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岡本大

ALUMNI 2026年7月現在、筑波大学が主たる所属機関ではありません

Okamoto, Dai

富山県立大学 , 工学部　電気電子工学科 , 准教授
Toyama Prefectural University , Faculty of Pure and Applied Sciences , Assistant Professor

http://power.bk.tsukuba.ac.jp/

1. TCAD and experimental study of geometric components in charge pumping current for accurate characterization of interface trap density in SiC pMOSFETs Kazuma Shimura; Dai Okamoto; Yuta Taguchi; Kenta Kimata (+3 著者) Tetsuo Hatakeyama
Japanese Journal of Applied Physics (2026) Semantic Scholar
2. TCAD-Oriented Physical Modeling of Temperature-Dependent Inversion Layer Mobility in SiC MOSFETs Tetsuo Hatakeyama; Hirohisa Hirai; Mitsuru Sometani; Dai Okamoto (+1 著者) Shinsuke Harada
2025 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 1 (2025) Semantic Scholar
3. Energy levels of carbon dangling-bond center (PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface Mitsuru Sometani; Yusuke Nishiya; Ren Kondo; Rei Inohana (+4 著者) Takahide Umeda
APL Materials 11: 111119 (2023) Semantic Scholar
4. Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs Tetsuo Hatakeyama; Hirohisa Hirai; Mitsuru Sometani; Dai Okamoto (+1 著者) Shinsuke Harada
Journal of Applied Physics 131: 145701 (2022) Semantic Scholar
5. Accurate Determination of Threshold Voltage Shift during Negative Gate Bias Stress in 4H-SiC MOSFETs by Fast On-the-fly Method Hiroki Sakata; Dai Okamoto; Mitsuru Sometani; Mitsuo Okamoto (+4 著者) Noriyuki Iwamuro
Japanese Journal of Applied Physics 60: 060901 (2021) Semantic Scholar
6. Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method Xufang Zhang; Tsubasa Matsumoto; Ukyo Sakurai; Toshiharu Makino (+7 著者) Norio Tokuda
Carbon 168: 659 (2020) Semantic Scholar
7. Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs Hiroki Nemoto; Dai Okamoto; Xufang Zhang; Mitsuru Sometani (+4 著者) Hiroshi Yano
Japanese Journal of Applied Physics 59: 044003 (2020) Semantic Scholar
8. Impact of crystal faces of 4H-SiC in SiO2/4H-SiC structures on interface trap densities and mobilities Tetsuo Hatakeyama; Teruyoshi Masuda; Mitsuru Sometani; Shinsuke Harada (+3 著者) Hajime Okumura
APPLIED PHYSICS EXPRESS 12: 201003-1 (2019) Semantic Scholar
9. Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors Xufang Zhang; Dai Okamoto; Tetsuo Hatakeyama; Mitsuru Sometani (+2 著者) Hiroshi Yano
Japanese Journal of Applied Physics 57: 06KA04-1 (2018) Semantic Scholar
10. Analysis of fast and slow responses in AC conductance curves for p-type SiC MOS capacitors Yuki Karamoto; Xufang Zhang; Dai Okamoto; Mitsuru Sometani (+3 著者) Hiroshi Yano
Japanese Journal of Applied Physics 57: 06KA06-1 (2018) Semantic Scholar
11. Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions Mitsuru Sometani; Mitsuo Okamoto; Tetsuo Hatakeyama; Yohei Iwahashi (+5 著者) Hajime Okumura
Japanese Journal of Applied Physics 57: 04FA07-1 (2018) Semantic Scholar
12. Investigation of Maximum Junction Temperature for 4H-SiC MOSFET During Unclamped Inductive Switching Test Junjie An; Masaki Namai; Dai Okamoto; Hiroshi Yano (+1 著者) Noriyuki Iwamuro
ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN 101: 24 (2018) Semantic Scholar
13. 異原子導入によるSiC MOSFETの特性改善岡本大; 矢野裕司
応用物理 86: 781 (2017)
14. Characterization of near-interface traps at 4H-SiC metal-oxide-semiconductor interfaces using modified distributed circuit model Xufang Zhang; Dai Okamoto; Tetsuo Hatakeyama; Mitsuru Sometani (+3 著者) Hiroshi Yano
APPLIED PHYSICS EXPRESS 10: 064101-1 (2017) Semantic Scholar
15. Characterization of traps at nitrided SiO2/SiC interfaces near the conduction band edge by using Hall effect measurements Tetsuo Hatakeyama; Yuji Kiuchi; Mitsuru Sometani; Shinsuke Harada (+3 著者) Hajime Okumura
APPLIED PHYSICS EXPRESS 10: 046601 (2017) Semantic Scholar
16. Effect of boron incorporation on slow interface traps in SiO2/4H-SiC structures Dai Okamoto; Mitsuru Sometani; Shinsuke Harada; Ryoji Kosugi (+1 著者) Hiroshi Yano
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING 123: (2017) Semantic Scholar
17. Experimental demonstration of -730V vertical SiC p-MOSFET with high short circuit withstand capability for complementary inverter applications Junjie An; Masaki Namai; Mikiko Tanabe; Dai Okamoto (+1 著者) Noriyuki Iwamuro
Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 10.7.1 - 10.7.4 (2017) Semantic Scholar
18. Unclamped Inductive Switching試験による4H-SiC MOSFETの最大接合温度の評価安俊傑; 生井正輝; 岡本大; 矢野裕司 (+1 著者) 岩室憲幸
IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 137: 216 (2017) Semantic Scholar
19. Threshold-voltage instability in 4H-SiC MOSFETs with nitrided gate oxide revealed by non-relaxation method Mitsuru Sometani; Dai Okamoto; Shinsuke Harada; Hitoshi Ishimori (+5 著者) Hajime Okumura
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55: 04ER11 (2016) Semantic Scholar
20. Experimental Demonstration of-730V Vertical SiC p-MOSFET with High Short Circuit Withstand Capability for Complementary Inverter Applications Junjie An; Masaki Namai; Mikiko Tanabe; Dai Okamoto (+1 著者) Noriyuki Iwamuro
2016 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM) IEDM16-272 - IEDM16-275 (2016) Semantic Scholar

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1. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET)
Angel Business Communications publication 2017年6月

1. 多周波アドミタンス解析による4H-SiC MOSキャパシタのMartens型時定数評価岡本大; 染谷満
第87回応用物理学会秋季学術講演会 2026年9月9日
2. 多周波チャージポンピング法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのNITに起因した動的な形状成分の解明田口雄大; 岡本大
第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月15日
3. SiO2/SiC界面特性に及ぼすSiF4添加量および酸化温度の影響高林知輝; 岡本大
令和7年度(2025年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2025年12月13日
4. 周波数依存チャージポンピング法によるSiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップ密度の温度依存性評価矢合志悠; 岡本大
令和7年度(2025年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2025年12月13日
5. pチャネルSiC MOSFETのCharge Pumping電流におけるGeometric Componentのメカニズムと抑制条件のTCADおよび実験的解析志村一眞; 岡本大; 田口雄大; 木全健太; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月20日
6. n-SiC MOSFET のCharge Pumping電流におけるGeometric ComponentのTCAD及び実験的解析木全健太; 志村一眞; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月20日
7. TCAD-Oriented Physical Modeling of Temperature-Dependent Inversion Layer Mobility in SiC MOSFETs Tetsuo Hayakeyama; Hirohisa Hirai; Mitsuru Sometani; Dai Okamoto; Mitsuo Okamoto; Shinsuke Harada
2025 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2025年9月24日
8. TCAD and Experimental Study of Geometric Components in Charge Pumping Current for Accurate Characterization of Interface Trap Density in SiC pMOSFETs Kazuma Shimura; Dai Okamoto; Yuta Taguchi; Kenta Kimata; Mitsuru Sometani; Hirohisa Hirai; Mitsuo Okamoto; Tetsuo Hatakeyama
2025 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2025年9月17日
9. pチャネルSiC MOSFETのCharge Pumping電流におけるGeometric ComponentのTCADおよび実験的解析志村一眞; 岡本大; 田口雄大; 木全健太; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月10日
10. n-SiC MOSFETのCharge Pumping電流における幾何学的形状成分のTCAD及び実験的解析木全健太; 志村一眞; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月10日
11. nチャネルSiC MOSFET に対する高温での周波数依存チャージポンピング特性の評価矢合志悠; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
令和6年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2024年12月7日
12. pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping特性の特異的なチャネル依存性のTCADによる解析志村一眞; 岡本大; 畠山哲夫
応用物理学会先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月26日
13. pチャネルSiC MOSFETにおけるチャージポンピング電流の特異的な形状成分の解析田口雄大; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
応用物理学会先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月26日
14. Physically Based Mobility Model for SiC MOSFETs in TCAD Tetsuo Hatakeyama; Hirohisa Hirai; Mitsuru Sometani; Dai Okamoto; Mitsuo Okamoto; Shinsuke Harada
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 2024年10月4日
15. nチャネルSiC MOSFETのSplit CV特性のTCADによる検討上野大騎; 岡本大; 畠山哲夫
令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
16. pチャネルSiC MOSFETにおけるストレス印加・緩和時のしきい値電圧不安定性評価小橋明希斗; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
17. SiC MOSFETのSplit CV特性を説明する等価回路モデルの検討酒井彰人; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
18. pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping特性のチャネル長依存性シミュレーション志村一眞; 岡本大; 畠山哲夫
令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
19. SiF4添加酸化によるSiO2/4H-SiC 構造における界面準位密度の低減高林知輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
20. pチャネルSiC MOSFET のCharge Pumping 特性における捕獲断面積の影響笠原匠人; 岡本大; 畠山哲夫
令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日

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