2-kV SiC SWITCH-MOS by the Application of Kelvin Source Connection 松井ケビン; 俵 武志; 原田, 信介; 田中聡 (+2 著者) Iwamuro, Noriyuki IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING 18: 278 - 285 (2022) Semantic Scholar
- 19. SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み 矢野, 裕司 結晶加工と評価技術 第145委員会 第176回研究会資料 22 - 28 (2022)
- 20. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 701 - 702 (2022)
- 1. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 矢野, 裕司 シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
- 2. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET) Angel Business Communications publication 2017年6月
- 141. 4H-SiC熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野裕司; 米澤喜幸; 奥村元 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月13日
- 142. SiC酸化膜への窒素、リン、ホウ素添加による界面特性改善効果 Yano, Hiroshi 先進パワー半導体分科会 第2回個別討論会 2016年8月1日 招待有り
- 143. Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress 高橋光希; 信介, 原田; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki The 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2023) IEEE
- 144. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析 菊池真矢; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和6年電気学会全国大会
- 145. 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸 令和6年電気学会全国大会
- 146. Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique Akiba, Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)
- 147. Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress Enjoji, Yuya; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)
- 148. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 令和6年電気学会全国大会
- 149. 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会
- 150. SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果 松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会
- 151. ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第10回講演会
- 152. Characterization of SiC MOS structures using p-channel devices Yano, Hiroshi The 10th Asia-Pasific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2022) 招待有り
- 153. チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 第70回応用物理学会春季学術講演会
- 154. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価:酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会
- 155. バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会
- 156. モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第9回講演会
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- 158. 3レベルチャージポンピング法を用いた4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップの酸化膜内密度分布の検討 秋葉淳宏; 矢野, 裕司 第83回応用物理学会秋季学術講演会
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- 1. 特願2015‐030433: •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
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