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岩室憲幸

Iwamuro, Noriyuki

数理物質系 , 教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Professor

http://power.bk.tsukuba.ac.jp/

オープンアクセス版の論文は「つくばリポジトリ」で読むことができます。

61. 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第6回講演会予稿集 85 (2019)
62. ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満 (+4 著者) 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第6回講演会予稿集 89 (2019)
63. 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価坂田, 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央 (+5 著者) 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第6回講演会予稿集 143 (2019)
64. Design Strategy of Z-source Inverter for Utilization of Power Semiconductors with Extremely Low Short-circuit Capability 髙嶋薫; 飯島竜司; 萬年智介; 磯部高範 (+1 著者) Iwamuro, Noriyuki
Proceedings of The 45th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (IECON 2019) (2019) Semantic Scholar
65. New Modulation Strategy for Volume Reduction of Inductor for q-Z-source Inverter 李夢羽; 飯島竜司; 萬年智介; 磯部高範 (+1 著者) Iwamuro, Noriyuki
Proceedings of The 45th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (IECON 2019) (2019)
66. 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析松谷, 優汰; 張, 旭芳; 岡本, 大; 岩室, 憲幸矢野, 裕司
第80回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 13-248 (2019)
67. Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides Zhang, Xufang; Okamoto, Dai; Sometani, Mitsuru; Harada, Shinsuke (+1 著者) Yano, Hiroshi
Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) Tu-3A-07LN (2019)
68. Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps Matsuya, Yuta; Zhang, Xufang; Okamoto, Dai; Iwamuro, NoriyukiYano, Hiroshi
Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) We-P-30 (2019)
69. Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs Zhou, Xingyan; Okamoto, Dai; Zhang, Xufang; Sometani, Mitsuru (+3 著者) Yano, Hiroshi
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) Th-P-52LN (2019)
70. Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias Nemoto, Hiroki; Okamoto, Dai; Zhang, Xufang; Sometani, Mitsuru (+4 著者) Yano, Hiroshi
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) Fr-1A-04 (2019)
71. Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length 金森大河; 饗場塁士; 大川雅貴; 原田信介 (+1 著者) Iwamuro, Noriyuki
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) Tu-2A-05 (2019)
72. Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method 岡本大; 根本宏樹; 張旭芳; 周星炎 (+5 著者) 矢野裕司
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) Fr-1A-02 (2019)
73. First Demonstration of Short-Circuit capability for a 1.2 kV SiC SWITCH-MOS 大川雅貴; 饗場塁士; 金森大河; 小林勇介 (+2 著者) 岩室憲幸
IEEE Journal of Electron Devices Society 7: 613 (2019) Semantic Scholar
74. Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs 大川雅貴; 饗場塁士; 金森大河; 原田信介 (+1 著者) Iwamuro, Noriyuki
Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019) 167 (2019)
75. Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET 凱倫, 姚; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019) 187 (2019)
76. Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS 饗場塁士; 大川雅貴; 金森大河; 小林勇介 (+2 著者) Iwamuro, Noriyuki
Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019) 23 (2019)
77. Recent Progress of SiC MOSFET Devices Iwamuro, Noriyuki
Material Science Forum 954: 90 (2019)
78. Recent Progress of SiC-MOSFETs and Their Futures Iwamuro, Noriyuki
Proceedings of International Conference on Electronic Packageing 2019 260 (2019)
79. Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs 姚, 凱倫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
平成31年電気学会全国大会講演論文集 10 (2019)
80. SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価饗場塁士; 大川雅貴; 金森大河; 小林勇介 (+2 著者) 岩室憲幸
平成31年電気学会全国大会講演論文集 18 (2019)

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1. パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス～高信頼性を実現する素子と実装技術～岩室, 憲幸
科学情報出版 2024年2月 (ISBN: 9784910558264)
2. Asia Electronics Industry Iwamuro, Noriyuki
電波新聞社 2023年9月
3. 工業材料岩室, 憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:MOSFETとIGBTを中心としたパワー半導体デバイスの最新動向と課題)
日刊工業新聞社 2023年8月
4. 月刊車載テクノロジー岩室, 憲幸
技術情報協会 2023年6月
5. 表面技術岩室, 憲幸
一般社団法人表面技術協会 2023年6月
6. Springer Handbook of Semiconductor Devices Iwamuro, Noriyuki
Springer Nature 2022年11月 (ISBN: 9783030798260)
7. 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化岩室, 憲幸
㈱エヌ・ティー・エス 2022年2月 (ISBN: 9784860437671)
8. ASIA Electronics Industry Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Power ICs Shape Up to Meet Emerging Automobile Trends)
電波新聞社 2021年12月
9. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開岩室, 憲幸
㈱シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
10. 電気評論岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:パワーエレクトロニクスの現状と将来)
2020年12月
11. AEI 亜州電子信息 Iwamuro,Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:在 5G 商用化和 EV 普及上关注度不断增加的功率半导体)
2020年8月
12. 電気学会技術報告書岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:SiC デバイスユニポーラデバイス)
電気学会 2020年7月
13. 電気計算岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:注目される次世代パワーデバイスSiC・GaN)
株式会社電気書院 2020年4月
14. Power Device Enabling Association report 岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:GaNパワーデバイスの基礎)
一般社団法人パワーデバイスイネーブリング協会 2020年2月
15. 月間マテリアルステージ岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:SiC/GaNパワーデバイスの技術トレンドと求められる放熱・耐熱特性)
株式会社技術情報協会 2020年1月
16. 車載機器におけるパワー半導体の設計と実装岩室, 憲幸
科学情報出版株式会社 2019年9月 (ISBN: 9784904774786)
17. 高熱伝導材料の開発～さらなる熱伝導率の向上のために～岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:SiCパワーデバイスの最新動向と信頼性の課題)
（株）技術情報協会 2019年7月 (ISBN: 9784861047541)
18. サーマルマネジメント材料技術岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:次世代パワー半導体デバイスとサーマルマネジメント材料技術)
サイエンス＆テクノロジー株式会社 2019年7月 (ISBN: 9784864281966)
19. IV. パワー半導体デバイスの現状岩室,憲幸
日本粉体工業技術協会 2019年6月
20. サーマルデバイス～新素材・新技術による熱の高度制御と高効率利用～岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:サーマルマネジメント―パワー半導体デバイス技術と課題)
(株)エヌ・ティー・エス 2019年4月 (ISBN: 9784860436025)

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1. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵武志; 原田, 信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日応用物理学会
2. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日応用物理学会
3. Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵武志; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
4. Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis Kashiwa, Keisuke; Yao, Kailun; Yano, Hiroshi; 岩室憲幸; Harada, Shinsuke
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
5. Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad 凱倫, 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介, 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
6. 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日応用物理学会
7. Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement Cui, Xiaoran; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
8. TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
令和4年電気学会全国大会 2022年3月21日電気学会
9. 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析森海斗; 亀和田亮; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会第8回講演会 2021年12月9日応用物理学会
10. モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討西城智哉; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会第８回講演会 2021年12月9日応用物理学会
11. 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田, 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
応用物理学会先進パワー半導体分科会第8回講演会 2021年12月9日応用物理学会招待有り
12. パワーデバイスの最新動向岩室, 憲幸
Advanced Metallization Conference 2021, Asia Session (ADMETA plus 2021), 30回記念講演 2021年10月13日応用物理学会シリコンテクノロジー分科会招待有り
13. Siパワー半導体の最新技術ど技術課題岩室, 憲幸
公）精密工学会プラナリゼーション CMP とその応用技術専門委員会,第193回研究会 2021年10月8日公）精密工学会招待有り
14. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis 姚凱倫; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日 IEEE, IEEJ
15. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs 松井ケビン; 饗場塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日電気学会
16. Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs 戸高駿希; 松井ケビン; 饗場塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年5月30日電気学会
17. 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
18. 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
19. 4H-SiC ショットキー PN ダイオードのスイッチング特性解析亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
20. 4H-SiC ショットキーpn ダイオードの高耐圧化北村, 雄大; 亀和田, 亮; 児島一聡; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会

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1. : 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法
岩室,憲幸
2. : 炭化珪素半導体装置
岩室,憲幸
3. : 炭化珪素半導体装置
辻崇; 木下明将; 岩室, 憲幸; 福田憲司
4. : 炭化ケイ素縦型MOSFETおよびその製造方法
岩室,憲幸
5. : 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
岩室,憲幸
6. : 炭化珪素半導体装置
岩室,憲幸
7. : 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
岩室,憲幸
8. : Silicon carbide devices and fabrication method
Iwamuro,Noriyuki
9. : 半導体装置および半導体装置の製造方法
岩室,憲幸
10. : Vertical high voltage semicouductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus
Iwamuro, Noriyuki; 原田信介; 星保幸; 原田祐一
11. : High Voltage Semiconductor Devices
Iwamuro, Noriyuki; 信介, 原田
12. : Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
Iwamuro,Noriyuki
13. : 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
岩室,憲幸
14. : 炭化ケイ素縦型MOSFET及びその製造方法
岩室, 憲幸; 原田信介; 星保幸; 原田祐一
15. : Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
Iwamuro,Noriyuki
16. : Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor appatus
岩室,憲幸
17. : •Low on-resistance wide band gap semiconductor device and method for producing the same
岩室,憲幸
18. : •炭化珪素縦型電界効果トランジスタ
岩室,憲幸
19. : •半導体装置
岩室,憲幸
20. : •ワイドバンドギャップ半導体装置
岩室,憲幸
21. : •Semiconductor device
岩室,憲幸
22. : •ワイドバンドギャップ半導体装置
岩室,憲幸
23. : •縦型高耐圧半導体装置およびその製造方法
岩室,憲幸
24. : •逆耐圧を有する縦型窒化ガリウム半導体装置
岩室,憲幸
25. : •半導体装置
岩室,憲幸
26. : •Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus
岩室,憲幸
27. : •Semiconductor device
岩室,憲幸
28. : •Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof
岩室,憲幸
29. : •Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
岩室,憲幸
30. : •Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
岩室,憲幸
31. : •Fabrication method of silicon carbide semiconductor device
岩室,憲幸
32. : •Silicon carbide vertical field effect transistor
岩室,憲幸
33. : •電力変換装置
岩室,憲幸
34. : •電力変換装置
岩室,憲幸
35. : •縦型高耐圧装置の製造方法および縦型高耐圧半導体装置
岩室,憲幸
36. : •炭化珪素半導体装置の製造方法
岩室,憲幸
37. : •半導体装置
岩室,憲幸
38. : •縦型高耐圧装置および縦型高耐圧半導体装置の製造方法
岩室,憲幸
39. : •High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof
岩室,憲幸
40. : •Wide band gap semiconductor device and method for producing the same
岩室,憲幸
41. : •Semiconductor device
岩室,憲幸
42. : •Vertical high-voltage semiconductor device and fabrication method thereof
岩室,憲幸
43. : •High voltage semiconductor apparatus
岩室,憲幸
44. : •Wide band gap semiconductor device
岩室,憲幸
45. : •炭化珪素半導体装置およびその製造方法
岩室,憲幸
46. : •炭化珪素半導体素子の製造方法
岩室,憲幸
47. : •Semiconductor Device With SiC Base Layer
岩室, 憲幸
48. : •Semiconductor Device
岩室,憲幸
49. : •Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof
岩室,憲幸
50. 特願2018-208105: 炭化珪素半導体装置
岩室, 憲幸; 原田, 信介
51. 2012-104224: 炭化珪素半導体素子の製造方法
福田憲司; 岩室, 憲幸; 後藤雅秀
52. 2012-125254: 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
辻崇; 木下明将; 岩室, 憲幸; 福田憲司
53. 2017-101263: 炭化珪素半導体装置
辻崇; 木下明将; 岩室, 憲幸; 福田憲司
54. 2016-131076: 半導体装置および半導体装置の製造方法
福田憲司; 岩室, 憲幸
55. 2012-081171: 半導体装置
原田祐一; 岩室, 憲幸; 星保幸; 原田信介
56. 2015-530769: 高耐圧半導体装置およびその製造方法
岩室, 憲幸; 原田信介
57. 特願2015‐030433: •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
58. 特願2014-257935: 電力変換装置
磯部高範; 岩室憲幸; 只野博; 矢野裕司
59. 特願2014-257934: 電力変換装置
磯部高範; 岩室憲幸; 只野博; 矢野裕司
60. 特願2015-030433: 前駆体溶液及び炭化シリコンを含有する層、並びに、パワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 井上,聡; 増田,貴史; 村上,達也; 岩室,憲幸; 矢野,裕司

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