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岡本大

ALUMNI 2026年7月現在、筑波大学が主たる所属機関ではありません

Okamoto, Dai

富山県立大学 , 工学部　電気電子工学科 , 准教授
Toyama Prefectural University , Faculty of Pure and Applied Sciences , Assistant Professor

http://power.bk.tsukuba.ac.jp/

21. Development of Ultrahigh-Voltage SiC Devices Kenji Fukuda; Dai Okamoto; Mitsuo Okamoto; Tadayoshi Deguchi (+18 著者) Tsunenobu Kimoto
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 62: 396 (2015) Semantic Scholar
22. Temperature-dependent analysis of conduction mechanism of leakage current in thermally grown oxide on 4H-SiC Mitsuru Sometani; Dai Okamoto; Shinsuke Harada; Hitoshi Ishimori (+5 著者) Hajime Okumura
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 117: (2015) Semantic Scholar
23. Device performance and switching characteristics of 16 kV ultrahigh-voltage SiC flip-type n-channel IE-IGBTs Y. Yonezawa; T. Mizushima; K. Takenaka; H. Fujisawa (+26 著者) T. Kimoto
Materials Science Forum 821-823: 842 (2015) Semantic Scholar
24. Exact characterization of threshold voltage instability in 4H-SiC MOSFETs by non-relaxation method Mitsuru Sometani; Dai Okamoto; Shinsuke Harada; Hitoshi Ishimori (+5 著者) Hajime Okumura
Materials Science Forum 821-823: 685 (2015) Semantic Scholar
25. Improved Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Boron Passivation Dai Okamoto; Mitsuru Sometani; Shinsuke Harada; Ryoji Kosugi (+1 著者) Hiroshi Yano
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 35: 1176 (2014) Semantic Scholar
26. High Voltage and Fast Switching Reverse Recovery Characteristics of 4H-SiC PiN Diode Koji Nakayama; Shuji Ogata; Toshihiko Hayashi; Tetsuro Hemmi (+12 著者) Hajime Okumura
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780: 841 (2014) Semantic Scholar
27. Development of Ultrahigh Voltage SiC Power Devices Kenji Fukuda; Dai Okamoto; Shinsuke Harada; Yasunori Tanaka (+21 著者) Tsunenobu Kimoto
2014 INTERNATIONAL POWER ELECTRONICS CONFERENCE (IPEC-HIROSHIMA 2014 - ECCE-ASIA) 3440 - 3446 (2014)
28. 13-kV, 20-A 4H-SiC PiN Diodes for Power System Applications Dai Okamoto; Yasunori Tanaka; Tomonori Mizushima; Mitsuru Yoshikawa (+20 著者) Hajime Okumura
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780: 855 (2014) Semantic Scholar
29. Dynamic Characteristics of Large Current Capacity Module using 16-kV Ultrahigh Voltage SiC Flip-Type n-channel IE-IGBT Tomonori Mizushima; Kensuke Takenaka; Hiroyuki Fujisawa; Tomohisa Kato (+31 著者) Tsunenobu Kimoto
2014 IEEE 26TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES & IC'S (ISPSD) 277 - 280 (2014) Semantic Scholar
30. Conduction Mechanism of Leakage Current in Thermal Oxide on 4H-SiC Mitsuru Sometani; Dai Okamoto; Shinsuke Harada; Hitoshi Ishimori (+5 著者) Hajime Okumura
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780: 579 (2014) Semantic Scholar
31. Ultrahigh voltage SiC bipolar devices Kenji Fukuda; Dai Okamoto; Shinsuke Harada; Yasunori Tanaka (+21 著者) Tsunenobu Kimoto
1st IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, WiPDA 2013 - Proceedings 32 - 35 (2013) Semantic Scholar
32. Low V-f and Highly Reliable 16 kV Ultrahigh Voltage SiC Flip-Type n-channel Implantation and Epitaxial IGBT Yoshiyuki Yonezawa; Tomonori Mizushima; Kensuke Takenaka; Hiroyuki Fujisawa (+26 著者) Tsunenobu Kimoto
2013 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM) (2013) Semantic Scholar
33. Development of High-Voltage 4H-SiC PiN Diodes on 4° and 8° Off-Axis Substrates Dai Okamoto; Yasunori Tanaka; Norio Matsumoto; Makoto Mizukami (+3 著者) Hajime Okumura
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012 740-742: 907 (2013) Semantic Scholar
34. Effect of POCl3 Annealing on Reliability of Thermal Oxides Grown on 4H-SiC Ryuji Morishita; Hiroshi Yano; Dai Okamoto; Tomoaki HatayamaTakashi Fuyuki
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2 717-720: 739 (2012) Semantic Scholar
35. Development of 4H-SiC MOSFETs with Phosphorus-Doped Gate Oxide Dai Okamoto; Hiroshi Yano; Tomoaki Hatayama; Takashi Fuyuki
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2 717-720: 733 (2012) Semantic Scholar
36. Shallow traps at P-doped SiO(2)/4H-SiC(0001) interface Dai Okamoto; Hiroshi Yano; Shinya Kotake; Tomoaki HatayamaTakashi Fuyuki
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010 679-680: 338 (2011) Semantic Scholar
37. Improved MOS interface properties of C-face 4H-SiC by POCl(3) annealing Shinya Kotake; Hiroshi Yano; Dai Okamoto; Tomoaki HatayamaTakashi Fuyuki
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010 679-680: 425 (2011) Semantic Scholar
38. Extraordinary characteristics of 4H-SiC trench MOSFETs on large off-axis substrates Yoshihiro Ueoka; Hiroshi Yano; Dai Okamoto; Tomoaki HatayamaTakashi Fuyuki
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010 679-680: 666 (2011) Semantic Scholar
39. Instability of 4H-SiC MOSFET Characteristics due to Interface Traps with Long Time Constants Hiroshi Yano; Yuki Oshiro; Dai Okamoto; Tomoaki HatayamaTakashi Fuyuki
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010 679-680: 603 (2011) Semantic Scholar
40. Improved Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs on Si Face Utilizing Phosphorus-Doped Gate Oxide Dai Okamoto; Hiroshi Yano; Kenji Hirata; Tomoaki HatayamaTakashi Fuyuki
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 31: 710 (2010) Semantic Scholar

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1. Compound Semiconductor An, Junjie; Namai, Masaki; Tanabe, Mikiko; Okamoto, Dai; Yano, Hiroshi; Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET)
Angel Business Communications publication 2017年6月

1. 多周波アドミタンス解析による4H-SiC MOSキャパシタのMartens型時定数評価岡本大; 染谷満
第87回応用物理学会秋季学術講演会 2026年9月9日
2. 多周波チャージポンピング法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのNITに起因した動的な形状成分の解明田口雄大; 岡本大
第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月15日
3. SiO2/SiC界面特性に及ぼすSiF4添加量および酸化温度の影響高林知輝; 岡本大
令和7年度(2025年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2025年12月13日
4. 周波数依存チャージポンピング法によるSiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップ密度の温度依存性評価矢合志悠; 岡本大
令和7年度(2025年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2025年12月13日
5. pチャネルSiC MOSFETのCharge Pumping電流におけるGeometric Componentのメカニズムと抑制条件のTCADおよび実験的解析志村一眞; 岡本大; 田口雄大; 木全健太; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月20日
6. n-SiC MOSFET のCharge Pumping電流におけるGeometric ComponentのTCAD及び実験的解析木全健太; 志村一眞; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月20日
7. TCAD-Oriented Physical Modeling of Temperature-Dependent Inversion Layer Mobility in SiC MOSFETs Tetsuo Hayakeyama; Hirohisa Hirai; Mitsuru Sometani; Dai Okamoto; Mitsuo Okamoto; Shinsuke Harada
2025 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2025年9月24日
8. TCAD and Experimental Study of Geometric Components in Charge Pumping Current for Accurate Characterization of Interface Trap Density in SiC pMOSFETs Kazuma Shimura; Dai Okamoto; Yuta Taguchi; Kenta Kimata; Mitsuru Sometani; Hirohisa Hirai; Mitsuo Okamoto; Tetsuo Hatakeyama
2025 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2025年9月17日
9. pチャネルSiC MOSFETのCharge Pumping電流におけるGeometric ComponentのTCADおよび実験的解析志村一眞; 岡本大; 田口雄大; 木全健太; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月10日
10. n-SiC MOSFETのCharge Pumping電流における幾何学的形状成分のTCAD及び実験的解析木全健太; 志村一眞; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月10日
11. nチャネルSiC MOSFET に対する高温での周波数依存チャージポンピング特性の評価矢合志悠; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
令和6年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2024年12月7日
12. pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping特性の特異的なチャネル依存性のTCADによる解析志村一眞; 岡本大; 畠山哲夫
応用物理学会先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月26日
13. pチャネルSiC MOSFETにおけるチャージポンピング電流の特異的な形状成分の解析田口雄大; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
応用物理学会先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月26日
14. Physically Based Mobility Model for SiC MOSFETs in TCAD Tetsuo Hatakeyama; Hirohisa Hirai; Mitsuru Sometani; Dai Okamoto; Mitsuo Okamoto; Shinsuke Harada
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 2024年10月4日
15. nチャネルSiC MOSFETのSplit CV特性のTCADによる検討上野大騎; 岡本大; 畠山哲夫
令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
16. pチャネルSiC MOSFETにおけるストレス印加・緩和時のしきい値電圧不安定性評価小橋明希斗; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
17. SiC MOSFETのSplit CV特性を説明する等価回路モデルの検討酒井彰人; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
18. pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping特性のチャネル長依存性シミュレーション志村一眞; 岡本大; 畠山哲夫
令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
19. SiF4添加酸化によるSiO2/4H-SiC 構造における界面準位密度の低減高林知輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 畠山哲夫
令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
20. pチャネルSiC MOSFET のCharge Pumping 特性における捕獲断面積の影響笠原匠人; 岡本大; 畠山哲夫
令和５年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日

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