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岩室 憲幸

Iwamuro, Noriyuki

数理物質系 , 教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Professor

http://power.bk.tsukuba.ac.jp/

日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞

2020-12-10

岩室 憲幸
オープンアクセス版の論文は「つくばリポジトリ」で読むことができます。
  1. 1. 電気ー熱ー応力連成シミュレーション技術を用いたSiC MOSFET負荷短絡破壊メカニズム解析法 Yao, Kairun; 岩室, 憲幸
      IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 144: 204 (2024) Semantic Scholar
  2. 2. 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 34 (2024)
  3. 3. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析 菊池真矢; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
      令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 32 (2024)
  4. 4. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート－ドレイン間寄生容量特性解析 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      令和6年電気学会全国大会 講演論文集 4: 37 (2024)
  5. 5. ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 105 (2023)
  6. 6. 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 101 (2023)
  7. 7. SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果 松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集 103 (2023)
  8. 8. Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress Enjoji, Yuya; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi
      Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) Mo.C.11 (2023)
  9. 9. Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique Akiba, Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi
      Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) C.1 (2023)
  10. 10. Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
      Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs 250 (2023)
  11. 11. An investigation of avalanche ruggedness and failure mechanisms of 4H SiC trench MOSFETs in unclamped inductive switching by varying load inductances over a wide range Tsuji, Takashi; Iwamuro, Noriyuki
      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: (2023) Semantic Scholar
  12. 12. Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs 柏佳介; 髙橋光希; 北村雄大; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki
      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC2073-1 (2023) Semantic Scholar
  13. 13. モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計 森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 91 (2022)
  14. 14. Study on enhancing of the surge current capabilities of embedded SBDs in SWITCH-MOSs and body-PiN-diodes in SiC trench MOSFETs 北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志 (+3 著者) Iwamuro, Noriyuki
      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62: SC1007-1 (2022) Semantic Scholar
  15. 15. バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集 75 (2022)
  16. 16. Significant Improvement of Switching Characteristics in a 1.2-kV SiC SWITCH-MOS by the Application of Kelvin Source Connection 松井ケビン; 俵 武志; 原田, 信介; 田中聡 (+2 著者) Iwamuro, Noriyuki
      IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING 18: 278 (2022) Semantic Scholar
  17. 17. AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価 円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
      第83回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集 12-122 (2022)
  18. 18. Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals 北村雄大; 俵 武志; 原田, 信介; 矢野裕司Iwamuro, Noriyuki
      Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 701 (2022)
  19. 19. Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs 柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
      Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 703 (2022)
  20. 20. 電気熱連成解析によるモータ駆動時の SiC MOSFET の温度推定 松岡亨卓; 磯部, 高範; 加藤史樹; 先崎純寿 (+1 著者) 岩室憲幸
      2022年電気学会産業応用部門大会 (2022)
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  1. 1. パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス ～高信頼性を実現する素子と実装技術～ 岩室, 憲幸
    科学情報出版 2024年2月 (ISBN: 9784910558264)
  2. 2. Asia Electronics Industry Iwamuro, Noriyuki
    電波新聞社 2023年9月
  3. 3. 工業材料 岩室, 憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:MOSFETとIGBTを中心としたパワー半導体デバイスの最新動向と課題)
    日刊工業新聞社 2023年8月
  4. 4. 月刊車載テクノロジー 岩室, 憲幸
    技術情報協会 2023年6月
  5. 5. 表面技術 岩室, 憲幸
    一般社団法人 表面技術協会 2023年6月
  6. 6. Springer Handbook of Semiconductor Devices Iwamuro, Noriyuki
    Springer Nature 2022年11月 (ISBN: 9783030798260)
  7. 7. 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化 岩室, 憲幸
    ㈱エヌ・ティー・エス 2022年2月 (ISBN: 9784860437671)
  8. 8. ASIA Electronics Industry Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Power ICs Shape Up to Meet Emerging Automobile Trends)
    電波新聞社 2021年12月
  9. 9. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開 岩室, 憲幸
    ㈱シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
  10. 10. 電気評論 岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:パワーエレクトロニクスの現状と将来)
    2020年12月
  11. 11. AEI 亜州電子信息 Iwamuro,Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:在 5G 商用化和 EV 普及上关注度不断 增加的功率半导体)
    2020年8月
  12. 12. 電気学会技術報告書 岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:SiC デバイス ユニポーラデバイス)
    電気学会 2020年7月
  13. 13. 電気計算 岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:注目される次世代パワーデバイスSiC・GaN)
    株式会社 電気書院 2020年4月
  14. 14. Power Device Enabling Association report 岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:GaNパワーデバイスの基礎)
    一般社団法人 パワーデバイスイネーブリング協会 2020年2月
  15. 15. 月間マテリアルステージ 岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:SiC/GaNパワーデバイスの技術トレンドと求められる放熱・耐熱特性)
    株式会社 技術情報協会 2020年1月
  16. 16. 車載機器におけるパワー半導体の設計と実装 岩室, 憲幸
    科学情報出版株式会社 2019年9月 (ISBN: 9784904774786)
  17. 17. 高熱伝導材料の開発～さらなる熱伝導率の向上のために～ 岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:SiCパワーデバイスの最新動向と信頼性の課題)
    （株）技術情報協会 2019年7月 (ISBN: 9784861047541)
  18. 18. サーマルマネジメント材料技術 岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:次世代パワー半導体デバイスとサーマルマネジメント材料技術)
    サイエンス＆テクノロジー株式会社 2019年7月 (ISBN: 9784864281966)
  19. 19. IV. パワー半導体デバイスの現状 岩室,憲幸
    日本粉体工業技術協会 2019年6月
  20. 20. サーマルデバイス ～新素材・新技術による熱の高度制御と高効率利用～ 岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:サーマルマネジメント―パワー半導体デバイス技術と課題)
    (株)エヌ・ティー・エス 2019年4月 (ISBN: 9784860436025)
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