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岡本大

ALUMNI 2025年6月現在、筑波大学が主たる所属機関ではありません

Okamoto, Dai

富山県立大学 , 工学部　電気電子工学科 , 准教授
Toyama Prefectural University , Faculty of Pure and Applied Sciences , Assistant Professor

http://power.bk.tsukuba.ac.jp/

オープンアクセス版の論文は「つくばリポジトリ」で読むことができます。

21. Temperature-dependent analysis of conduction mechanism of leakage current in thermally grown oxide on 4H-SiC Mitsuru Sometani; Dai Okamoto; Shinsuke Harada; Hitoshi Ishimori (+5 著者) Hajime Okumura
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 117: (2015) Semantic Scholar
22. Exact characterization of threshold voltage instability in 4H-SiC MOSFETs by non-relaxation method Mitsuru Sometani; Dai Okamoto; Shinsuke Harada; Hitoshi Ishimori (+5 著者) Hajime Okumura
Materials Science Forum 821-823: 685 (2015) Semantic Scholar
23. Improved Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Boron Passivation Dai Okamoto; Mitsuru Sometani; Shinsuke Harada; Ryoji Kosugi (+1 著者) Hiroshi Yano
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 35: 1176 (2014) Semantic Scholar
24. High Voltage and Fast Switching Reverse Recovery Characteristics of 4H-SiC PiN Diode Koji Nakayama; Shuji Ogata; Toshihiko Hayashi; Tetsuro Hemmi (+12 著者) Hajime Okumura
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780: 841 (2014) Semantic Scholar
25. Development of Ultrahigh Voltage SiC Power Devices Kenji Fukuda; Dai Okamoto; Shinsuke Harada; Yasunori Tanaka (+21 著者) Tsunenobu Kimoto
2014 INTERNATIONAL POWER ELECTRONICS CONFERENCE (IPEC-HIROSHIMA 2014 - ECCE-ASIA) 3440 - 3446 (2014)
26. 13-kV, 20-A 4H-SiC PiN Diodes for Power System Applications Dai Okamoto; Yasunori Tanaka; Tomonori Mizushima; Mitsuru Yoshikawa (+20 著者) Hajime Okumura
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780: 855 (2014) Semantic Scholar
27. Dynamic Characteristics of Large Current Capacity Module using 16-kV Ultrahigh Voltage SiC Flip-Type n-channel IE-IGBT Tomonori Mizushima; Kensuke Takenaka; Hiroyuki Fujisawa; Tomohisa Kato (+31 著者) Tsunenobu Kimoto
2014 IEEE 26TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES & IC'S (ISPSD) 277 - 280 (2014) Semantic Scholar
28. Conduction Mechanism of Leakage Current in Thermal Oxide on 4H-SiC Mitsuru Sometani; Dai Okamoto; Shinsuke Harada; Hitoshi Ishimori (+5 著者) Hajime Okumura
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780: 579 (2014) Semantic Scholar
29. Development of High-Voltage 4H-SiC PiN Diodes on 4° and 8° Off-Axis Substrates Dai Okamoto; Yasunori Tanaka; Norio Matsumoto; Makoto Mizukami (+3 著者) Hajime Okumura
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012 740-742: 907 (2013) Semantic Scholar
30. Low V-f and Highly Reliable 16 kV Ultrahigh Voltage SiC Flip-Type n-channel Implantation and Epitaxial IGBT Yoshiyuki Yonezawa; Tomonori Mizushima; Kensuke Takenaka; Hiroyuki Fujisawa (+26 著者) Tsunenobu Kimoto
2013 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM) (2013) Semantic Scholar
31. Ultrahigh voltage SiC bipolar devices Kenji Fukuda; Dai Okamoto; Shinsuke Harada; Yasunori Tanaka (+21 著者) Tsunenobu Kimoto
1st IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, WiPDA 2013 - Proceedings 32 - 35 (2013) Semantic Scholar
32. Effect of POCl3 Annealing on Reliability of Thermal Oxides Grown on 4H-SiC Ryuji Morishita; Hiroshi Yano; Dai Okamoto; Tomoaki HatayamaTakashi Fuyuki
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2 717-720: 739 (2012) Semantic Scholar
33. Development of 4H-SiC MOSFETs with Phosphorus-Doped Gate Oxide Dai Okamoto; Hiroshi Yano; Tomoaki Hatayama; Takashi Fuyuki
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2 717-720: 733 (2012) Semantic Scholar
34. Shallow traps at P-doped SiO(2)/4H-SiC(0001) interface Dai Okamoto; Hiroshi Yano; Shinya Kotake; Tomoaki HatayamaTakashi Fuyuki
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010 679-680: 338 (2011) Semantic Scholar
35. Improved MOS interface properties of C-face 4H-SiC by POCl(3) annealing Shinya Kotake; Hiroshi Yano; Dai Okamoto; Tomoaki HatayamaTakashi Fuyuki
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010 679-680: 425 (2011) Semantic Scholar
36. Extraordinary characteristics of 4H-SiC trench MOSFETs on large off-axis substrates Yoshihiro Ueoka; Hiroshi Yano; Dai Okamoto; Tomoaki HatayamaTakashi Fuyuki
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010 679-680: 666 (2011) Semantic Scholar
37. Instability of 4H-SiC MOSFET Characteristics due to Interface Traps with Long Time Constants Hiroshi Yano; Yuki Oshiro; Dai Okamoto; Tomoaki HatayamaTakashi Fuyuki
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010 679-680: 603 (2011) Semantic Scholar
38. Improved Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs on Si Face Utilizing Phosphorus-Doped Gate Oxide Dai Okamoto; Hiroshi Yano; Kenji Hirata; Tomoaki HatayamaTakashi Fuyuki
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 31: 710 (2010) Semantic Scholar
39. Removal of near-interface traps at SiO2/4H-SiC (0001) interfaces by phosphorus incorporation Dai Okamoto; Hiroshi Yano; Tomoaki Hatayama; Takashi Fuyuki
APPLIED PHYSICS LETTERS 96: 203508 (2010) Semantic Scholar
40. Improved Inversion Channel Mobility in Si-face 4H-SiC MOSFETs by Phosphorus Incorporation Technique Dai Okamoto; Hiroshi Yano; Shinya Kotake; Kenji Hirata (+1 著者) Takashi Fuyuki
B - SILICON CARBIDE 2010-MATERIALS, PROCESSING AND DEVICES 1246: 1246-B06-06 (2010) Semantic Scholar

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1. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET)
Angel Business Communications publication 2017年6月

1. nチャネルSiC MOSFET に対する高温での周波数依存チャージポンピング特性の評価矢合志悠; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
令和6年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2024年12月7日
2. pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping特性の特異的なチャネル依存性のTCADによる解析志村一眞; 岡本大; 畠山哲夫
応用物理学会先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月26日
3. pチャネルSiC MOSFETにおけるチャージポンピング電流の特異的な形状成分の解析田口雄大; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
応用物理学会先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月26日
4. Physically Based Mobility Model for SiC MOSFETs in TCAD Tetsuo Hatakeyama; Hirohisa Hirai; Mitsuru Sometani; Dai Okamoto; Mitsuo Okamoto; Shinsuke Harada
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 2024年10月4日
5. nチャネルSiC MOSFETのSplit CV特性のTCADによる検討上野大騎; 岡本大; 畠山哲夫
令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
6. pチャネルSiC MOSFETにおけるストレス印加・緩和時のしきい値電圧不安定性評価小橋明希斗; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
7. SiC MOSFETのSplit CV特性を説明する等価回路モデルの検討酒井彰人; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
8. pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping特性のチャネル長依存性シミュレーション志村一眞; 岡本大; 畠山哲夫
令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
9. SiF4添加酸化によるSiO2/4H-SiC 構造における界面準位密度の低減高林知輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
10. pチャネルSiC MOSFET のCharge Pumping 特性における捕獲断面積の影響笠原匠人; 岡本大; 畠山哲夫
令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
11. pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性田口雄大; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
先進パワー半導体分科会第10回講演会 2023年12月1日
12. SiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性のTCADシミュレーション木全健太; 岡本大; 畠山哲夫
先進パワー半導体分科会第10回講演会 2023年12月1日
13. pチャネル4H-SiC MOSFETに対するTACD チャネル移動度モデル構築志村一眞; 岡本大; 畠山哲夫
先進パワー半導体分科会第10回講演会 2023年12月1日
14. Carbon dangling-bond energy levels at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface determined by EDMR, C–V and first-principles calculation Mitsuru Sometani; Yusuke Nishiya; Ren Kondo; Rei Inohana; Hongyu Zeng; Hirohisa Hirai; Dai Okamoto; Yu-ichiro Matsushita; Takahide Umeda
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) 2023年9月19日
15. A Physics-based Model for Inversion Layer Mobility in SiC MOSFETs Tetsuo Hatakeyama; Hirohisa Hirai; Mitsuru Sometani; Dai Okamoto; Mitsuo Okamoto; Shinsuke Harada
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023) 2023年9月18日
16. SiO2/SiC界面に存在するCダングリングボンド欠陥のエネルギーレベル染谷満; 西谷侑将; 近藤蓮; 猪鼻伶; 曾弘宇; 平井悠久; 岡本大; 松下雄一郎; 梅田享英
先進パワー半導体分科会第9回講演会 2022年12月21日
17. TCADにおけるSiC MOS反転層移動度のモデル化に関する考察畠山哲夫; 平井悠久; 染谷満; 岡本大; 岡本光央; 原田信介
先進パワー半導体分科会第9回講演会 2022年12月21日
18. SiC PiNダイオードのp型エミッタの低注入条件のTCADによる検討松浦克己; 岡本大; 畠山哲夫
令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2022年12月3日
19. SiC MOSFETのI-V特性を再現するTCAD移動度モデルの検討向結人; 岡本大; 畠山哲夫
令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2022年12月3日
20. TCADによるSiC MOSFETのCP特性の捕獲断面積依存性の評価益田裕介; 岡本大; 畠山哲夫
令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2022年12月3日