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植田 暁子

ALUMNI 2025年5月現在、筑波大学が主たる所属機関ではありません

Ueda, Akiko

国立研究開発法人産業技術総合研究所 , エレクトロニクス・製造部門 先端半導体研究センター, デバイスシミュレーション研究チーム , 研究チーム長
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology , Device Simulation Research Team, Semiconductor Frontier Research Center , Team leader

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  1. 1. High-frequency characteristics of ultra-short gate MoS2 transistors Akiko Ueda; Hiroshi Imamura; Hirokazu Fukidome
      Applied Physics Express 18: 034005-1 (2025)
  2. 2. Green materials in semiconductors: perspective from the IRDS Beyond-CMOS roadmap Akiko Ueda; Hiroyuki Akinaga; Sapan Agarwal; Joseph A Hagmann (+2 著者) An Chen
      Nanotechnology (2025)
  3. 3. Tuning the electronic and magnetic properties of MoS2 bilayers by transition-metal intercalation Yukie Kitaoka; Akiko Ueda; Hiroshi Imamura
      Journal of Magnetism and Magnetic Materials 602: 172168 (2024) Semantic Scholar
  4. 4. Gate-controlled spin injection polarity in 2D transistors with Schottky barrier Akiko Ueda; Yukie Kitaoka; Hiroshi Imamura
      Journal of Magnetism and Magnetic Materials (2024) Semantic Scholar
  5. 5. Magnetism of MoS2 bilayers with intercalated and surface adsorbed Fe Yukie Kitaoka; Akiko Ueda; Hiroshi Imamura
      Journal of Magnetism and Magnetic Materials (2024) Semantic Scholar
  6. 6. Optimization of effective electron mass in strained silicon nanosheets H. Horii; A. Ueda; Y. Hayashi
      AIP Advances (2024) Semantic Scholar
  7. 7. The effect of biaxial strain on the phonon-limited mobility in 4H-SiC MOSFETs Wei Fu; Hiroshi Yano; Takeaki Sakurai; Akiko Ueda
      Applied Physics Express (2023) Semantic Scholar
  8. 8. Demystifying the role of channel region in two-dimensional transistors Ankur Nipane; James T. Teherani; Akiko Ueda
      Applied Physics Express 14: 044003 (2021) Semantic Scholar
  9. 9. Spin-states in MoS2 thin-film transistors distinguished by operando electron spin resonance Naho Tsunetomo; Shohei Iguchi; Małgorzata Wierzbowska; Akiko Ueda (+4 著者) Kazuhiro Marumoto
      Communications Materials 2: (2021) Semantic Scholar
  10. 10. The 2D Debye length: An analytical study of weak charge screening in 2D semiconductors Adina R. Bechhofer; Akiko Ueda; Ankur Nipane; James T. Teherani
      Journal of Applied Physics (2021) Semantic Scholar
  11. 11. Ambipolar device simulation based on the drift-diffusion model in ion-gated transition metal dichalcogenide transistors Akiko Ueda; Yijin Zhang; Nobuyuki Sano; Hiroshi ImamuraYoshihiro Iwasa
      npj Computational Materials 6: (2020) Semantic Scholar
  12. 12. Investigation of stress at SiO2/4H-SiC interface induced by thermal oxidation by confocal Raman microscopy Wei Fu; Ai Kobayashi; Hiroshi Yano; Akiko Ueda (+1 著者) Takeaki Sakurai
      Japanese Journal of Applied Physics 58: SBBD03 (2019) Semantic Scholar
  13. 13. AC transport and full-counting statistics of molecular junctions in the weak electron-vibration coupling regime A. Ueda; Y. Utsumi; Y. Tokura; O. Entin-WohlmanA. Aharony
      JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS 146: (2017) Semantic Scholar
  14. 14. Fully Valley/spin polarized current and Fano factor through the Graphene/ ferromagnetic silicene/Graphene junction Zeinab Rashidian; Saeid Rezaeipour; Yaser Hajati; Zeinab LorestaniweissAkiko Ueda
      JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS 424: 207 (2017) Semantic Scholar
  15. 15. Phonon-Induced Electron - Hole Excitation and ac Conductance in Molecular Junction Akiko Ueda; Yasuhiro Utsumi; Hiroshi Imamura; Yasuhiro Tokura
      JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 85: 043703-1 (2016) Semantic Scholar
  16. 16. Phase interference due to multiple impurities and space-average resistance in quasi-one-dimensional nanowires Nobuyuki Sano; Akiko Ueda
      APPLIED PHYSICS EXPRESS 9: 25001 (2016) Semantic Scholar
  17. 17. First-principles study of energy band gap of single-layer Mo1-xCrxS2 Akiko Ueda; Syuta Honda; Hiroshi Imamura
      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55: 28003 (2016) Semantic Scholar
  18. 18. Enhanced impurity-limited mobility in ultra-scaled Si nanowire junctionless field-effect transistors Akiko Ueda; Mathieu Luisier; Nobuyuki Sano
      APPLIED PHYSICS LETTERS 107: 253501 (2015) Semantic Scholar
  19. 19. 量子ドット/超伝導体接合における超伝導対称性 植田, 暁子; 横山, 毅人
      Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 70: 1316 - 1316 (2015)
  20. 20. Correlation Effects of Localized Impurities on Electron Transport under 1-D Nano-Structures N. Sano; M. R. Zulhidza; Y. Kaneno; S. Honda (+1 著者) K. Yoshida
      19TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON' 19) 647: (2015) Semantic Scholar
1 2 3
  1. 1. 19TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON' 19) Sano,N; Zulhidza,M. R; Kaneno,Y; Honda,S; Ueda,A; Yoshida,K
    IOP PUBLISHING LTD 2015年
  2. 2. 量子ドット干渉計における非平衡輸送現象 植田, 暁子
    2007年3月
  1. 1. MoS2単原子層中Reドーパントの局所電子状態のSTM/STS計測 吉田昭二; 吉村真太郎; 竹内高広; 本田周太; 植田暁子; 武内修; 宮田耕充; Shigekawa, Hidemi
    第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月17日
  2. 2. Localized electronic state of Re dopant in monolayer MoS2 studied by STM/STS Takeuchi, Takahiro; Yoshimura, Shintaro; Ueda, Akiko; Honda, Syuta; Yoshida, Shoji; Takeuchi, Osamu; Maniwa, Yutaka; Miyata, Yasumitsu; Shigekawa, Hidemi
    25th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM25) 2017年12月7日
  3. 3. Localized electronic state of Mo1-xRexS2 monolayer studied by STM/STS Takahiro,Takeuchi; Shohei,Mori; Akiko,Ueda; Syuta,Honda; Shoji,Yoshida; Osamu,Takeuchi; Yutaka,Maniwa; Yasumitsu,Miyata; 重川,秀実
    24th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM24) 第30回 特別研究会「走査型プローブ顕微鏡」 2016年12月14日
  4. 4. Full counting statistics for metal-quantum dot-superconductor junctions with unconventional superconductivity Ueda,Akiko
    21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems 2015年7月26日
  5. 5. Correlation Effects of Localized Impurities on Electron Transport under 1-D Nano-Structures Sano, N; Zulhidza, M. R; Kaneno, Y; Honda, S; Ueda, A
    19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON '19) 2015年6月29日
  6. 6. Quantum dots Coupling to Topological Superconductors Ueda,Akiko
    Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2014 2014年6月23日 招待有り
  7. 7. Effect of Impurity Scattering on Mobility in Si Nanowire Junctionless FETs Ueda,Akiko
    International Workshop on Computational Electronics 2014年6月3日
  8. 8. Interferometry through a quantum dot coupled to Majorana fermions Ueda,Akiko
    26th International Symposium on Superconductivity 2013年11月18日 国際超電導産業技術研究センター
  9. 9. ジャンクションレストランジスタにおけるNEGF法を用いたデバイスシミュレーション ～ 不純物散乱と遮蔽の影響の考察 ～ 植田,暁子
    シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) 2013年11月14日 電気情報通信学会
  10. 10. マヨラナ・量子ドット接合系における電気伝導特性 植田,暁子
    日本物理学会２０１３年秋季大会 2013年9月25日 日本物理学会
  11. 11. シリコンナノワイヤにおける離散化不純物ポテンシャルの電気伝導への影響 植田,暁子
    2013年応用物理学会秋季学術講演会 2013年9月16日 応用物理学会
  12. 12. シリコンナノワイヤFET におけるイオン化不純物散乱効果 植田,暁子
    応用物理学関係連合講演会 2013年9月14日 応用物理学会
  13. 13. Transport Through Quantum Dot - Majorana Junctions Ueda,Akiko
    The 12th Asia Pacific Physics Conference of AAPPS 2013年7月14日 日本物理学会
  14. 14. ジャンクションレスS i ナノワイヤトランジスタにおける イオン化不純物散乱 植田,暁子
    応用物理学会学術講演会 2013年3月27日 応用物理学会

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