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岩室 憲幸

Iwamuro, Noriyuki

数理物質系 , 教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Professor

http://power.bk.tsukuba.ac.jp/

日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞

2020-12-10

岩室 憲幸
オープンアクセス版の論文は「つくばリポジトリ」で読むことができます。
  1. 1. SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性 子安, 葵; 新郷, 諒介; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 11-146 (2025)
  2. 2. SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性 子安, 葵; 新郷, 諒介; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      第72回応用物理学会春季学術講演会 11-146 (2025)
  3. 3. 低直流電圧印加 時 における SiC MOSFET 負荷短絡破壊メカニズムの解析 鹿志村快音; 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集 11-147 (2025)
  4. 4. SiC SBD高温・高湿バイアス試験後の 周辺耐圧領域解析 阿部洸太; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      令和7年電気学会全国大会 講演論文集 4: 143 (2025)
  5. 5. A study on turn-off, and on-resistance and short-circuit capability trade-off characteristics in 1.2 kV SiC MOSFETs Suzuki, Kazuhiro; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki
      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63: (2024)
  6. 6. Unique short-circuit failure mechanisms in 1.2-kV SiC planar MOSFETs 鈴木一広; 鹿志村快音; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      Applied Physics Express 17: 124002-1 (2024)
  7. 7. 4H-SiC 横型 p-ch SJ-MOSFETの高温状態における性能改善 吉田, 開; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第11回講演会 予稿集 89 (2024)
  8. 8. SiC MOSFETへのゲートACストレス印加時の発光としきい値電圧変動の関係 新郷, 諒介; 円城寺, 佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第11回講演会 予稿集 81 (2024)
  9. 9. 電子線照射がSiCパワーMOSFETのチャネル特性に与える影響 松木, 康太郎; 市川, 義人; 小野澤, 勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第11回講演会 予稿集 93 (2024)
  10. 10. Relationship between luminescence and threshold voltage shift in SiC MOSFETs under gate AC stress Shingo, Ryosuke; Enjoji, Yuya; Iwamuro, Noriyuki; YANO, Hiroshi
      Proceedings of The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS 2024) MC2-3 (2024)
  11. 11. 電子線照射がSiCおよびSi MOSFETのチャネル特性に及ぼす影響 松木, 康太郎; 市川, 義人; 小野澤, 勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司
      第85回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集 12-256 (2024)
  12. 12. SiC MOSFETへのゲートACストレス印加による発光としきい値電圧変動 新郷, 諒介; 円城寺, 佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      第85回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集 12-266 (2024)
  13. 13. Impact of electron irradiation on SiC power MOSFET performance Matsuki, Kotaro; Ichikawa, Yoshihito; Onozawa, Yuichi; Iwamuro, NoriyukiYANO, Hiroshi
      Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 563 (2024)
  14. 14. A Study of Electrical Characteristics of State-of-the-Art 1.2-kV SiC Planar and Trench MOSFETs 鈴木一広; 矢野裕司; IWAMURO, Noriyuki
      Abstracts of 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials 221 (2024)
  15. 15. 電気ー熱ー応力連成シミュレーション技術を用いたSiC MOSFET負荷短絡破壊メカニズム解析法 Yao, Kairun; 岩室, 憲幸
      IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 144: 204 (2024) Semantic Scholar
  16. 16. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート－ドレイン間寄生容量特性解析 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 37 (2024)
  17. 17. 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 34 (2024)
  18. 18. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析 菊池真矢; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 32 (2024)
  19. 19. ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 105 (2023)
  20. 20. 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 101 (2023)
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  1. 1. パワーデバイスの最新開発動向と高温対策および利用技術 （監修） 岩室, 憲幸
    ㈱R＆D支援センター 2024年11月 (ISBN: 9784905507741)
  2. 2. パワーデバイスの最新開発動向と高温対策および利用技術 岩室, 憲幸
    2024年11月 (ISBN: 9784905507741)
  3. 3. パワーエレクトロニクス技術の進展 ～脱炭素社会への貢献と期待～ （監修） 岩室, 憲幸
    シーエムシー出版 2024年9月 (ISBN: 9784781318165)
  4. 4. パワーエレクトロニクス技術の進展 ～脱炭素社会への貢献と期待～ 岩室, 憲幸
    シーエムシー出版 2024年9月 (ISBN: 9784781318165)
  5. 5. 次世代パワーデバイスに向けた高耐熱・高放熱材料の開発と熱対策 岩室, 憲幸
    2024年8月 (ISBN: 9784867980309)
  6. 6. パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス ～高信頼性を実現する素子と実装技術～ 岩室, 憲幸
    科学情報出版 2024年2月 (ISBN: 9784910558264)
  7. 7. Asia Electronics Industry Iwamuro, Noriyuki
    電波新聞社 2023年9月
  8. 8. 工業材料 岩室, 憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:MOSFETとIGBTを中心としたパワー半導体デバイスの最新動向と課題)
    日刊工業新聞社 2023年8月
  9. 9. 月刊車載テクノロジー 岩室, 憲幸
    技術情報協会 2023年6月
  10. 10. 表面技術 岩室, 憲幸
    一般社団法人 表面技術協会 2023年6月
  11. 11. Springer Handbook of Semiconductor Devices Iwamuro, Noriyuki
    Springer Nature 2022年11月 (ISBN: 9783030798260)
  12. 12. 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化 岩室, 憲幸
    ㈱エヌ・ティー・エス 2022年2月 (ISBN: 9784860437671)
  13. 13. ASIA Electronics Industry Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Power ICs Shape Up to Meet Emerging Automobile Trends)
    電波新聞社 2021年12月
  14. 14. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 岩室, 憲幸
    ㈱シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
  15. 15. 電気評論 岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:パワーエレクトロニクスの現状と将来)
    2020年12月
  16. 16. AEI 亜州電子信息 Iwamuro,Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:在 5G 商用化和 EV 普及上关注度不断 增加的功率半导体)
    2020年8月
  17. 17. 電気学会技術報告書 岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:SiC デバイス ユニポーラデバイス)
    電気学会 2020年7月
  18. 18. 電気計算 岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:注目される次世代パワーデバイスSiC・GaN)
    株式会社 電気書院 2020年4月
  19. 19. Power Device Enabling Association report 岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:GaNパワーデバイスの基礎)
    一般社団法人 パワーデバイスイネーブリング協会 2020年2月
  20. 20. 月間マテリアルステージ 岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:SiC/GaNパワーデバイスの技術トレンドと求められる放熱・耐熱特性)
    株式会社 技術情報協会 2020年1月
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