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岩室憲幸

Iwamuro, Noriyuki

数理物質系 , 教授
Institute of Pure and Applied Sciences , Professor

http://power.bk.tsukuba.ac.jp/

オープンアクセス版の論文は「つくばリポジトリ」で読むことができます。

1. SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性子安, 葵; 新郷, 諒介; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
第72回応用物理学会春季学術講演会予稿集 11-146 (2025)
2. SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性子安, 葵; 新郷, 諒介; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
第72回応用物理学会春季学術講演会 11-146 (2025)
3. 低直流電圧印加時における SiC MOSFET 負荷短絡破壊メカニズムの解析鹿志村快音; 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会予稿集 11-147 (2025)
4. SiC SBD高温・高湿バイアス試験後の周辺耐圧領域解析阿部洸太; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
令和7年電気学会全国大会講演論文集 4: 143 (2025)
5. A study on turn-off, and on-resistance and short-circuit capability trade-off characteristics in 1.2 kV SiC MOSFETs Suzuki, Kazuhiro; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63: (2024)
6. Unique short-circuit failure mechanisms in 1.2-kV SiC planar MOSFETs 鈴木一広; 鹿志村快音; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
Applied Physics Express 17: 124002-1 (2024)
7. 4H-SiC 横型 p-ch SJ-MOSFETの高温状態における性能改善吉田, 開; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第11回講演会予稿集 89 (2024)
8. SiC MOSFETへのゲートACストレス印加時の発光としきい値電圧変動の関係新郷, 諒介; 円城寺, 佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第11回講演会予稿集 81 (2024)
9. 電子線照射がSiCパワーMOSFETのチャネル特性に与える影響松木, 康太郎; 市川, 義人; 小野澤, 勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第11回講演会予稿集 93 (2024)
10. Relationship between luminescence and threshold voltage shift in SiC MOSFETs under gate AC stress Shingo, Ryosuke; Enjoji, Yuya; Iwamuro, Noriyuki; YANO, Hiroshi
Proceedings of The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS 2024) MC2-3 (2024)
11. 電子線照射がSiCおよびSi MOSFETのチャネル特性に及ぼす影響松木, 康太郎; 市川, 義人; 小野澤, 勇一; 岩室憲幸矢野, 裕司
第85回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 12-256 (2024)
12. SiC MOSFETへのゲートACストレス印加による発光としきい値電圧変動新郷, 諒介; 円城寺, 佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
第85回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 12-266 (2024)
13. Impact of electron irradiation on SiC power MOSFET performance Matsuki, Kotaro; Ichikawa, Yoshihito; Onozawa, Yuichi; Iwamuro, NoriyukiYANO, Hiroshi
Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 563 (2024)
14. A Study of Electrical Characteristics of State-of-the-Art 1.2-kV SiC Planar and Trench MOSFETs 鈴木一広; 矢野裕司; IWAMURO, Noriyuki
Abstracts of 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials 221 (2024)
15. 電気ー熱ー応力連成シミュレーション技術を用いたSiC MOSFET負荷短絡破壊メカニズム解析法 Yao, Kairun; 岩室, 憲幸
IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 144: 204 (2024) Semantic Scholar
16. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート－ドレイン間寄生容量特性解析森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
令和6年電気学会全国大会講演論文集 4: 37 (2024)
17. 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
令和6年電気学会全国大会講演論文集 4: 34 (2024)
18. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析菊池真矢; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
令和6年電気学会全国大会講演論文集 4: 32 (2024)
19. ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第10回講演会予稿集 105 (2023)
20. 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第10回講演会予稿集 101 (2023)

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1. パワーデバイスの最新開発動向と高温対策および利用技術（監修）岩室, 憲幸
㈱R＆D支援センター 2024年11月 (ISBN: 9784905507741)
2. パワーデバイスの最新開発動向と高温対策および利用技術岩室, 憲幸
2024年11月 (ISBN: 9784905507741)
3. パワーエレクトロニクス技術の進展～脱炭素社会への貢献と期待～（監修）岩室, 憲幸
シーエムシー出版 2024年9月 (ISBN: 9784781318165)
4. パワーエレクトロニクス技術の進展～脱炭素社会への貢献と期待～岩室, 憲幸
シーエムシー出版 2024年9月 (ISBN: 9784781318165)
5. 次世代パワーデバイスに向けた高耐熱・高放熱材料の開発と熱対策岩室, 憲幸
2024年8月 (ISBN: 9784867980309)
6. パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス～高信頼性を実現する素子と実装技術～岩室, 憲幸
科学情報出版 2024年2月 (ISBN: 9784910558264)
7. Asia Electronics Industry Iwamuro, Noriyuki
電波新聞社 2023年9月
8. 工業材料岩室, 憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:MOSFETとIGBTを中心としたパワー半導体デバイスの最新動向と課題)
日刊工業新聞社 2023年8月
9. 月刊車載テクノロジー岩室, 憲幸
技術情報協会 2023年6月
10. 表面技術岩室, 憲幸
一般社団法人表面技術協会 2023年6月
11. Springer Handbook of Semiconductor Devices Iwamuro, Noriyuki
Springer Nature 2022年11月 (ISBN: 9783030798260)
12. 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化岩室, 憲幸
㈱エヌ・ティー・エス 2022年2月 (ISBN: 9784860437671)
13. ASIA Electronics Industry Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Power ICs Shape Up to Meet Emerging Automobile Trends)
電波新聞社 2021年12月
14. 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開岩室, 憲幸
㈱シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
15. 電気評論岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:パワーエレクトロニクスの現状と将来)
2020年12月
16. AEI 亜州電子信息 Iwamuro,Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:在 5G 商用化和 EV 普及上关注度不断增加的功率半导体)
2020年8月
17. 電気学会技術報告書岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:SiC デバイスユニポーラデバイス)
電気学会 2020年7月
18. 電気計算岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:注目される次世代パワーデバイスSiC・GaN)
株式会社電気書院 2020年4月
19. Power Device Enabling Association report 岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:GaNパワーデバイスの基礎)
一般社団法人パワーデバイスイネーブリング協会 2020年2月
20. 月間マテリアルステージ岩室,憲幸 (担当:分担執筆, 範囲:SiC/GaNパワーデバイスの技術トレンドと求められる放熱・耐熱特性)
株式会社技術情報協会 2020年1月

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141. Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique Akiba, Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) 招待有り
142. Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress Enjoji, Yuya; 岩室憲幸; Yano, Hiroshi
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)
143. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート－ドレイン間寄生容量特性解析森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
令和6年電気学会全国大会
144. 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第10回講演会
145. SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第10回講演会
146. ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第10回講演会
147. Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress 高橋光希; 信介, 原田; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2023) IEEE
148. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析菊池真矢; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
令和6年電気学会全国大会
149. 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析鈴木一広; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
令和6年電気学会全国大会
150. バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第9回講演会
151. モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計森海斗; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第9回講演会
152. AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野, 裕司
第83回応用物理学会秋季学術講演会
153. Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis 柏佳介; 姚凱倫; 信介, 原田; 矢野裕司; Iwamuro, Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)
154. 電気熱連成解析によるモータ駆動時の SiC MOSFET の温度推定松岡亨卓; 磯部, 高範; 加藤史樹; 先崎純寿; 佐藤弘; 岩室憲幸
2022年電気学会産業応用部門大会
155. SBD占有面積割合の異なる1.2kV SBD内蔵SiC-MOSFETのUIS耐量解析柏佳介; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
令和5年電気学会全国大会電気学会
156. SBD 内蔵 SiC トレンチ MOSFET におけるショットキー障壁高さが順方向サージ電流耐量に与える影響の解析北村雄大; 俵武志; 原田, 信介; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
令和5年電気学会全国大会
157. 1.2 kV 耐圧 SiC トレンチ MOSFET内蔵ダイオード順方向サージ電流耐量の解析北村雄大; 原田, 信介; 佐藤弘; 矢野裕司; 岩室, 憲幸
電気学会電子デバイス研究会電気学会
158. Investigations of UIS failure mechanism in state-of-the-art 1.2-kV SiC trench MOSFETs using TCAD simulations Iwamuro, Noriyuki
The 3rd Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM-2022) 招待有り
159. SiC MOSFET高性能化・高信頼化の進展岩室, 憲幸
ワイドギャップ半導体学会第8回研究会ワイドギャップ半導体学会招待有り
160. SiC MOSFET高性能化に向けた最新技術岩室, 憲幸
第4回WBG実装コンソーシアム招待有り

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1. : 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法
岩室,憲幸
2. : 炭化珪素半導体装置
岩室,憲幸
3. : 炭化珪素半導体装置
辻崇; 木下明将; 岩室, 憲幸; 福田憲司
4. : 炭化ケイ素縦型MOSFETおよびその製造方法
岩室,憲幸
5. : 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
岩室,憲幸
6. : 炭化珪素半導体装置
岩室,憲幸
7. : 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
岩室,憲幸
8. : Silicon carbide devices and fabrication method
Iwamuro,Noriyuki
9. : 半導体装置および半導体装置の製造方法
岩室,憲幸
10. : Vertical high voltage semicouductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus
Iwamuro, Noriyuki; 原田信介; 星保幸; 原田祐一
11. : High Voltage Semiconductor Devices
Iwamuro, Noriyuki; 信介, 原田
12. : Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
Iwamuro,Noriyuki
13. : 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
岩室,憲幸
14. : 炭化ケイ素縦型MOSFET及びその製造方法
岩室, 憲幸; 原田信介; 星保幸; 原田祐一
15. : Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
Iwamuro,Noriyuki
16. : Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor appatus
岩室,憲幸
17. : •Low on-resistance wide band gap semiconductor device and method for producing the same
岩室,憲幸
18. : •炭化珪素縦型電界効果トランジスタ
岩室,憲幸
19. : •半導体装置
岩室,憲幸
20. : •ワイドバンドギャップ半導体装置
岩室,憲幸
21. : •Semiconductor device
岩室,憲幸
22. : •ワイドバンドギャップ半導体装置
岩室,憲幸
23. : •縦型高耐圧半導体装置およびその製造方法
岩室,憲幸
24. : •逆耐圧を有する縦型窒化ガリウム半導体装置
岩室,憲幸
25. : •半導体装置
岩室,憲幸
26. : •Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus
岩室,憲幸
27. : •Semiconductor device
岩室,憲幸
28. : •Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof
岩室,憲幸
29. : •Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
岩室,憲幸
30. : •Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
岩室,憲幸
31. : •Fabrication method of silicon carbide semiconductor device
岩室,憲幸
32. : •Silicon carbide vertical field effect transistor
岩室,憲幸
33. : •電力変換装置
岩室,憲幸
34. : •電力変換装置
岩室,憲幸
35. : •縦型高耐圧装置の製造方法および縦型高耐圧半導体装置
岩室,憲幸
36. : •炭化珪素半導体装置の製造方法
岩室,憲幸
37. : •半導体装置
岩室,憲幸
38. : •縦型高耐圧装置および縦型高耐圧半導体装置の製造方法
岩室,憲幸
39. : •High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof
岩室,憲幸
40. : •Wide band gap semiconductor device and method for producing the same
岩室,憲幸
41. : •Semiconductor device
岩室,憲幸
42. : •Vertical high-voltage semiconductor device and fabrication method thereof
岩室,憲幸
43. : •High voltage semiconductor apparatus
岩室,憲幸
44. : •Wide band gap semiconductor device
岩室,憲幸
45. : •炭化珪素半導体装置およびその製造方法
岩室,憲幸
46. : •炭化珪素半導体素子の製造方法
岩室,憲幸
47. : •Semiconductor Device With SiC Base Layer
岩室, 憲幸
48. : •Semiconductor Device
岩室,憲幸
49. : •Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof
岩室,憲幸
50. 特願2018-208105: 炭化珪素半導体装置
岩室, 憲幸; 原田, 信介
51. 2012-104224: 炭化珪素半導体素子の製造方法
福田憲司; 岩室, 憲幸; 後藤雅秀
52. 2012-125254: 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
辻崇; 木下明将; 岩室, 憲幸; 福田憲司
53. 2017-101263: 炭化珪素半導体装置
辻崇; 木下明将; 岩室, 憲幸; 福田憲司
54. 2016-131076: 半導体装置および半導体装置の製造方法
福田憲司; 岩室, 憲幸
55. 2012-081171: 半導体装置
原田祐一; 岩室, 憲幸; 星保幸; 原田信介
56. 2015-530769: 高耐圧半導体装置およびその製造方法
岩室, 憲幸; 原田信介
57. 特願2015‐030433: •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室, 憲幸; 矢野裕司
58. 特願2014-257935: 電力変換装置
磯部高範; 岩室憲幸; 只野博; 矢野裕司
59. 特願2014-257934: 電力変換装置
磯部高範; 岩室憲幸; 只野博; 矢野裕司
60. 特願2015-030433: 前駆体溶液及び炭化シリコンを含有する層、並びに、パワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 井上,聡; 増田,貴史; 村上,達也; 岩室,憲幸; 矢野,裕司

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