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大井川治宏

Oigawa, Haruhiro

数理物質系 , 講師
Institute of Pure and Applied Sciences , Assistant Professor

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81. AES Observation on the Photochemically Washed Surface of GaAs Oigawa,H; Fan,J; Nannichi,Y
Japanese Journal of Applied Physics 28: L525 (1989) Semantic Scholar
82. Studies on an (NH₄)₂Sx-Treated GaAs Surface Using AES LEELS and RHEED Oigawa,H; Fan,J; Nannichi,Y; Ando,K (+1 著者) Koma,A
Japanese Journal of Applied Physics 28: L340 (1989) Semantic Scholar
83. MOLECULAR-BEAM EPITAXY ON THE (NH4)2SX-TREATED SURFACE OF GAAS H OIGAWA; M KAWABE; JF FAN; Y NANNICHI
CHEMISTRY AND DEFECTS IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES 148: 427 (1989)
84. Metal-Dependent Schottky Barrier Height with the (NH₄)₂Sx-Treated GaAs Fan,J; Oigawa,H; Nannichi,Y
Japanese Journal of Applied Physics 27: L2125 (1988) Semantic Scholar
85. The Effect of (NH₄)₂Sx Treatment on the Interface Characteristics of GaAs MIS Structures(共著) Fan,J; Oigawa,H; Nannichi,Y
Japanese Journal of Applied Physics 27: L1331 (1988) Semantic Scholar
86. A Model to Explain the Effectiveness Passivation of the GaAs Surface by (NH₄)₂Sx Treatment Nannichi,Yasuo; Fan,Jia-Fa; Oigawa,Haruhiro; Koma,Atsushi
Japanese Journal of Applied Physics 27: L2367 (1988)
87. Stabilization of GaAs Surface/Interface by Sulfur Treatment Oigawa,H; Fan,J; Nannichi,Y; Ando,K (+1 著者) Koma,A
Extended Abstracts 20th Conference on Solid State Devices & Materials 263 (1988)

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1. 走査プローブ顕微鏡－正しい実験とデータ解析のために必要なこと－大井川, 治宏 (担当:分担執筆, 範囲:薬品を扱うために／その他の技術)
実験物理科学シリーズ・共立出版 2009年3月 (ISBN: 9784320033818)
2. 実戦ナノテクノロジー走査プローブ顕微鏡と局所分光大井川, 治宏 (担当:分担執筆, 範囲:半導体量子構造の解析)
裳華房 2005年11月 (ISBN: 9784785369071)
3. ナノテクノロジーのための走査プローブ顕微鏡大井川, 治宏 (担当:分担執筆, 範囲:化合物半導体表面)
表面分析技術選書・丸善 2002年1月 (ISBN: 462107069X)
4. 硫黄処理による砒化ガリウムの表面物性の研究大井川,治宏
1990年7月

1. 光励起多探針技術の開発と低次元半導体評価への応用茂木, 裕幸; 汪, 子涵; 高口裕平; 遠藤尚彦; 宮田耕充; 嵐田, 雄介; 吉田昭二; 谷中, 淳; 大井川治宏; 武内, 修; 重川秀実
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日招待有り
2. Photoresponse Measurements of Monolayer WSe2MoSe2 In-plane Heterostructure by an Optically-excited Multiprobe method Mogi, H; Wang, Z; Bamba, T; Takaguchi, Y; Endo, T; Yoshida, S; Taninaka, A; Oigawa, H; Miyata, Y; Takeuchi, O; Shigekawa, Hidemi
27th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM27) 2019年12月5日
3. 光励起多探針計測を用いた単層 WSe2/MoSe2面内ヘテロ構造の光応答評価茂木裕幸; 汪子涵; 番場隆文; 髙口裕平; 遠藤尚彦; 吉田昭二; 谷中淳; 大井川治宏; 宮田耕充; 重川, 秀実
2019年日本表面真空学会学術講演会 2019年10月28日
4. Photoresponse of WSe2/MoSe2 in-plane heterostructure probed by a laser-combined multiprobe spectroscopy Mogi, Hiroyuki; Wang, Zi-Han; Bamba, Takafumi; Takaguchi, Yuhei; Endo, Takahiko; Yoshida, Shoji; Taninaka, Atsushi; Oigawa, Haruhiro; Miyata, Yasumitsu; Takeuchi, Osamu; Shigekawa, Hidemi
Recent Progress in Graphene & 2D Materials Research (RPGR2019) 2019年10月6日
5. パルス対励起型STMによる硫黄処理GaAs(001)表面のキャリアダイナミックスと基板依存性大井川治宏; 寺田康彦; 大久保淳史; 岩田康史; 藤田高士; 佐々木亮; 武内修; 重川秀実
第71回応用物理学会学術講演会講演予稿集_応用物理学会_'10秋_1_ 2010年9月
6. GaAs/GaInNAsSb系ヘテロ接合化合物太陽電池の作製と評価市川周平; 宮下直也; 上殿明良; 大井川治宏; 岡田至崇
第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集_応用物理学会_'08秋_3_ 2008年9月
7. Heterodyne Scanning Tunnelling Spectroscopy Matsuyama, Eiji; Oigawa, Haruhiro; Nakamura, Junji; Kondo, Takahiro
31st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy Thin Film and Surface Physics Division of JSAP
8. Nanoscale dynamics probed by laser-combined scanning tunneling microscopy Shigekawa, Hidemi; Yoshida, Shoji; Takeuchi, Osamu; Aoyama, Masahiro; Terada, Yasuhiko; Kondo, Hiroyuki; Oigawa, Haruhiro
7th International Conference on Nano-Molecular Electronics (ICNME2006)